Данные к расчету

Тип транзистора p-n-p, материал – кремний для нечетных вариантов и германий для четных вариантов.

Концентрация атомов примеси в эмиттере N_аэ =10¹⁸ см ^–3.

Концентрация атомов примеси в базе N_dб = N_ж ∙ 10¹⁵ см ^–3, где N_ж – номер фамилии студента в журнале группы.

Концентрация атомов примеси в коллекторе N_ак =5∙10¹⁷см ^–3.

Протяженность (длина) базы W_б = 1 мкм.

Площади р-n-переходов S = 10000 мкм².

Время жизни дырок в базе τ_рб = 100 мкс.

Время жизни электронов в эмиттере τ_nэ = 10 ^–9 с.

Время жизни электронов в коллекторе τ_nк=5 ∙ 10 ^–8 с.

Рабочее задание

1. Запишите в рабочий журнал тип транзистора и материал, из которого он сделан.

2. Измерьте и постройте входные вольт-амперные характеристики транзистора при =0; <0; >0.

3. Измерьте и постройте выходные вольт-амперные характеристики транзистора при =0; при нескольких (не менее трех-пяти) значениях тока эмиттера.

4. Для инверсного включения выполните измерения и постройте входные и выходные характеристики.

Дата добавления: 2014-11-29