Пассивные фильтры используют только энергию фильтруемого сигнала, активные - используют дополнительно подведенную энергию

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА

Ответственный за выпуск С.С. Борисова

Корректор Т.Н. Липская

Оригинал-макет Л.И. Федула

Технический редактор Н.В. Ропот

Подписано в печать12.12.2011. Формат 60х90 1/16. Бумага офсетная. Гарнитура Times New Roman. Ризография. Усл. печ. л.3,0

Тираж 150 экз. Заказ 20

Издатель и полиграфическое исполнение:

учреждения образования
«Мозырский государственный педагогический университет
имени И.П. Шамякина»

ЛИ № 02330/0549479 от 14 мая 2009 г.

247760, Мозырь, Гомельская обл., ул. Студенческая, 28

Тел. [phone]

16. Электрические схемы включения фильтров.

Рассмотрим схему простейшего низкочастотного фильтра, представленную на рис. 1,а.

Схема простейшего высокочастотного фильтра приведена на рис. 3,а.

17. Микропроцессоры и микро ЭВМ используемые для управления технологическими процессами.

18. Инверторы и их особенности.

19. Элементная база инверторов.

В состав инверторов входят диодные элементы, установленные для снижения высоких напряжений на зажимах тиристора, возникающих в момент переключения ключа и связанные с собственными индуктивностями элементов составных частей. Таким образом инверторные схемы сопровождаются полупроводниковыми диодами, подключенными в противофазе к основновным элементам системы инвертирования. Также входят шунтирующие ёмкости, включаемые параллельно сопротивлению нагрузки, работающие в режиме резонанса токов, и их ёмкостное сопротивление определяется из условия резонанса токов для рассматриваемой схемы инвертирования.

В системах автономных системах инвертирования управляющие электроды остаются неприсоединёнными.

20. Типы инверторов по преобразованию входных величин.

21. Классификация инверторов по принципам работы.

22. Принципиальные схемы преобразования электрических величин.

23. Архитектура микропроцессоров.

24. Стабилизаторы напряжения.

25. Понятие о больших интегральных схемах.

26. Структурная схема микропроцессорных систем.

27. Отличительные особенности архитектуры однокристальных микропроцессоров.

Отличительные особенности архитектуры однокристальных микроконтроллеров:

• физическое и логическое разделение памяти команд и памяти данных (гарвардская архитектура), в то время как в классической неймановской архитектуре программы и данные находятся в общем запоминающем устройстве и имеют одинаковый механизм доступа;
• упрощенная и ориентированная на задачи управления система команд: в МК, как правило, отсутствуют средства обработки данных с плавающей точкой, но в то же время в систему команд входят команды, ориентированные на эффективную работу с датчиками и исполнительными устройствами, например, команды обработки битовой информации;
• простейшие режимы адресации операндов.

28. Электронная теория проводимости.

Смысл электронной теории проводимости сводится к тому, что каждый атом металла отдает валентный электрон из внешней оболочки, и эти свободные электроны растекаются по металлу, образуя некое подобие отрицательно заряженного газа. Атомы металла при этом объединены в трехмерную кристаллическую решетку, которая практически не препятствует перемещению свободных электронов внутри нее. Как только к проводнику прикладывается электрическая разность потенциалов (например, посредством замыкания на два его конца двух полюсов аккумуляторной батареи), свободные электроны приходят в упорядоченное движение. Сначала они движутся равноускоренно, но длится это недолго, поскольку очень скоро электроны перестают ускоряться, сталкиваясь с атомами решетки, которые, в свою очередь, от этого начинают колебаться всё с большей амплитудой относительно условной точки покоя, и мы наблюдаем термоэлектрический эффект разогревания проводника.

На электроны же эти столкновения оказывают затормаживающее воздействие, аналогично тому, как, допустим, человеку тяжело с достаточно большой скоростью передвигаться в плотной людской толпе. В результате скорость электронов устанавливается на некоей усредненной отметке, которая называется скоростью миграции, и скорость эта, на самом деле, отнюдь не высока. Например, в обычной бытовой электропроводке средняя скорость миграции электронов составляет всего несколько миллиметров в секунду, то есть, электроны отнюдь не летят по проводам, а скорее ползут по ним темпами, достойными разве что улитки. Свет же в лампочке зажигается практически моментально лишь потому, что с места все эти медлительные электроны трогаются одновременно, как только вы нажимаете на кнопку выключателя, и электроны в спирали лампочки также приходят в движение сразу же. То есть, нажимая на кнопку выключателя, вы производите в проводах эффект, аналогичный тому, как если бы включили насос, подсоединенный к поливочному шлангу, до отказа заполненному водой, — струя на противоположном от насоса конце хлынет из шланга незамедлительно

29. Принцип работы 2-х электродной лампы.

30. Составление однополупериодной схемы выпрямителя на полупроводниковом диоде и представление характеристик до и после выпрямления.

31. Особенности сглаживания выпрямленных переменных кривых.

32. Конструкция полупроводниковых диодов и их особенности.

Полупроводниковым диодом называют прибор с двумя выводами содержащий один электронно-дырочный р–n -переход.

Диоды Шоттки- полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении.

СВЧ-диоды- полупроводниковый диод, предназначенный для работы в сантиметровом диапазоне волн. Диод содержит между двумя сильно легированными областями высокой проводимости n+ и p+ активную базовую i-область с низкой проводимостью и большим временем жизни носителей заряда, то есть p-i-n-переход. Это позволяет снизить его емкость и повысить частоту работы элемента.

Стабилитроны- плоскостной кремниевый полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя[1]. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко[1]. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом[1]. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов

Стабисторы

Варикапы

Светодиоды- полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока. Излучаемый свет лежит в узком диапазоне спектра.

Фотодиоды

Pin диод

Лавинный диод

Лавинно-пролётный диод

Диод Ганна

Туннельные диоды

Обращённые диоды

33. Типы проводимости и их особенности.

p-n, n-p, p-n-p,

n-p

p – n – p

n-p-n

34. Составление двухполупериодной схемы выпрямителя на полупроводниковых диодах с нулевой точной и представление характеристик до и после выпрямления.

35. Роль сетки в 3-х электродных лампах.

Для усиления мощности электронных ламп у 2-х электродных ламп был добавлен дополнительный элемент, который называется – сетка и в зависимости от потенциала который подаётся на сетку стало возможно регулировать поток электронов между анодом и катодом. Такие электронные лампы стали использовать в качестве усилителей в электрических маломощных цепях.

36. Сравнительная оценка электродных ламп и полупроводниковых элементов.

37. Составление двухполупериодной мостовой схемы выпрямления на полупроводниковых диодах и представление характеристик до и после выпрямления.

38. Транзисторы их конструктивные особенности.

39. Сравнение составных элементов транзисторов с 3-х электродными лампами.

40. Схемы инверторов и их особенности и представление характеристик до и после инвертирования.

41. Особенности n-p проводимости.

42. Вольт-Амперная характеристика полупроводниковых диодов и её особенности.

43. Составление трехфазной схемы выпрямления на полупроводниковых диодах и представление характеристик до и после преобразования.

44. Особенности p-n проводимости.

45. Вольт-Амперные характеристики полупроводниковых транзисторов и их особенности.

46. Составление трехфазной схемы выпрямления на полупроводниковых диодах и представление характеристик до и после выпрямления.

47. Создание и особенности p-n-p проводимости.

В биполярном транзисторе носители заряда движутся от эмиттера через тонкую базу к коллектору. База отделена от эмиттера и коллектора pn переходами. Ток протекает через транзистор лишь тогда, когда носители заряда инжектируются из эмиттера в базу через pn переход. В базе они являются неосновными носителями заряда и легко проникают через другой pn переход между базой и коллектором, ускоряясь при этом. В самой базе носители заряда движутся за счет диффузионного механизма, поэтому база должна быть достаточно тонкой. Управления током между эмиттером и коллектором осуществляется изменением напряжения между базой и эмиттером, от которой зависят условия инжекции носителей заряда в базу.

48. Вольт-Амперные характеристики полупроводниковых транзисторов и из особенности.

49. Составление схемы инверторов и принцип их работы, особенности.

50. Представление Вольт-Амперных характеристик до и после инвертора.

51. Создание и особенности n-p-n проводимости.

n-p-n структура «обратной проводимости».

В биполярном транзисторе носители заряда движутся от эмиттера через тонкую базу к коллектору. База отделена от эмиттера и коллектора pn переходами. Ток протекает через транзистор лишь тогда, когда носители заряда инжектируются из эмиттера в базу через pn переход. В базе они являются неосновными носителями заряда и легко проникают через другой pn переход между базой и коллектором, ускоряясь при этом. В самой базе носители заряда движутся за счет диффузионного механизма, поэтому база должна быть достаточно тонкой. Управления током между эмиттером и коллектором осуществляется изменением напряжения между базой и эмиттером, от которой зависят условия инжекции носителей заряда в базу.

52. Вольт-Амперные характеристики полупроводниковых диодов и их особенности.

53. Составление двухполупериодной мостовой схемы выпрямления на полупроводниковых диодах и представление характеристики до и после выпрямления.

54. Типы стабилизаторов их особенности, назначение. Напряжение стабилизации.

55. Составить схему компенсационного стабилизатора напряжения.

56. Регулируемые источники тока(питания), принципиальная электрическая схема.

Регулируемый источник питания на ток до 1 А

57. Принципиальная схема регулируемого источника питания с защитой от перегрузок и коротких замыканий.

Блок питания с плавной регулировкой выходного напряжения

Дата добавления: 2015-05-06