Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Билет №10 1 страница




Билет

Билет.

1.Основным признаком, выделяющим полупроводники как особый класс веществ, является сильное влияниетемпературы и концентрации примесей на их электрическую проводимость и сопротивление. Например, даже при сравнительно небольшом повышении температуры, сопротивление полупроводников резко падает (до 5-6% на 1ºС). Сопротивление металлов с ростом температуры увеличивается, но очень незначительно – изменение составляет примерно 0,2 …0,6% на 1ºС. Введение примеси в количестве 0,0000001 … 0,000000001% увеличивает проводимость полупроводника в тысячи раз, т.е. значительно уменьшает электрическое сопротивление.У большинства полупроводников сильное изменение электрической проводимости возникает также под действием: света, ионизирующих излучений, электрического поля, магнитного поля, механических напряжений (давление, растяжение, вибрации и т.д.) и других внешних воздействий. Таким образом, полупроводник – это вещество, удельная проводимость которого существенно зависит от внешних факторов.

Полупроводники представляют многочисленный класс веществ. К ним относятся:

а) простые полупроводниковые материалы – собственно химические элементы (12шт): кремний Si, германий Ge, селен Se, бор B, углерод C, сера S, мышьяк Аs, фосфор Р, сурьма Sb, серое олово α-Sn, теллур Te и йод I.

б) сложные полупроводниковые материалы – это химические соединения, обладающие полупроводниковыми свойствами и включающие в себя два, три и более химических элементов.

Применяемые в электронике простые полупроводники имеют кристаллическую структуру. Это означает, что по всему объему такого вещества атомы размещены в строго периодической последовательности на определенных постоянных расстояниях друг от друга, образуя так называемуюкристаллическую решетку.

p — n-перехо́д, или электронно-дырочный переход, — область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p.

Электронно-дырочный переход может быть создан различными путями:

в объёме одного и того же полупроводникового материала, легированного в одной части донорной примесью (n-область), а в другой — акцепторной (p-область);

на границе двух различных полупроводников с разными типами проводимости.

Если p — n-переход получают вплавлением примесей в монокристаллический полупроводник, то переход от n- к р-области происходит скачком (резкий переход). Если используется диффузия примесей, то образуется плавный переход.

Чтобы вывести зависимость величины тока через p — n-переход от внешнего смещающего напряжения V, мы должны рассмотреть отдельно электронные и дырочныетоки. В дальнейшем будем обозначать символом J плотность потока частиц, а символом j — плотность электрического тока; тогда je = −eJe, jh = eJh.

Вольт-амперная характеристика p — n-перехода. Is — ток насыщения, Uпр — напряжение пробоя.

При V = 0 как Je, так и Jh обращаются в нуль. Это означает, конечно, не отсутствие движения отдельных носителей через переход, а только то, что в обоих направлениях движутся равные количества электронов (или дырок). При V ≠ 0 баланс нарушается. Рассмотрим, например, дырочный ток через обеднённый слой. Он включает следующие две компоненты:

Ток генерации, то есть дырочный ток, текущий из n-области в p-область перехода. Как видно из названия, этот ток обусловлен дырками, генерируемыми непосредственно в n-области обеднённого слоя при тепловом возбуждении электронов с уровней валентной зоны. Хотя концентрация таких дырок (неосновных носителей) в n-области чрезвычайно мала по сравнению с концентрацией электронов (основных носителей), они играют важную роль в переносе тока через переход. Это происходит потому, что каждая дырка, попадающая в обеднённый слой, тут же перебрасывается в p-область под действием сильного электрического поля, которое имеется внутри слоя. В результате величина возникающего тока генерации не зависит от значения изменения потенциала в обеднённом слое, поскольку любая дырка, оказавшаяся в слое, перебрасывается из n-области в p-область.


Рис. 10.34. Схема двухтактного бестрансформаторного усилителя мощности

 

Первые два каскада на транзисторах VTI и VT2 являются усилителями напряжения. Режим работы первого каскада зависит от тока базы транзистора VT1, который устанавливается путем подбора резистора R4. Напряжение, усиленное транзистором VT1, с его коллектора поступает на вход (базу) второго усилителя, коллекторная нагрузка которого образована резистором R7 (сопротивления резистора R6 и динамической головки ВА малы по сравнению с сопротивлением резистора R7, и их можно не учитывать). Резисторы R3 и R5 обеспечивают температурную стабилизацию усилительных каскадов.

Двухтактный усилитель мощности выполнен на транзисторах VT3 и VT4. Его базы подключены к концам резистора R6, на котором за счет протекания коллекторного тока транзистора VT2 создается небольшое напряжение, смещающее эмиттерные переходы транзисторов VT3 и VT4 в прямом направлении и предотвращающее появление нелинейных искажений типа ступеньки. Принцип работы такого усилителя описан на с.. При поочередной работе транзисторов VT3 и VT4 под действием изменяющегося напряжения на базах их коллекторные токи протекают через обмотку динамической головки ВА, заставляя колебаться ее диффузор, что приводит к появлению звуковых колебаний.

Настройка УНЧ начинается с проверки напряжения на эмиттерах транзисторов VT3 и VT4. Оно должно составлять около половины напряжения источника питания GB1. Нужное значение напряжения устанавливают подбором резистора R7. После этого измеряют коллекторный ток транзистора VT3. Он должен быть равен 2+0,4 мА. Устанавливают ток в данных пределах подбором резистора R6. Затем определяют нужный режим транзистора VT3, при котором коллекторный ток должен составлять 0,5 ± 0,1 мА. Это достигается подбором резистора R4.

Триггер Шмитта - это компонент электронного устройства, функция которого является формирование постоянно изменяющегося сигнала на входе в серию прямоугольных импульсов на выходе. Применяется в аналого-цифровых преобразователях, фильтрах, линиях связи. Триггер Шмитта имеет свое отличие от других видов триггеров тем, что он имеет единственный вход и один выход и не имеет свойства памяти. Триггер Шмитта состоит из двух инверторов, имеющих положительно-обратную связь (ПОС), в результате чего состояние выхода триггера может меняться лавинообразно.

Триггер Шмитта это компаратор, имеющий ПОС. В данной схеме доля выходного электрического сигнала ОУ поступает на прямой вход и устанавливает уровень, при котором схема будет переключаться.

Принципиальная схема работы триггера Шмитта на ОУ изображена ниже.

ОУ подключен к двухполярному блоку питания на 5 вольт. На инверсный вход DA1 поступает синусоидный сигнал равный амплитуде 2 В. Сопротивления R1 и R2 имеют значения 25 кОм и 10 кОм. Напряжение на прямом выводе DA1 поступает с делителя напряжения построенного на резисторах R1 и R2, который подключен к выходу ОУ. Формула расчета для определения напряжения насыщения:

Uвх1 = +U*R2/(R1+R2) = 3,5*10/35 = 1 В

Uвх1 = -U*R2/(R1+R2) = -3,5*10/35 = -1 В

Когда на выходе ОУ напряжение с положительным потенциалом насыщения – на прямом входе напряжение равно 1 вольту. Предположим, входной электрический сигнал постепенно увеличивается с нуля. Пока потенциал входного сигнала не превышает напряжения на прямом входе – схема находится в стабильном состоянии. Чуть только входной электрический сигнал превзойдет величину в 1 вольт, напряжение на входе ОУ сменит свою полярность на отрицательное напряжение насыщения. Это поменяет напряжение на прямом входе ОУ, и оно будет равно -1 вольт.

Входной электрический сигнал постепенно будет увеличиваться до максимума, а затем начнет уменьшаться. После того как амплитуда сигнала на входе станет менее 1 вольта, то на выходе ОУ будет так же отрицательный потенциал насыщения. Как только сигнал на входе пройдет величину -1В, напряжение на выходе поменяется и будет равным положительному потенциалу насыщения.

2.Билет

1. p — n-переход можно рассматривать как плоский конденсатор, обкладками которого служат области n- и p-типа вне перехода, а изолятором является область объемного заряда, обеднённая носителями заряда и имеющая большое сопротивление. Такая ёмкость называется барьерной. Она зависит от внешнего приложенного напряжения, поскольку внешнее напряжение меняет пространственный заряд. Действительно, повышение потенциального барьера при обратном смещении означает увеличение разности потенциалов между n- и p-областями полупроводника, и, отсюда, увеличение их объёмных зарядов. Поскольку объёмные заряды неподвижны и связаны с ионами доноров и акцепторов, увеличение объёмного заряда может быть обусловлено только расширением его области и, следовательно, уменьшением электрической ёмкости перехода. В зависимости от площади перехода, концентрации легирующей примеси и обратного напряжения барьерная емкость может принимать значения от единиц до сотен пикофарад. Барьерная ёмкость проявляется при обратном напряжении; при прямом напряжении она шунтируется малым сопротивлением p — n-перехода. За счёт барьерной ёмкости работают варикапы.

Кроме барьерной ёмкости p — n-переход обладает так называемой диффузионной ёмкостью. Диффузионная ёмкость связана с процессами накопления и рассасывания неравновесного заряда в базе и характеризует инерционность движения неравновесных зарядов в области базы. Диффузионная ёмкость обусловлена тем, что увеличение напряжения на p — n-переходе приводит к увеличению концентрации основных и неосновных носителей, то есть к изменению заряда. Величина диффузионной ёмкости пропорциональна току через p — n-переход. При подаче прямого смещения значение диффузионной ёмкости может достигать десятков тысяч пикофарад.

Эквивалентная схема p — n-перехода. Cб — барьерная ёмкость, Cд — диффузионная ёмкость, Ra — дифференциальное сопротивление p — n-перехода, r — объёмное сопротивление базы.

Суммарная ёмкость p — n-перехода определяется суммой барьерной и диффузионной ёмкостей. Эквивалентная схема p — n-перехода на переменном токе представлена на рисунке. На эквивалентной схеме параллельно дифференциальному сопротивлению p — n-перехода Rа включены диффузионная ёмкость Cд и барьерная ёмкость Сб; последовательно с ними включено объёмное сопротивление базы r. С ростом частоты переменного напряжения, поданного на p — n-переход, емкостные свойства проявляются все сильнее, Rа шунтируется ёмкостным сопротивлением, и общее сопротивление p — n-перехода определяется объёмным сопротивлением базы. Таким образом, на высоких частотах p — n-переход теряет свои нелинейные свойства.

2. Операционный усилитель — усилитель постоянного тока с дифференциальным входом и, как правило, единственным выходом, имеющий высокий коэффициент усиления. ОУ почти всегда используются в схемах с глубокой отрицательной обратной связью, которая, благодаря высокому коэффициенту усиления ОУ, полностью определяет коэффициент передачи полученной схемы.

Пусть необходимо построить цепь на ОУ с требуемыми свойствами. Требуемые свойства заключаются прежде всего в заданном состоянии выхода (выходное напряжение, выходной ток и т. д.), которое, возможно, зависит от какого-либо входного воздействия. Для создания схемы нужно подключить к ОУ такую обратную связь, чтобы при требуемом выходном состоянии достигалось равенство напряжений на входах ОУ (инвертирующем и неинвертирующем), а обратная связь была бы отрицательной.

Таким образом, требуемое состояние системы будет устойчивым состоянием равновесия, и система будет в нем находиться неограниченно долго[6]. Пользуясь этим упрощённым подходом, несложно получить простейшую схему неинвертирующего усилителя.

От усилителя требуется наличие на выходе напряжения, отличающегося от входного в раз, т.е. . В соответствии с приведённой выше методикой подадим на неинвертирующий вход ОУ сам входной сигнал, а на инвертирующий — часть выходного сигнала с резистивного делителя.

 

Неинвертирующий усилитель

Расчёт реального коэффициента усиления для идеального (или реального, но который можно с определёнными допущениями считать идеальным) усилителя очень прост. Заметим, что в том случае, когда усилитель находится в состоянии равновесия, напряжения на его входах можно считать одинаковыми. Исходя из этого следует, что падение напряжения на резисторе равно , а на всём делителе сопротивлением , падает . Заметим, что, поскольку входное сопротивление операционного усилителя очень велико, то током, поступающим на инвертирующий (−) вход усилителя можно пренебречь, и ток, протекающий в цепи делителя можно считать постоянным. Ток через равен , а через весь делитель .

Таким образом:

Откуда:

Следует обратить внимание, что в неинвертирующей схеме включения коэффициент усиления напряжения всегда больше или равен 1, вне зависимости от номиналов используемых резисторов. Если сопротивление равно нулю, то мы получаем неинвертирующий повторитель напряжения имеющий коэффициент усиления напряжения 1, и в этом случае сопротивление не оказывает существенного влияния на работу схемы, поэтому его можно попросту убрать, приняв его равным бесконечности.

Можно рассуждать немного проще, сразу заметив, что .

Таким образом, коэффициент передачи усилителя, построенного на ОУ с достаточно большим усилением, практически зависит только от параметров обратной связи. Это полезное свойство позволяет проектировать системы с очень стабильным коэффициентом передачи, необходимые, например, при измерениях и обработке сигналов.

3. Логические ключи. На рис. 3.56 показан простейший тип логического переключателя на МОП - транзисторе. В обеих схемах в качестве нагрузки используется резистор и обе они осуществляют логическую функцию инвертирования - высокий логический уровень на входе создает низкий уровень на выходе, и наоборот. Вариант схемы на n- канальном транзисторе включает выход на землю при подаче на затвор высокого уровня, тогда как в p- канальном варианте на резисторе образуется высокий логический уровень при заземленном (низкий уровень) входе. Обратите внимание на то, что МОП - транзисторы в этих схемах используются как инверторы с общим истоком, а не как истоковые повторители. В цифровых логических схемах подобных представленным нас обычно интересует выходное напряжение («логический уровень»), продуцируемое некоторым входным напряжением; резистор служит просто пассивной нагрузкой в цепи стока, обеспечивая при запертом ПТ выходное напряжение, равное напряжению питания стока. С другой стороны, если мы заменим резистор осветительной лампочкой, реле, приводом печатающей головки или какой-то другой мощной нагрузкой, получим схему мощного переключателя (рис. 3.3). Хотя мы используем ту же самую схему «инвертора», однако при переключении мощной нагрузки нас интересует ее включение и выключение, а не напряжение выхода.

 

Рис. 3.56. Логические инверторы на n- канальном (а) и p- канальном (б) МОП - транзисторах.

 

3Билет

1. Пробой - это скачкообразное изменение тока, при неизменном напряжении. В зависимости от причин его вызвавших различают лавинный, туннельный и тепловой пробои. На рисунке пробой изображен на участке 1-2.

Лавинный пробой – возникает в широком электронно-дырочном переходе. Неосновные носители заряда, ускоряются большим обратным напряжением и приобретают значительную энергию, которой хватает, чтобы столкнувшись с атомами кристаллической решетки, оторвать валентные электроны. Электрон, уходя со своего места, создает дырку. И вновь созданные носители снова ускоряются полем и также отрывают другие электроны. Процесс происходит лавинообразно. Отсюда название пробоя.

Туннельный пробой возникает в узких p-n переходах. Под действием большой напряженности поля, валентные электроны отрываются от своих атомов, образую при этом дырку, и увеличивают обратный ток. Такой пробой возникает только в узких переходах, потому что в них при небольших значениях напряжения, возникает значительная напряженность электрического поля.

Выше были приведены электрические виды пробоя. А так как разрушения электронно-дырочного перехода при них не происходит, то эти процессы обратимые и используются, например в стабилитронах.

В отличие от электрических пробоев, тепловой пробой, процесс необратимый. При повышении температуры, термогенерация носителей увеличивается. Следовательно, увеличивается обратный ток, что в свою очередь вызывает еще больший нагрев перехода. В результате структура кристалла разрушается и переход расплавляется.

Барье́р Шо́ттки — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника: [1].

Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода металла и полупроводника были различными. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода , металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, так как электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно. Напротив, при сближении полупроводника p-типа с металлом, обладающим меньшей , металл заряжается положительно, а полупроводник — отрицательно. При установлении равновесия между металлом и полупроводником возникает контактная разность потенциалов:

, где — заряд электрона.

Из-за большой электропроводности металла электрическое поле в него не проникает, и разность потенциалов создается в приповерхностном слое полупроводника. Направление электрического поля в этом слое таково, что энергия основных носителей заряда в нем больше, чем в толще полупроводника. В результате в полупроводнике вблизи контакта с металлом при для полупроводника n-типа, или при для полупроводника p-типа возникает потенциальный барьер.

В реальных структурах металл-полупроводник соотношение не выполняется, так как на поверхности полупроводника или в тонкой диэлектрической прослойке, часто образующейся между металлом и полупроводником, обычно имеются поверхностные состояния.

Барьер Шоттки обладает выпрямляющими свойствами. Ток через него при наложении внешнего электрического поля создается почти целиком основными носителями заряда. Контакты металл — полупроводник с барьером Шоттки широко используются в сверхвысокочастотных детекторах, транзисторах и фотодиодах.[1]

2. Эмиттерный повторитель — частный случай повторителей напряжения на основе биполярного транзистора. Характеризуется высоким усилением по току и коэффициентом передачи по напряжению, близким к единице. При этом входное сопротивление относительно велико (однако оно меньше, чем входное сопротивление истокового повторителя), а выходное — мало.

В эмиттерном повторителе используется схема включения транзистора с общим коллектором (ОК). То есть напряжение питания подаётся на коллектор, входной сигнал подаётся на базу, а выходной сигнал снимается с эмиттера. В результате чего образуется 100 % отрицательная обратная связь по напряжению, что позволяет значительно уменьшить нелинейные искажения, возникающие при работе. Следует также отметить, что фазы входного и выходного сигнала совпадают. Такая схема включения используется для построения входных усилителей, в случае если выходное сопротивление источника велико, и как буферный усилитель, а также в качестве выходных каскадов усилителей мощности.

3.

 

Статический режим работы КМОП-ключа

Если входное напряжение равно нулю, то транзистор VT2 находится в состоянии отсечки. Напряжение затвора p-канального транзистора VT1 равно , напряжение , и он находится в линейном режиме. Таким образом, при выходное напряжение .

Эквивалентная схема КМОП-ключа, соответствующая случаю, когда входное напряжение имеет низкий уровень, показана на рис. 8.2.3, а. Транзистор VT2 эквивалентен разомкнутому идеальному ключу. Ненулевое сопротивление VT1 моделируется резистором . Его сопротивление

.

 

а б

Рис. 8.2.3

Если входное напряжение имеет высокий уровень , то транзистор VT2 находится в состоянии насыщения, а VT1 – отсечки, и выходное напряжение не превышает 10 мВ. Эквивалентная схема ключа для этого случая показана на рис. 8.2.3, б. Теперь транзистор VT1 эквивалентен разомкнутому ключу, а ненулевое сопротивление VT2 моделируется резистором , сопротивление которого

.

Транзисторы в схеме ключа рассчитывают так, чтобы они были согласованы, т. е. имели одинаковые (по модулю) пороговые напряжения и удельные проводимости:

,

.

Этим обеспечивается одинаковая нагрузочная способность ключа как в открытом, так и в закрытом состояниях. Поскольку приповерхностная подвижность дырок в 2–4 раза меньше подвижности электронов , для согласования ширину канала транзистора VТ1 выбирают в 2–4 раза большей, чем у VТ2. Длина каналов обоих транзисторов одинакова, а ширину выбирают так, чтобы выполнялось равенство

.

Перечислим основные свойства КМОП-ключа:

В обоих состояниях ключа один из транзисторов заперт, поэтому ток в цепи между источником и землей ничтожно мал, и в статическом режиме схема практически не потребляет мощность от источника питания.

В обоих статических состояниях выход схемы подключен к общей шине или источнику питания через небольшие сопротивления каналов открытых транзисторов. Поэтому выходное напряжение равно нулю или напряжению питания и почти не зависит от параметров транзисторов.

Разность выходных напряжений ключа в закрытом и открытом состояниях максимальна (близка к величине напряжения питания Е). Это обеспечивает высокую помехоустойчивость схемы.

КМОП-ключи обладают значительно большей нагрузочной способностью, чем ключи на биполярных транзисторах. Входное сопротивление КМОП-ключа бесконечно велико. Поэтому к его выходу можно подключить большое число аналогичных ключей. При этом уровень выходного напряжения практически не изменится. Однако каждый дополнительный ключ увеличивает емкость нагрузки, что приводит к замедлению переключения.

 

Динамический режим работы КМОП-ключа

Переходные процессы в МОП-ключах обусловлены в основном перезарядом емкостей, входящих в состав нагрузки. Типичные значения суммарной емкости у ключей, использующих транзисторы с длиной канала менее 1 мкм, не превышают 1 пФ.

Заряд емкости происходит через открытый транзистор VT1 при закрытом VT2, а разряд – через VT2 при закрытом VT1. Если транзисторы согласованы, т. е. их удельные проводимости одинаковы, длительность переходных процессов в обоих случаях примерно равна.
Время переключения схемы из состояния логической единицы в состояние логического нуля определяют с помощью приближенного равенства

. (8.2.1)

Полученное выражение является приближенным. Его значение состоит в первую очередь в том, что оно позволяет оценивать влияние параметров цепи на время переключения. Если транзисторы в схеме ключа согласованы, то время переключения из состояния логического нуля в состояние логической единицы также определяется формулой (8.2.1).
Из (8.2.1) следует, что для уменьшения времени переключения необходимо уменьшить суммарную емкость и увеличить напряжение питания . Однако при увеличении растет и мощность, потребляемая ключом. Поэтому главный путь увеличения быстродействия – уменьшение емкости .
КМОП-ключ является практически идеальным логическим инвертором. Быстродействие комплементарного ключа оказывается значительно выше, чем у других типов ключей. Совершенствование технологии производства КМОП-интегральных схем привело к тому, что в настоящее время они стали доминирующими при производстве цифровых схем не только высокой, но и средней степени интеграции.
Другое важное свойство комплементарного ключа заключается в очень малом потреблении энергии от источника питания в статическом режиме. Динамические потери, т. е. мощность, рассеиваемая КМОП-инвертором при тактовой частоте , определяются формулой

.

Из последнего равенства следует, что для уменьшения динамических потерь необходимо уменьшать емкость нагрузки и напряжение питания схемы. Однако уменьшение напряжения приводит к снижению быстродействия. Поэтому главным путем повышения быстродействия и снижения потерь является уменьшение емкостей транзисторов и нагрузки.

 

Экзаменационный билет 4

1.

Полупроводниковый диод — это полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и двумя выводами, в котором используется то или иное свойство электрического перехода (незначительная коррекция данного определения может понадобиться лишь для очень узкого круга приборов, например, для некоторых диодов СВЧ и прецизионных стабилитронов).

К противоположным областям выпрямляющего электрического перехода привариваются или припаиваются металлические выводы, и вся система заключается в металлический, металлокерамический, стеклянный или пластмассовый корпус. Область полупроводникового кристалла диода, имеющая более высокую концентрацию примесей (следовательно, и основных носителей заряда), называется эмиттером, а другая, с меньшей концентрацией, — базой. По аналогии с электровакуумными диодами, ту сторону диода, к которой при прямом включении подключается отрицательный полюс источника питания, часто называют катодом, а другую — анодом.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 1566; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.