МОП транзисторы

Имена МОП транзисторов в библиотеке компонентов – NMOS и PMOS. Путь к биполярным транзисторам: Component→Analog Primitives→Active Devices.

	← n-МОП транзистор (NMOS, транзистор с каналом n-типа)
	← p-МОП транзистор (PMOS, транзистор с каналом p-типа)

МОП транзисторы имеют основные атрибуты: PART <имя> и MODEL <список параметров модели>. Определение атрибута MODEL возможно несколькими способами. Если компонент будет использоваться в нескольких схемах, то его целесообразно ввести в библиотеку моделей компонентов. В этом случае в поле атрибута MODEL вводится лишь имя МОП транзистора из библиотеки моделей, например, MODEL=USER. При этом имя МОП транзистора можно выбрать из уже имеющихся имен источников в библиотеке щелчком мыши. Список имен, имеющихся в библиотеке, высвечивается в правом поле окна атрибутов. Если же необходимо внести в библиотеку моделей новый МОП транзистор с новыми параметрами, то поступают аналогично случаю биполярных транзисторов. Кроме описанных способов пользователь может осуществить ввод параметров в поле атрибута MODEL в виде текста. Ввод параметров или выбор модели МОП транзистора осуществляется также как и для ранее перечисленных компонентов. Обозначения наиболее важных параметров МОП транзистора следующие:

Обозначение	Параметр	Размерность	Значение по умолчанию
LEVEL	Уровень модели (1,2,3)	−	1
L	Длина канала	м	DEFL
W	Ширина канала	м	DEFW
VTO	Пороговое напряжение при нулевом смещении подложки	В
KP	Параметр удельной крутизны	А/В	2*10^−5
GAMMA	Коэффициент влияния потенциала подложки на пороговое напряжение	В^1/2	вычисляется
PHI	Поверхностный потенциал сильной инверсии	В	0,6
LAMBDA	Параметр модуляции длины канала (не используется при LEVEL=3)	1/В
RD	Объемное сопротивление стока	Ом
RS	Объемное сопротивление истока	Ом
RG	Объемное сопротивление затвора	Ом
RB	Объемное сопротивление подложки	Ом
IS	Ток насыщения переходов сток-подложка и исток-подложка	А/м^2	10^−14
CGSO	Удельная емкость перекрытия затвор-исток на длину канала за счет боковой диффузии	Ф/м
CGDO	Удельная емкость перекрытия затвор-сток на длину канала за счет боковой диффузии	Ф/м
CGBO	Удельная емкость перекрытия затвор-подложка за счет выхода затвора за пределы канала	Ф/м
TT	Время переноса заряда через переход	с
NSUB	Уровень легирования подложки	1/см^3	нет
TOX	Толщина оксида	м	вычисляется
DELTA	Коэффициент влияния ширины канала на пороговое напряжение (не используется при LEVEL=1)	−
KF	Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкерного шума	−
AF	Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкерного шума от тока через переход	−

С полным списком параметров МОП транзистора, воспринимаемых программой МС, можно ознакомится в [1, 2, 3].

Дата добавления: 2014-12-23