Справочные данные диодов и транзисторов

5.2.1 Эксплуатационные данные стабилитронов.

Таблица 2.

Тип стабилитрона	U СТ В	I min мA	I max мA	P ДОП мВт	ξ %/^оС	rД Ом
КС107А	0,7				– 0,082
КС130А	3,0				– 0,07
КС131А	3,1				– 0,067
КС135А	3,5				– 0,065
КС138А	3,8				– 0,062
КС140А	4,0				– 0,06

Таблица 2. Продолжение.

КС142Б	4,2				– 0,05
КС147А	4,7				– 0,02
КС156Б	5,6				+ 0,02
КС168Б	6,8				+ 0,03
КС170А					0,05
2С190Б					0,065
КС210А					0,075
КС210В					0,078
КС212В					0,080
КС213Б					0,085
КС213Г					0,088

5.2.2 Транзисторы малой мощности германиевые и кремниевые p-n-p-типа

Таблица 3.

№	Тип транзистора	I K мА	U KЭ В	В	Р К мВт	Тип транзистора	I K мА	U KЭ В	В	Р К мВт
	ГТ108Б					КТ104Б
	ГТ115Б					КТ104Г
	ГТ305А					КТ203Г
	ГТ305В					КТ203В
	ГТ308А					КТ343А
	ГТ308В					КТ343В
	ГТ309А					КТ349А
	ГТ310Б					КТ349Б
	ГТ320А					КТ351Б

5.2.3 Транзисторы средней мощности германиевые и кремниевые.

Таблица 4.

№	Тип транзистора	I K мА	U KЭ В	В	Р К Вт	Тип транзистора	I K мА	U KЭ В	В	Р К Вт
	ГТ404А				1,6	КТ603Б				1,5
	ГТ404Б				1,6	КТ604				1,4
	ГТ404Г				1,5	КТ605				1,5
	ГТ612А				1,4	КТ608Б				1,5
	ГТ612Б				1,8	КТ616Б				1,3
	ГТ612Г				1,9	КТ617А				1,5
	ГТ614А				1,1	КТ611В				1,8
	ГТ614В				1,0	КТ618А				1,5
	ГТ618А				1,2	КТ503Б				1,5

5.2.6 Тиристоры управляемые.

Таблица 5.

№	Тип диода	I А мА	U А В	I УПР мА	Р А Вт
	КУ101В				0,15
	КУ101Г				0,2
	КУ103А				0,15
	КУ103В				0,2
	КУ201А
	КУ201Б
	КУ201Д
	КУ201Г

5.2.7 Светоизлучающие диоды.

Таблица 6.

	Тип диода	I ПР мА	U ОБР В	U ПР B	Цвет свечения
	АЛ102A			3,2	Красный
	АЛ102Б			4,5	Красный
	АЛ102В			4,5	Красный
	АЛ301Б			3,8	Красный
	3Л102Б			3,8	Красный
	АЛ304В				Зеленый
	КЛ101A			5,5	Желтый
	КЛ101Б			5,5	Желтый

5.3 Вольт-амперные характеристики транзисторов средней мощности Р _Кдоп<3 Вт.

5.3.1 Вольт-амперные характеристики кремниевых транзисторов.

I _К мА

1,5

U_БЭ , В

2,0

1,0

0,5

0,7

0,8

U_КЭ=5 В

U_КЭ, В

ΔI_Б= 0,4 мА

Входная и выходная характеристики транзистора КТ604

0,9

I _Б = 1,8 мА

2,2

1,4

1,0

I _Б, мА

1,2

I _Б , мА

U _БЭ , В

1,6

0,8

0,4

0,7

0,8

U_КЭ=5 В

I _К, мА

U _КЭ, В

0,9

I _Б = 1,6 мА

2,0

1,2

0,8

Входная и выходная характеристики транзистора КТ605

1,2

I _Б мА

U _БЭ , В

1,6

0,8

0,4

0,7

0,8

U_КЭ=5 В

I _К мА

U _КЭ, В

0,9

I _Б = 1,0 мА

1,2

0,8

0,6

Входная и выходная характеристики транзистора КТ618А

1,5

I _Б мА

U _БЭ , В

2,0

1,0

0,5

0,7

0,8

U_КЭ=5 В

I _К мА

U _КЭ, В

0,9

I _Б = 1,2 мА

1,5

0,9

0,6

Входная и выходная характеристики транзистора КТ503Б

2,4

I _Б мА

U _БЭ , В

3,0

1,6

0,8

0,7

0,8

U_КЭ=5 В

I _К мА

U _КЭ, В

0,9

I _Б = 2,1 мА

2,8

1,4

0,7

3,5

Входная и выходная характеристики транзистора КТ616Б

1,8

I _Б мА

U _БЭ , В

2,4

1,2

0,6

0,7

0,8

U_КЭ=10 В

I _К мА

U _КЭ, В

0,9

I _Б = 1,8 мА

2,4

1,2

0,6

3,0

Входная и выходная характеристики транзистора КТ603Б

2,4

I _Б мА

U _БЭ , В

3,0

1,6

0,8

0,7

0,8

U_КЭ=10 В

I _К мА

U _КЭ, В

0,9

I _Б = 1,8 мА

2,4

1,2

0,6

3,0

Входная и выходная характеристики транзистора КТ617А

2,4

I _Б мА

U _БЭ , В

3,0

1,6

0,8

0,7

0,8

U_КЭ=10 В

I _К мА

U _КЭ, В

0,9

I _Б = 2,2 мА

3,0

1,4

0,6

3,8

Входная и выходная характеристики транзистора КТ630Б

5.3.2 Входные характеристики германиевых транзисторов средней
мощности типа n-р-n.

1,8

I _БмА

2,4

1,2

0,6

0,1

0,2

U_КЭ=5 В

0,3

U_БЭВ

1,2

I _БмА

1,6

0,8

0,4

0,1

0,2

U_КЭ=5 В

0,3

U_БЭВ

0,9

I _БмА

1,2

0,6

0,3

0,1

0,2

U_КЭ=5 В

0,3

U_БЭВ

ГТ403А

П602И

ГТ403Б

1,5

I _Б мА

U_БЭ , В

2,0

1,0

0,5

0,1

0,2

U_КЭ=5 В

0,3

1,5

I _Б мА

2,0

1,0

0,5

0,1

0,2

U_КЭ=5 В

0,3

2,4

I _Б мА

U_БЭВ

3,2

1,6

0,8

0,1

0,2

U_КЭ=5 В

ГТ402Д

ГТ601А

U_БЭ , В

0,3

ГТ402И

2,4

I _БмА

3,2

1,6

0,8

0,1

0,2

U_КЭ=5 В

0,3

U_БЭВ

1,5

I _БмА

2,0

1,0

0,5

0,1

0,2

U_КЭ=5 В

0,3

U_БЭВ

1,8

I _БмА

2,4

1,2

0,6

0,1

0,2

U_КЭ=5 В

0,3

U_БЭВ

ГТ403И

П602Б

П605А

Литература

Основная:

1. Лачин В. И. Электроника: учеб.пособие /В. И.Лачин, Н. С. Савёлов.- Ростов-на-Дону: изд-во "Феникс"2007.

2. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника и микропроцессорная техника: Учеб.пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 2002. 622 с.

3. Воробьёв Н. И. Проектирование электронных устройств: Учеб.пособие для вузов. М.: Высш. шк., 1989. 223 с.

4. Шустов М.А. Практическая схемотехника. Источники питания и стабилизаторы. – М.: Издательский дом «Додэка – ХХI», «Альтекс», 2007. 87 с.

5. Березин О.К., Костиков В.Г., Шахнов В.А. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры. – М.:Энергоатомиздат. 1985. 212 с.

Справочная:

6. Матвиенко В.А. Характеристики и параметры полупроводниковых приборов. Учеб. пособие. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2007.

7. Молокова Г.Ф. Основные требования к оформлению дипломного проекта: Методические указания. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО
«СибГУТИ», 2005. 48 с.

8. Паутов В.И. Стабилизатор напряжения. Учеб. пособие. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2011. 45 с.

9. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: Справочник / А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь1996.

10. Транзисторы для аппаратуры широкого применения; Справочник/ К.М.Брежнева, Е.И. Гантман, Т.И.Давыдова и др. Под ред. Б.Л. Перельмана. М.: Радио и связь.1981. 512 с.

11. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник / А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1989. 640 с.

12. Усатенко С. Т., Каченюк Т. К., Терехова М. В. Выполнение электрических схем по ЕСКД: Справочник. М.: Издательство стандартов, 1989. 325 с.

13. Справочник по элементам радиоэлектронных устройств/ Под ред. В.Н. Дулина и др. М.: Энергия, 1977. 210 с.

14. Отечественные стабилитроны. http://www.chipinfo.ru/dsheets/diodes/stablp.html

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1

Ряды номинальных сопротивлений резисторов и ёмкостей конденсаторов по гост 28884–90 (МЭК 63–63)

Номинальные сопротивления резисторов и ёмкостей конденсаторов постоянной ёмкости с допускаемыми отклонениями ±5% и более должны соответствовать числам, приведённым в таблице, и числам, полученным путём умножения этих чисел на 10 ⁿ, где n – целое положительное или отрицательное число.

Обозначение рядов
Е24	Е12	Е24	Е12
Допуск ±5%	Допуск ±10%	Допуск ±5%	Допуск ±10%
1,0	1,0	3,3	3,3
1,1	3,6
1,2	1,2	3,9	3,9
1,3	4,3
1,5	1,5	4,7	4,7
1,6	5,1
1,8	1,8	5,6	5,6
2,0	6,2
2,2	2,2	6,8	6,8
2,4	7,5
2,7	2,7	8,2	8,2
3,0	9,1

Номинал 1,2. Это может быть 12 Ом, 120 Ом, 1,2 кОм и т.д.

Постоянные резисторы общего назначения могут работать в цепях постоянного и переменного токов. Наиболее распространены резисторы типа МЛТ (металлизированные лакированные теплостойкие). Их новое обозначение – резисторы С2-6. Маркировка резисторов – МЛТ-0,5 ±5%. Здесь 0,5 – допустимая мощность рассеивания в ваттах, ±5% –максимально допустимое отклонение от номинального параметра (ряд Е24). Ту же конструктивную форму и габариты имеют резисторы С2-6, МT, МТЕ, С2-23. Резисторы МТЕ имеют повышенную теплостойкость, а С2-23 - более жесткий допуск на величину сопротивления.

Приложение2

Пример оформления титульного листа

Федеральное агентство связи

ФГОБУ ВПО «СибГУТИ» УрТИСИ

Кафедра общепрофессиональных дисциплин технических специальностей

Дата добавления: 2015-05-06