Мультивибратор в режиме ожидания

Такое устройство обладает одним устойчивым состоянием и переходит в другое только при подаче входного сигнала. При этом мультивибратор формирует импульс "своей" длительности независимо от длительности входного

Рис. 18. Схема транзисторного ключа (а) и выходная ВАХ транзистора
для схемы включения с общим эмиттером (б)

Нагрузочная прямая, соответствующая выбранному значению сопротивления RН, отсекает на оси абсцисс напряжение Uп, а на оси ординат – ток, равный Uп/Rн. Пересечение Uкб = 0 с нагрузочной прямой дают точку границы режима насыщения (точка Нс). Пересечение кривой iБ = 0 с нагрузочной прямой дают точку границы режима отсечки (точка От рис. 18, б).

Для работы в ключевом режиме рабочая точка транзисторного каскада должна находиться либо левее точки Нс (режим насыщения), либо правее точки От (режим отсечки). Нахождение между точками Нс и От допускается только при переключении транзистора из насыщенного состояния в состояние отсечки, и наоборот. Длительность нахождения транзистора в состоянии в этой области для реального Эк зависит от собственных частотных свойств транзистора. Поэтому это свойство определяет быстродействие и зависит от мощности, выделяющейся в ЭК, которая прямо пропорциональна времени нахождения рабочей точки транзистора в интервале Нс – От.

Ток базы в режиме насыщения равен сумме двух токов – току коллектора и току эмиттера прямо смещенных переходов.

Iб нас > Iк/h21Э = IБ ГР.

Превышение базового тока насыщенного транзистора над его граничным значением характеризуется коэффициентом насыщения:

q = Iб нас / IБ ГР.

Помехоустойчивость транзисторного ключа тем больше, чем выше коэффициент насыщения.
Значение обычно выбирают в диапазоне 1,5 … 2,0.

Дата добавления: 2015-05-06