Техника безопасности

Исследовать работу диода в режиме ЭДС

Определить спектральную характеристику фотодиода

Произвести измерения темновой вольт амперной характеристики в обратном и прямом направлении

Порядок выполнения работы

Перевести переключатель панели в положение «обратное». На источнике Б5-45 последовательно выставлять напряжения U _обр = (0,1 ÷ 8) В через 1 В.

Напряжение на диоде фиксируется по вольтметру V ₂.

Ток диода определяется по формуле I _обр = V ₁/10⁴, где V ₁ – показания вольтметра V ₁.

Перевести тумблер в положение «прямое». На источнике Б5-45 последовательно выставлять напряжения U _пр= (0,2- 0,8) В через 0,2 В.

В том же порядке зафиксировать значения напряжения и тока.

Переключить тумблер в положение «обратное», на источнике выставить напряжение 5 В. Установить ширину входной щели монохроматора равной 4 мм. Включить лампу освещения. Ручкой на лицевой панели монохроматора выставить необходимую длину волны (шаг – 50 нм). Измерение фототока диода производится по вольтметру V ₁ (I _Ф = V ₁/10⁴). Снять спектральную зависимость I _ф = I _Ф(λ) в интервале длин волн (900 ÷ 500) нм.

3. Произвести измерения вольт‑амперной характеристики при освещении в обратном и прямом направлении

При длине волны λ, соответствующей максимуму фототока I _Ф снять фото‑ВАХ в прямом и обратном направлении (ширина щели d = 4 мм).

Построить ВАХ (темновую и при освещении – на одном графике).

Переключить тумблер в положение ЭДС, измерить зависимость сигнала ЭДС напряжение холостого хода V _XX по вольтметру V ₂ от величины светового потока, который изменяется шириной входной щели от 4 до 0 (мм) с шагом 1 мм. Длина волны λ соответствует максимуму фототока I _Ф.

Контрольные вопросы

1. Что такое фотодиод?

2. Как образуется потенциальный барьер p-n-перехода?

3. Нарисуйте зонные диаграммы, поясняющие работу фотодиода при освещении.

4. Нарисуйте ВАХ фотодиода. Почему при освещении обратный ток фотодиода увеличивается а прямой ток уменьшается?

5. Что такое световая характеристика фотодиода?

6. Как зависит фототок от длины волны света?

7. Почему в области больших длин волн или малых энергий фотона фототок резко спадает?

Литература

1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. // М.: Мир. 1984, Т.1 455 с. Т.2 455 с.

2. Маллер Р.А, Кейминс Т. Элементы интегральных схем. // М.: Мир, 1986, 630 с.

3. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектронника. (Физические и технологические основы, надежность). // М.: Высшая школа. 1995, 464 с.

4. Справочник. Полупроводниковые приборы. Нефедов А.В., Гордеева В.И. Диоды. Оптоэлектронные приборы. // М.: КУбК-а. 1998, 401 с.

1. Не включать приборы в сеть, не ознакомившись с работой и не получив допуск к работе у преподавателя или инженера.

2. Не подавать на фотодиод прямое напряжение больше 1 В!

3. Руководствоваться следующими основными параметрами фотодиодов:

Параметры	ФД 1	ФД 2	ФД 3	ФД 4
Рабочее напряжение, В
Макс. обратное напряжение, В
Темновой ток насыщ.(мкА), меньше
Площадь фоточувств. поверх, мм^2
Максимальное прямое напряж.,В
Интегральная чувствит., мА/лм

Дата добавления: 2014-10-15