Биполярные транзисторы

Активные компоненты цепей

Имена биполярных транзисторов в библиотеке компонентов – NPN и PNP. Путь к биполярным транзисторам: Component→Analog Primitives→Active Devices.

	← n-p-n транзистор (NPN)
	← p-n-p транзистор (PNP)

Биполярные транзисторы имеют основные атрибуты: PART <имя> и MODEL <список параметров модели>. Определение атрибута MODEL возможно несколькими способами. Если компонент будет использоваться в нескольких схемах, то его целесообразно ввести в библиотеку моделей компонентов. В этом случае в поле атрибута MODEL вводится лишь имя биполярного транзистора из библиотеки моделей, например, MODEL=USER. При этом имя транзистора можно выбрать из уже имеющихся в библиотеке имен щелчком мыши. Список имен, имеющихся в библиотеке, высвечивается в правом поле окна атрибутов. Если необходимо внести в библиотеку моделей новый транзистор с новыми параметрами, то поступают следующим образом. Для обращения к библиотеке моделей выполняют команду File→Open. В открывшемся окне выбирается из списка типов файлов файлы библиотеки Model Library по расширению.lbr. В результате открывается список с именами имеющихся в программе библиотек. Выбирается библиотеку по ее имени в списке. Открывается выбранная библиотека. Открывается окно со списком моделей компонентов данной библиотеки. В этом окне выбирается интересующий компонент с именем NPN или PNP. Открывается окно с именами и параметрами биполярных транзисторов. Для добавления в библиотеку нового транзистора необходимо нажать кнопку Add. В левом окне с именем Name List в конце списка появляется строка с именем New. В правом поле параметров устанавливаются параметры модели по умолчанию, которые возможно редактировать с учетом значений параметров требуемой модели. Далее необходимо присвоить новому транзистору имя в библиотеке моделей, которое будет появляться в правом поле окна атрибутов. Для этого вводиться новое имя в окне Name (слева вверху окна компонента), например USER. Щелкнув мышью в строке New, переносим имя USER в эту строку вместо New. После этого введенный транзистор можно использовать в любой другой схеме. Важно, что при выборе имени транзистора из библиотеки моделей в окне атрибутов, параметры модели транзистора автоматически записываются в окно текстового отображения схемы. Поэтому определение атрибута MODEL возможно путем использования уже существующей модели из правой части окна атрибутов с последующей корректировкой параметров в текстовом окне МС редактора.

Кроме описанных способов пользователь может осуществить ввод параметров в поле атрибута MODEL в виде текста. Обозначения наиболее важных параметров биполярного транзистора следующие:

Обозначение	Параметр	Размерность	Значение по умолчанию
IS	Ток насыщения при температуре 27^оС	А	10^−16
BF	Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с общим эмиттером (без учета токов утечки)	−	10^2
BR	Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с общим эмиттером	−
NF	Коэффициент неидеальности в нормальном режиме	−
NR	Коэффициент неидеальности в инверсном режиме	−
VAF	Напряжение Эрли в нормальном режиме для модели Гуммеля-Пуна	В	∞
VAR	Напряжение Эрли в инверсном режиме для модели Гуммеля-Пуна	В	∞
RC	Объемное сопротивление коллектора	Ом
RE	Объемное сопротивление эмиттера	Ом
RB	Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер	Ом
TF	Время переноса заряда через базу в нормальном режиме	с
TR	Время переноса заряда через базу в инверсном режиме	с
CJE	Емкость эмиттерного перехода при нулевом смещении	пФ
VJE(PE)	Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер	В	0,75
MJE(ME)	Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода	−	0,33
CJC	Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении	Ф
VJC(PC)	Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор	В	0,75
MJC(MC)	Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода	−	0,33
CJS(CCS)	Емкость коллектор-подложка при нулевом смещении	Ф
VJS(PS)	Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка	В	0,75
MJS(MS)	Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка	−
KF	Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкерного шума	−
AF	Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкерного шума от тока через переход	−

С полным списком параметров биполярного транзистора, воспринимаемых программой МС, можно ознакомится в [1, 2, 3].

Дата добавления: 2014-12-23