Ионно-лучевая литография

Основана на использовании ионов гелия для экспонирования поверхности пластин, покрытых резистом.

Существуют:

сканирующая ИЛЛ (разрешающая способность – 0,3¸0,03мкм);

проекционная ИЛЛ с (разрешающая способность – 0,5мкм);

Для формирования рисунка топологии ИС возможно воздействие на пленку электронного, ионного и лазерного пучка с высокой плотностью энергии, достаточной для термического испарения материала.Для этого необходимы плотность мощности больше >10⁶ Вт/см² и время @ 1мкс. Применение ограничено возможным возникновением дефектов из-за механического напряжения и ударных волн.

Для сравнения эффективности методов литографии используются обобщенные оценки. В качестве критерия выбран показатель качества, определяемый как:

Производительность

(1+0,15´плотность дефектов) ´ стоимость оборудования ´ (ширина линий)

Сравнение эффективности методов литографии приведено в таблице 1.

Таблица 1

Метод литографии	Мин. ширина линии, мкм	Плот-ность дефектов на 1 см	Производитель-ность, пластин/ч	Стоимость оборудования, отн. ед.	Эффектив- ность ´ 10
Контактная фотолитография		2,5
Проекционная фотолитография
Проекционная фотолитография с применением коротковолнового УФ-излучения
Проекционная фотолитография с использованием повторителей
Электронолитография	0,5	0,5
Рентгенолитография	0,3
Ионно-лучевая литография	0,5	-		-	-

Дата добавления: 2014-12-07