Ход работы

Построение вольтамперных характеристик транзистора в схеме с ОЭ Схемы включения транзистора с ОЭ представлены на рис. 5 (L 7_1. ewb) и рис. 6 (L 7_2. ewb).

Семейство входных ВАХ (L 7_1. ewb) снимается при фиксированных значениях U _КЭ, путем изменения тока I _Б, и измерения напряжения U _БЭ. Семейство выходных ВАХ (L 7_2. ewb) снимается при фиксированных значениях I _Б, путем изменения напряжения U _КЭ, и измерения I _К.

Входные статические характеристики транзистора снимать для трех значений U _КЭ, которые выбрать с помощью ключей (10В, 20В, 30В). Поддерживая это напряжение неизменным, изменять напряжение между базой и эмиттером U _БЭ (потенциометр R 1 от 0 до 100%), следить за показаниями амперметра и вольтметра: I_Б = ƒ(U_БЭ) при U_КЭ= const

Рис. 5 Исследование входных ВАХ биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

Рис. 6 Исследование выходных ВАХ биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

Построить статические вольтамперные характеристики (ВАХ) транзистора в схеме с ОЭ.

Задание 1. Определить семейство входных характеристик ВАХ при фиксированных значениях напряжения U _КЭ, путем изменения тока I _Б, и напряжения U _БЭ, (L 7_1. ewb).

Входные статические характеристики транзистора снимать для трех значений U _КЭ, которые выбрать с помощью ключей (10В, 20В, 30В). Поддерживая это напряжение неизменным, изменять напряжение между базой и эмиттером U _БЭ (потенциометр R 1 от 0 до 100%), следить за показаниями амперметра и вольтметра: I _Б = ƒ(U _БЭ) при U _КЭ = const

Используя результаты измерений построить входные статические характеристики транзистора в схеме с ОЭ (рис.1).

Рис. 1 Входная характеристика транзистора

В качестве примера, входные характеристики строятся автоматически (L 7_1_ vax.ewb) для разных значений напряжения U _КЭ.

Задание 2. Определить семейство выходных ВАХ при фиксированных значениях I _Б, путем изменения U _КЭ, и I _К, (L 7_2. ewb).

Выходные характеристики транзистора: I _К = ƒ(U _КЭ) при I _Б = const.

Значения I _Б установить с помощью ключей (50 мА, 100 мА, 150 мА). Поддерживая I _К постоянным, изменять U _КЭ (значение R 1 от 0 до 100%). Построить выходные статические характеристики транзистора в схеме с ОЭ (рис. 2).

В качестве примера, выходные характеристики строятся автоматически (L 7_2_ vax.ewb) для разных значений тока базы.

По выходным характеристикам определить значение коэффициента усиления по току:

β =h _21Э= F (в программе моделирования)

h _21Э =

Приращение тока D I _К определяется как разница между двумя ближайшими графическими характеристиками (рис. 2) на их линейном участке. Этим графикам соответствуют два значения тока I _Б, разница между ними есть приращение D I _Б.

Вывод:	Изм. Лист № докум. Подпись Дата Лист

Дата добавления: 2015-05-06