КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Расчет усилителя мощности
Усилитель мощности служит для усиления сигнала по мощности. В генераторе сигналов специальной формы используется следующий УМ (принципиальная схема УМ показана на рисунке ниже): Входной каскад реализован на ДК, выходной сигнал которого передается на предварительный усилитель VT4. Выходной каскад выполнен по схеме двухтактного эмиттерного повторителя. VT5 и VT6 работают в режиме АВ. Для увеличения стабильности работы УМ введена ООС по напряжению (R35). Расчет по постоянной составляющей. Пусть ток покоя выходного каскада VT5 и VT6 равен 60мА. Тогда для задания режима АВ сопротивления R36, R37 выберем из условия: Iвых п=0.6/R37=60 мА R37=R36=10Ом Ток покоя предварительного усилителя VT4 (КТ 316) примем равным IVT4 П=10мА. VD3,VD4,VD5 служат для создания падения напряжения между входами (базовыми) VT5 и VT6. В качестве диодов выберем КД 503 А. Учитывая, что схема запитывается напряжением + 35В, выберем R38 из условия: Падение напряжения на R38 равно UR38=-UП+(UR37+U*), где U* - падение напряжения на эмиттерном переходе VT6 равно U*=0.6В для КТ 819 А. UR38=-35+1,2=-33,8В; R38=UR38/IVT4 П=33,8/10мА=3,38кОм. VT5 выберем КТ 818 А Ток покоя через VT2 равен 1мА. R32 задает режим VT4, следовательно, падение напряжения на R32=0,6В. отсюда R32=0,6В/1мА=0,6кОм VT2 выберем 1159 НТ1Б. Ток покоя через VT3=2*IVT2 П=2мА. VT3 выберем КТ 639 Б. IБ VT3= IК VT3/b= I VT3 П/b={при b=250 для КТ 639 Б }=0,04 I VT3 П UБ VT3=1+0.6=1.6В IДЕЛ=35/(R33’+R33’’) IR33’=1.6В/R33’ IДЕЛ=1мА R33’=1.6/1мА=1,6кОм R33’’=(35-IДЕЛ*R33’)/IДЕЛ=33,4кОм R34=34/ I VT3 П=34/2мА=17кОм UБ VT2=-35+34,6=-0,4В IБ VT2 П= I VT2 П/b={ при b=250 для 1159НТ 1Б }=0,004мА IR30=10мА UБ VT2=-0.4В R30=0.4/1мА=40Ом R31=(35-0,4)/10мА=3,46кОм
Расчет по переменной составляющей. Коэффициент усиления УМ по напряжению без учета ООС. KU=K1*K2*K3 K1=RK~/RЭ~ - Коэффициент усиления ДК RK~=R32ôôbrЭVT4 rЭVT4=jt/(IЭ)VT4=2.6Ом RK~=(600*250*2*6)/(600+250*2*6)=312 K1=312/52=6 K2= RK~/RЭ~=rВХ VT5½½ rВХ VT6½½R38/ rЭVT4 - к.у.VT4
rВХ VT5= rВХ VT6=b rЭVT5=40*26/60=17.3 RK~= rВХ VT5*R38/(rВХ VT5+2*R38)=8.62Ом RЭ~= rЭVT4=jt/IVT4 П=26/10=2,6Ом K2=6.65*R38/(17.3+2*R38)=3.31 K3=1 так как эмитерный повторитель KU=K1*K2*K3=6*3,31*1@20 С учетом ООС по коэффици енту усиления УМ K= KU/(1+ KU* KOC) KOC=R35’/(R35’+R35’’) Т.к. необходимо К выбрать равным 10, то R35’/(R35’+R35’’)= (KU-10)/10* KU или R35’+R35’’= R35’*10* KU/ (KU-10) Приняв R35’=10кОм R35’’= R35’*10* KU/ (KU-10)- R35’=190кОм KOC=R35’/(R35’+R35’’)=0,05 K= KU/(1+ KU* KOC)=10 Заключение.
В данном курсовом проекте был спроектирован генератор специальной формы. При этом были получены навыки проектирования электронных схем, изучены соответствующие методики и принципы их построения. В данной работе за счет упрощения структуры генератора сигнала специальной формы повышается надежность схемы, т.к. чем больше функциональных элементов, тем система более уязвимая по отношению к различного рода воздействиям. Спроектированная схема может использоваться в качестве учебного пособия для студентов, изучающих принципы построения сигналов специальной формы. Список литературы. 1. П. Хоровиц, У. Хилл. Искусство схемотехники.–М.: Мир, 1993. 2. У. Титце, К. Шенк. Полупроводниковая схемотехника.–М.: Мир, 1986. 3. Интегральные микросхемы. – М.: Радио и связь,1990. 4. Аналоговые интегральные микросхемы. – М.: Изд-во МЭИ,1993. 5. Н. И. Воробьев. Проектирование электронных устройств.–М.: Высшая школа, 1989. 6. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. – М.:Энергоиздат,1998. 7. Ю. С. Забродин. Промышленная электроника.–М.: Высшая школа, 1982. 8. Полупроводниковые приборы. – Минск: Беларусь, 1987.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 684; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |