Нелинейная модель, предложенная Эберсом и Моллом, характеризует активную область транзистора, в ней отсутствуют резисторы, отражающие наличие пассивных областей базы и коллектора

Два встречно включенных p-n-перехода транзистора отображаются в виде идеальных диодов с собственными токами I₁ и I₂, а взаимодействие между ними – в виде генераторов тока a_NI₁ и a_II₂ (рис.4), где a_N и a _I – коэффициенты передачи тока при нормальном и инверсном включениях.

Токи диодов описываются выражениями:

I₁=I^¢_ЭО(еxp(U_Э/φ_T) – 1) (7)

I₂=I^¢_KО(еxp(U_К/φ_T) – 1) (8)

где I^¢_ЭО, I^¢_KО – тепловые токи соответствующих переходов при коротком замыкании другого перехода, φ_T – температурный потенциал. Положительными считаются прямые напряжения на переходах: для p-n-p-транзистора U_Э=U_ЭБ,, U_К=U_КБ, для n-p-n-транзистора U_Э= -U_ЭБ, U_К= -U_КБ.

Из рис.4 следуют соотношения:

(9)

(10)

На практике принято измерять тепловые токи, не закорачивая, а обрывая цепь второго перехода. Соответствующие значения обозначают через I_Э0 и I_К0. С помощью формул (7) – (10) можно установить связь между тепловыми токами, измеренными в режиме холостого входа и режиме короткого замыкания второго перехода:

Подставляя токи и из (7), (8) в соотношения (9), (10) находим аналитические выражения для статических ВАХ транзистора:

(11)

(12)

Ток базы определяется как разность токов и :

(13)

Формулы (11) – (13) являются математической моделью транзистора.

Дата добавления: 2014-11-29