Интегральные схемы

Оптоэлектронные приборы

Тиристоры

Транзисторы

1. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора. Условно-графическое изображение p-n-p и n-p-n транзисторов. Физические процессы и основные соотношения для токов в транзисторе.

Коэффициенты инжекции и передачи тока. Режимы работы транзистора. Схемы включения транзистора с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК).

Модель Эберса-Молла биполярного транзистора. Статические ВАХ транзистора для схем включения с ОБ и ОЭ. Дифференциальные параметры транзистора в режиме малого сигнала. Графическое определение дифференциальных параметров. Зависимость параметров транзистора от температуры и частоты. Эквивалентные схемы транзистора на низких и высоких частотах (в системе h-параметров, Т-образная, физическая). Динамический (нагруженный) режим работы транзистора. Усилительные параметры схем с ОБ, ОЭ, ОК. Работа биполярного транзистора в ключевом режиме. Классификация и маркировка биполярных транзисторов.

2. Классификация полевых транзисторов и их условно-графическое изображение. Конструкция, принцип действия, вольтамперные характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором со встроенным и индуцированным каналами (МДП-транзисторы). Эквивалентная схема полевых транзисторов. Полевой транзистор в режиме усиления. Работа полевых транзисторов в ключевом режиме. Классификация и маркировка полевых транзисторов.

[1] §§4.1-4.4, 5.1-5.6, 7.1-7.2; [2] §§4.1-4.13, 5.1-5.8; [3] §§4.1-4.7, 5.1-5.3;

[4] §§5.1-5.8, 7.1-7.6

Классификация тиристоров и их условно-графическое изображение. Конструкция, принцип действия, ВАХ и основные параметры тиристоров Их применение. Маркировка тиристоров.

[ 1] §§6.2; [2] §§6.1-6.4; [4] §§6.1-6.4

Фотоэлектрические явления в полупроводниках и переходах, фотопроводимость, фотогальванический эффект. Светоизлучающие и фотоэлектрические приборы. Светодиоды. Оптоэлектронные индикаторы.

[1] §14.1-14.4; [2] §§7.1-7.8; [4] §§14.3-14.4

Технологические основы микроэлектроники

Физико-технологические процессы изготовления активных и пассивных элементов микросхем. Эпитаксия, термическое окисление, легирование, травление, техника масок, нанесение тонких пленок, металлизация. Элементы интегральных схем. Резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы. Достоинства микроэлектронных изделий. Проблемы повышения степени интеграции. Применение базового матричного кристалла.

[3] §§6.1-6.12, 7.1-7.11; [4] §§8.1-8.3, 9.1-9.6

1. Назначение, классификация полупроводниковых интегральных схем (ИС). Гибридные интегральные схемы (ГИС). Большие интегральные схемы (БИС).

2. Элементная база аналоговых интегральных схем. Составные транзисторы (схемы включения по Дарлингтону, композитное, каскодное, комплементарное). Генератор стабильного тока (ГСТ). Простейший усилительный каскад. Дифференциальный усилитель (ДУ). Дифференциальный и синфазный сигналы. Коэффициент ослабления синфазного сигнала. Транслятор уровня постоянного напряжения (ТУ) на базе стабилитрона и генератора стабильного тока. Оконечные каскады ИС. Операционный усилитель (ОУ). Классификация и маркировка аналоговых ИС.

3. Элементная база цифровых интегральных схем (ЦИС). Логические элементы “НЕ”,”И”,”ИЛИ” (условные графические обозначения, уравнения переключения, временные диаграммы).Управляющие сигналы ЦИС. Передаточные и переходные характеристики, параметры ЦИС. Базовые элементы логических схем: ДТЛ, ТТЛ, ЭСТЛ. Базовые элементы логических схем на МОП - транзисторах. Базовые элементы логических схем на КМОП - транзисторах. Транзисторные элементы памяти. Триггерные системы. RS - триггер, JK - триггер. Уравнения переключения, таблицы состояния, условные графические изображения. Базовая транзисторная ячейка запоминающих устройств с произвольной выборкой. Классификация и маркировка цифровых ИС.

[3], §§1.1-1.3, 8.1-8.10, 9.1-9.11; [4] §§8.1,10.1-10.6, 11.1-11.8

Дата добавления: 2014-11-29