Полевые транзисторы. Схема замещения или эквивалентная схема транзистора

Схема замещения или эквивалентная схема транзистора.

В режиме малого сигнала транзистор можно рассмотреть как активный линейный четырехполюсник.

Схемой замещения (эквивалентной схемой) называется электрическая схема, в которой входные и выходные токи и напряжения связаны с помощью специальных параметров те ми же зависимостями, что и у замещающегося элемента.

эквивалентная схема

транзистора

Физический смысл h – параметров

[Ом] – входное сопротивление транзистора

[б/р] – коэффициент внутренней обратной связи по напряжению

[б/р] – коэффициент усиления транзистора по току

[Ом^-1] или [Си] – выходная проводимость транзистора

h – параметры, зависят от схемы включения транзистора, поэтому к индексам в обозначениях добавляется соответствующая буква: Б, Э, К.

(h параметры указываются в справочнике)

Упрощенная схема с общим эмиттером.

В виду малости в инженерных расчетах не учитывается.

Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, в котором поток основных носителей зарядов через проводящий канал управляется поперечным электрическим полем.

Электрод (вывод), через который втекают носители заряда, называется истоком. А электрод, через который они вытекают, называется стоком. Электрод для регулирования проводимости канала, называется затвором. Полевые транзисторы являются униполярными. В зависимости от типа электропроводимости могут быть полевые транзисторы с p или n каналами. По технологии изготовления и принципу действия полевые транзисторы разделяются на два основных вида.

ü с управляющим p-n- переходом

ü с изолированным затвором (МДП – металл диэлектрик полупроводник, МОП – металл окисел полупроводник)

Условное обозначение полевого транзистора:

Ø с управляющим p-n- переходом

канал n – типа канал p – типа

Ø с изолированным затвором

канал n – типа канал p – типа

Дата добавления: 2015-05-06