Указания к задаче 1

Методические указания по выполнению контрольной работы

Требования к оформлению контрольных работ

1.В работе должны быть заголовки выполняемых пунктов контрольной работы. Все рисунки, таблицы и графики должны быть пронумерованы. В тетради оставляют поля (3-4 см) для замечаний. В конце контрольной работы приводится список используемой литературы.

2. Все рисунки и графики должны быть выполнены аккуратно в удобном для рассмотрения масштабе.

3. Задачи рекомендуется выполнять в общем виде, подставляя конкретные числа в формулы после их преобразования.

4. При решении задач следует пользоваться международной системой единиц измерения СИ, придерживаться общепринятой символики и правил записи формул и единиц измерения.

5. Контрольная работа высылается для проверки в установленные сроки. При наличии замечаний преподавателя, студент должен представить исправленный вариант контрольной работы совместно с первоначальным вариантом.

6. Без выполнения контрольной работы студент не допускается к выполнению лабораторных работ и к экзамену.

Общие сведения, необходимые для выполнения контрольной работы, можно найти в рекомендованной литературе и содержатся также в теоретической части пособия. Дополнительную помощь призваны оказать приводимые ниже методические указания и примеры решения задач.

Перерисовав статические характеристики биполярного транзистора, определяют малосигнальные h- параметры в заданном рабочем режиме. Метод их нахождения изложен в теоретической части пособия. Следует, однако, отметить, что в справочниках приводится только одна входная характеристика для активного режима. Это является следствием малого влияния выходного напряжения на входную цепь прибора, поэтому входные характеристики, снятые для различных значений U_КЭ, располагаются очень близко друг к другу и неразличимы в данном масштабе. Вторая характеристика, снятая для U_КЭ=0, относится к режиму насыщения и не пригодна для нахождения h- параметров. Поэтому по входной характеристике для активного режима можно найти только h_11Э. Два других параметра – h_21Э и h_22Э – находятся по выходным характеристикам. Недостающий параметр можно, однако, вычислить, заметив, что согласно эквивалентной схеме на рис.13

Сопротивление r¢_Б вычисляется следующим образом. Сначала находим r^*_Б по табличному значению t_ос для заданного значения I^*_К по формуле (24), затем вычисляем r¢_Б для значения I⁰_К в нашей рабочей точке по формуле (29):

Крутизна S¢ вычисляется по формуле (27), r_КЭ можно найти по значению h_22Э, которое для схемы на рис.13 равна

Определив все h- параметры можно начертить эквивалентную схему транзистора на низких частотах в системе h- параметров (рис.10).

Барьерные емкости С_К, С_Эбар приводятся в справочных данных, С_КЭ= С^*_К=(b+1) С_К, согласно (28), (21). Полная емкость С_Э= С_Эбар+ С_Эдф вычисляется по формуле (30):

C_Э=S¢/(2pf_пр)

Дата добавления: 2014-11-29