КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Импульсный источник питания
Расчет Напряжение питания полумостовой схемы определяется как максимальное напряжение питающей сети: (4.81) где VEF = 220B – действующее значение напряжения сети переменного тока. Минимальный класс рабочего напряжения ключа выбирается равным: (4.82) где V(BR)CEO — напряжение пробоя коллектор—эмиттер при оборванной базе. Напряжение пробоя коллектор—эмиттер с учетом смещения базовой цепи (V(BR)CER, V(BR)CEV, и т.п.): (4.83) Для полумостовой схемы с учетом практически линейного закона изменения тока и для стандартной мощности ламп PL = 55 Вт значение тока IC(max) рассчитывается: (4.84) В режиме запуска максимальные токи увеличиваются в 4...5 раз по сравнению с установившимся режимом, поэтому необходимо выбирать транзисторы на рабочий ток = 4 А. Рассчитанным значениям соответствует: · Биполярный транзистор серии PowerLux D2 типа BUL45D2 с параметрами: V(BR)CES = 700В и IC(max) = 4А. · Минимальное значение параметра hFE = 20 с разбросом ±30% для 25°С и токовой нагрузки 1А. · Управляющий базовый ток IB = 0.25А обеспечивает гарантированное насыщение транзистора (VBE(sat) = 1В, VCE(sat) = 0.4В) во всем диапазоне токовой нагрузки. · Максимальная температура внутри корпуса электронного балласта равна 70°С. Мощность потерь Дополнительные данные для расчета: · Частота переключения f = 40 кГц; · Длительность открытого состояния ключа tp = 12.5 мкс; · Время спада тока ключа tF = 100 не; · Тепловое сопротивление переход—окружающая среда (при работе ключа без охладителя) RThJA = 62.5°С/Вт (тип корпуса ТО220); Мощность потерь на переключение (выключение): (4.85) Мощность потерь в открытом состоянии: (4.86) Мощность потерь на управление: (4.87) Температура перехода: (4.88) Осциллограммы коллекторного тока и напряжения ключа для режима запуска схемы и установившегося состояния представлены на рис. 4.48. а б Рис. 4.48
На рис. 4.68 показана структурная схема импульсного (источника питания частотой 200 кГц на выходную мощность 200 Вт (разработка фирмы «InfineonTechnologies», использующая схему обычного и синхронного выпрямления).
Рис. 4.68
Дата добавления: 2014-11-28; Просмотров: 864; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |