КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Указания к задаче 5
Пример решения задачи 4. В теоретической части пособия приведен численный пример определения дифференциальных параметров по статическим характеристикам транзистора 2П303. Для выбранной рабочей точки найдено: S0= 2,8 мА/В, Ri= 20 кОм Для этого транзистора Cвх =6 пФ, Спрох= 1 пФ, Свых= 0,5 пФ. Отсюда находим: СЗИ = СЗС= 1 пФ, СЗК= 4 пФ, r’K=1/ S0= 357 Ом. По найденным параметрам строится эквивалентная схема:
Находим постоянную времени и граничнуючастота крутизны: τS= r’KСЗК =357·4·10-12 = 1,4 нс, ω S =1/τS= 7·108 с-1, f S =1/(2πτS)=110 МГц На граничной частоте и активная часть входной проводимости равна Re Yвх= 0,5(r’K)-1=1,4 мСм Реактивная часть входной проводимости на этой частоте равна
Перерисовав статические характеристики биполярного транзистора, на семействе выходных характеристик строится нагрузочная прямая по точкам, в которых она пересекает оси координат согласно уравнению (31). Однако рабочая точка на выходных характеристиках будет находиться либо в режиме отсечки (транзистор выключен), либо в режиме насыщения (транзистор включен). Эти точки (E и D) показаны на рис.16 треугольниками. Остаточное напряжение UКН находится непосредственно по графику как абсцисса точки D, соответствующей режиму насыщения. Для надежного отпирания транзистора и получения малого времени включения необходимо подавать входной ток, в несколько раз больший, чем требуется для начала режима насыщения. Напряжение UКЭнас рассчитывается по формуле (38), полагая B i =1, коэффициент насыщения S =2÷5. Разность напряжений UКН и UКЭнас дает падение напряжения на омическом сопротивлении коллектора rKK. Отсюда Мощность Pвх, потребляемая входной цепью ключа в состоянии «включено»: , где UБЭнас находятпо входной характеристике транзистора при UКЭ= 0 (т.е. для режима насыщения) для заданного отпирающего тока базы I+Б. (см. рис.20). Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора в состоянии «включено», равна PКвкл=IКН∙UКН Сопротивление транзистора в состоянии «включено», равно Rвкл=UКН / IКН
Дата добавления: 2014-11-29; Просмотров: 391; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |