Паразитная связь через магнитное поле (взаимоиндуктивная паразитная связь)

Z_A – полное сопротивление цепи А;

Z`_B – полное сопротивление цепи В (Z_Н + Z_B);

E`_H – наведенная э.д.с.

если Z_Н >> Z_B то тогда

тогда

Коэффицент паразитной связи будет определятся как:

Для уменьшения взаимоиндуктивной паразитной связи рекомендуется:

1. Увеличить расстояние между цепями А и В, а также правильно ориентировать цепь В по отношению к цепи А.

Пример: Магнитное поле Н ₁ направленное перпендикулярно плоскости контура создает в контуре ток I ₁. Магнитное поле Н ₂ направленное параллельно плоскости контура не создает в контуре ток.

2. Применить экранирование

n Низкочастотное магнитное поле (f £ 1 кГц). В этом случае экран представляет собой коробку, которая выполняет функцию «шунта».

Рекомендации по изготовлению экрана:

1. Магнитная проницаемость m материала экрана должна быть как можно больше;

2. Толщина экрана d должна быть как можно толще, так как чем толще экран, тем выше степень экранирования;

3. Стыки между отдельными частями экрана не должны давать существенных помех для прохождения линий магнитного поля.

n Высокочастотное магнитное поле (f > 1 кГц). В этом случае применяют высокочастотный магнитный экран.

Магнитное поле источника наводки Н создает ток наводки I _Н (вихревой ток) в экране. В свою очередь, ток наводки I _Н создает магнитное поле экрана Н _Э. Магнитное поле экрана Н _Э, взаимодействуя с полем источника наводки Н, как бы выдавливает основное поле Н за границы экрана и защищает приемник помех.

Рекомендации по изготовлению экрана:

1. Произведение параметров m и s должно быть как можно больше;

2. Если выбранная толщина стенки экрана превышает глубину проникновения магнитного поля в металл, то дальнейшее увеличение толщины экрана не улучшает качество экранирование;

3. Отверстия в стенках экрана не должны препятствовать наведенным токам.

Дата добавления: 2014-11-18