КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Принцип работы БТ в активном режиме
На рисунке 1.26,а изображена схема, поясняющая принцип работы транзистора.
Рисунок 1.26. а – Принцип работы БТ в активном режиме; б – Диаграмма распределения концентрации примеси
В БТ протекают следующие токи: эмиттерный Iэ, образованный инжекцией ОНЗ через ЭП; коллекторный Iк, образованный экстракцией ННЗ через КП; ток базы Iб, полученный за счет рекомбинации НЗ в базе, перешедших из эмиттера; обратный ток коллекторного перехода Iкб0 – неуправляемый ток Между этими токами существуют следующие соотношения: Iэ = Iк + Iб; Iб «Iк; Iэ ≈ Iк. Iкб0 направлен встречно Iэ и Iк и очень мал. Iб в десятки…сотни раз меньше Iк, так как толщина базы гораздо меньше толщины эмиттера и коллектора, и концентрация примеси в базе гораздо ниже концентрации примеси эмиттера и коллектора, процесс рекомбинации в базе минимален. Выводы. 1. Транзистор содержит эмиттерный и коллекторный переходы и может иметь переходы PNP и NPN. 2. В усилительном режиме на эмиттерный переход подают небольшое прямое напряжение, а на коллекторный переход- обратное. 3. Инжектированные в базу дырки диффундируют в сторону коллекторного перехода. 4.Так как база очень тонкая и концентрация основных носителей заряда-свободных электронов- в ней низкая, почти все инжектированные в базу дырки достигают коллекторного перехода и перебрасываются полем этого перехода в коллектор, образуя управляемый ток коллектора. 5. Небольшая часть инжектированных дырок, успевшая рекомбинировать в базе, образует рекомбинационную составляющею тока эмиттера , замыкающуюся через цепь базы.
Дата добавления: 2014-11-16; Просмотров: 1810; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |