Теоретические сведения. Изм. Лист № докум. Подпись дата лист

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

Тема: Исследование полупроводниковых приборов

Цель: Научится экспериментально исследовать электрические свойства диодов и определять их основные характеристики

Выпрямительные диоды имеют одностороннюю проводимость тока за счет применения полупроводниковой структуры с двумя слоями. Один обладает дырочной p электропроводностью (основные носители заряда дырки), а другой — электронной n (основные носители заряда электроны) электропроводностью.

На участке раздела p и n -слоев, образуется электронно-дырочный переход (p - п переход). Это область, обедненная носителями зарядов. На ее границах появляется контактная разница потенциалов. Внешнее напряжение, в зависимости от полярности, может или открыть переход, или увеличить разницу потенциалов, препятствуя прохождению основных носителей зарядов.

Выпрямительные свойства полупроводникового диода и его вольтамперная характеристика связаны с процессами в p - п переходе при подключении внешнего напряжения.

Вольтамперная характеристика полупроводникового диода приведена на рис. 1, а. Прямой ток диода создается основными, а обратный – не основными носителями заряда.

Концентрация основных носителей заряда многократно превышает концентрацию неосновных носителей. Этим объясняются выпрямительные свойства диода.

Обозначение диода представлено на рис. 1, б. Диод открывается, если на анод (А) подать положительное напряжение, или на катод (К) – отрицательное. В электрических схемах обозначение «А», «К» не применяется.

Рис. 1 Полупроводниковый диод: а – вольт – амперная характеристика; б - обозначение

При больших обратных напряжениях увеличивается термогенерация носителей в p-n переходе, возрастает обратный ток, что ведет к повышению температуры и тепловому пробою перехода.

Процесс развивается лавинообразно, т.к. повышение температуры еще больше увеличивает обратный ток.

Прямой и обратный токи через диод можно определить из выражений:

где: U – напряжение источника питания;

U _ПР – напряжение на диоде в прямом направлении;

U _ОБР – напряжение на диоде в обратном направлении.

Схемы измерения I _ПР, U _ПР представлены на рисунках 2 и 3 соответственно. Изменив полярность питающего напряжения, можно измерить обратный ток.

Рис. 2 Схема измерения I _ПР Рис. 3 Схема измерения U _ПР

Для измерения можно воспользоваться методом амперметра – вольтметра (рис. 4).

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

Рис. 4 Измерение методом амперметра – вольтметра

Вольтамперную характеристику можно наблюдать непосредственно на экране осциллографа (схема: рис. 5, результат: рис. 6). Поскольку напряжение в вольтах на резисторе 1 Ом численно равно току через диод в амперах, по вертикальной оси можно непосредственно считывать значение тока (режим работы осциллографа B/A).

Рис. 5 Измерение вольтамперной характеристики диода

Рис. 6 Начальный участок вольтамперной характеристики диода

Пока напряжение, поданное на диод, не превысит значение U _ПР, диод находится в закрытом состоянии даже при положительном потенциале на его аноде.

Дата добавления: 2015-05-06