![]() КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
ВВЕДЕНИЕ. Цель работы: исследовать зависимость сопротивления полупроводников от температуры, определить ширину запрещенной зоны полупроводника
ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ РАБОТА № 8 Цель работы: исследовать зависимость сопротивления полупроводников от температуры, определить ширину запрещенной зоны полупроводника. Приборы и принадлежности: термистор ММТ-1, пробирка, заполненная маслом и помещенная в колбу, также наполненную маслом, термометр, мост постоянного тока МО-62, колбонагреватель. Электропроводность полупроводника зависит от температуры следующим образом:
где s0 - слабо зависит от Т. Величина DE в (1) называется шириной запрещенной зоны для собственных полупроводников или энергией активации для примесных полупроводников. Зависимость s от Т обусловлена квантовомеханическими законами, которым подчиняется движение электронов в кристалле. Хотя в полупроводнике ток переносят только электроны, однако, характер их движения таков, что перенос тока представляется происходящим за счет двух типов носителей - отрицательно заряженных (электронов) и положительно заряженных (дырок). Наличие примесей в кристалле изменяет, часто радикально, относительную роль электронов и дырок в механизме электропроводности. Так, примеси 5-й группы таблицы Менделеева придают полупроводникам электронный характер проводимости, а электроны 3-й группы дырочный. Кроме того, величина DЕ сильно уменьшается при введении примесей, при этом электропроводность примесных полупроводников значительно слабее зависит от температуры, нежели электропроводность собственных полупроводников. Более подробно о свойствах полупроводников см. Приложение к работе. Для экспериментального определения величины DЕ находят зависимость сопротивления полупроводника от температуры. Эту зависимость согласно (1) можно записать в виде:
где R0 -константа. Соотношение (2) записано на том основании, что R~ 1/s, откуда с учетом (1) получается (2). Взяв логарифм от обеих частей (2), получим:
Откуда видно, что зависимость lnR от 1/Т носит линейный характер, а угловой коэффициент соответствующей прямой равен DЕ/2k. Определив этот коэффициент, находят DЕ.
Дата добавления: 2014-11-29; Просмотров: 429; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |