Выполнение работы

РАСЧЁТНО-ГРАФИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ

ПРОТОКОЛ ИСПЫТАНИЙ

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Основы промышленной электроники /Под ред. В.Г. Герасимова – М.: Высшая школа, 1986. – с. 243-250

2. Лабораторные работы по основам промышленной электроники /Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Высшая школа, 1977. – С. 87-89.

Приложение

к лабораторной работе №11а «Исследование

стабилизаторов постоянного напряжения»

1.

Исследование параметрического стабилизатора

1.1 Снятие зависимости U_ВЫХ = f (U_ВХ) при I_H = 0

Таблица 1

UВХ, В
UВЫХ, В

1.2 Снятие внешней характеристики U_ВЫХ = f (I_H) при U_ВХ =

Таблица 2

IН, А
UВЫХ, В

2.

Исследование компенсационного стабилизатора

2.1 Снятие зависимости U_ВЫХ = f (U_ВХ) при I_H = 0

Таблица 3

UВХ, В
UВЫХ, В

2.2 Снятие внешней характеристики U_ВЫХ = f (I_H) при U_ВХ =

Таблица 4

IН, А
UВЫХ, В

Зависимости U_ВЫХ = f (U_ВХ) Внешние характеристики U_ВЫХ = f (I_H)

U_ВЫХ, В U_ВЫХ, В

Рис. 8 U_ВХ, B Рис. 9 I_H, A

Показатели качества	КСТ	RВЫХ, Ом
Параметрический стабилизатор
Компенсационный стабилизатор

Расчётные формулы:

Краткие выводы по работе:

Группа ____________ Студент ____________________ Дата __________

Преподаватель __________________

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ПРОЦЕССОВ ХИМИКО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ СТАЛИ

Химико-термической обработкой называют поверхностное насыщение ста­ли соответствующим элементом (например, углеродом, азотом, алюми­нием, хромом и др.) путем его диффузии в атомарном состоянии из внеш­ней среды при высокой температуре.

Процесс химико-термической обработки включает три элементарные стадии: 1) выделение диффундирующего элемента в атомарном состоянии благодаря реакциям, протекающим во внешней среде; 2) контактирование атомов диффундирующего элемента с поверхностью стального изделия и проникновение (растворение) их в решетку железа (абсорбция); 3) диффу­зия атомов насыщающего элемента в глубь металла.

Скорость диффузии атомов насыщающего элемента в решетку железа неодинакова. При насыщении углеродом или азотом, образующим с желе­зом твердые растворы внедрения, диффузия протекает быстрее, чем при насыщении металлами, образующими твердые растворы замещения.

Толщина проникновения (диффузия) зависит от температуры и продол­жительности насыщения (рис. 1).

Рис. 1. Зависимость толщины диффузионного слоя от продолжительности насыщения (а), температуры (б) и изменение концентрации по толщине диффузионного слоя (в)

Толщина диффузионного слоя х в зависимости от продолжительности процесса τ при данной температуре обычно выражается параболической зависимостью. Следовательно, с течением времени скорость увеличения толщины слоя непрерывно уменьшается (рис. 1, а). Толщина диффузион­ного слоя, при прочих равных условиях, тем больше, чем выше концентра­ция диффундирующего элемента на поверхности металла (рис. 1, в).

Концентрация диффундирующего элемента на поверхности зависит от активности окружающей среды, обеспечивающей приток атомов этого эле­мента к поверхности, скорости диффузионных процессов, приводящих к переходу этих атомов в глубь металла, состава обрабатываемого метал­ла, состава и структуры образующихся фаз. Повышение температуры уве­личивает скорость процесса диффузии, поэтому толщина диффузионного слоя, образующегося за данный отрезок времени, сильно возрастает с по­вышением температуры процесса (рис. 1, в).

Дата добавления: 2015-05-06