Паразитная связь через электрическое поле (емкостная паразитная связь)

Схема взаимодействия

C_П - паразитная емкость, I_Н - ток наводки, E_Н - источник наводки.

Напряжение наводки u_Н определяется как:

При условии, что , тогда напряжение наводки будет определятся как:

Для любого вида наводок вводится коэффициент паразитной связи , который в данном случае будет:

Главной задачей устранения наводок является сведение коэффициента паразитной связи к нулю (b = 0).

Для данного случая, единственный способ коэффициента паразитной связи - это уменьшение паразитной емкости C_П. Один из способов уменьшения паразитной емкости - это увеличение расстояния между узлами А и В. Если этим способом не удается существенно уменьшить паразитную емкость, тогда применяют экранирование.

В данной схеме замещения, качество экранирования моделируется конденсатором С_З.

При использовании металлического экрана возможны два случая:

1. Плохо заземленный экран. В этом случае С_З = 0, Z_СЗ ® ¥.

Так как площадь экрана много больше площади поверхностей устройств А и В, то емкость каждого конденсатора С₁ и С₂ будет больше чем паразитная емкость С_П. Таким образом, плохо заземленный экран будет увеличивать паразитную емкость.

2. Хорошо заземленный экран. В этом случае Z_СЗ = 0, С_З ® ¥.

При хорошем заземлении экрана паразитная связь полностью разорвана.

Требования к экрану

n Хорошее заземление экрана;

n Высокая проводимость материала экрана;

n Толщина экрана практически не оказывает влияния на степень экранирования, при условии если она превышает глубину проникновения поля в металл.

где E₁e^{-r /d} - напряженность электрического поля при проникновении в металл, d - глубина проникновения электрического поля.

Дата добавления: 2014-11-18