Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

И инструкция




Методические указания

к выполнению лабораторных работ

на стенде 87Л – 01

 

по курсу

«Микросхемотехника»

 

Новочеркасск 2002

УДК 621.38 (076.5)

Рецензент канд. техн. наук Н.С. Савёлов

 

Составитель: Проус В.Р.

Методические указания и инструкция к выполнению лабораторных работ на стенде 87Л-01 / Юж.-Рос. гос. техн. ун-т – Новочеркасск: ЮРГТУ, 2002. – 27 с.

Методические указания и инструкция предназначены для студентов специальностей 200100, 200200, 200400 всех форм обучения.

© Южно-Российский государственный университет, 2002

© Проус В.Р., 2002

 

 

 
Литература

1. Лачин В.И., Савёлов Н.С. Электроника: Учеб. пособие. – Ростов н/Д: Изд-во «Феникс», 2000. – 448 с.

2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учеб. пособие. – М.: Высш. шк. 1991. – 622 с.

3. Герасимов В.Г., Князьков О.М., Краснопольский А.Е., Сухоруков В.В. Основы промышленной электроники / Под ред. В.Г. Герасимова: Учеб. – 2-е изд. перераб. и доп. – М.: Высш. шк. 1978. – 336 с.

4. Павлов В.Н., Ногин В.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств: Учеб. для вузов – 2-е изд., исправ. – М.: Горячая линия – Телеком, 2001. – 320 с.

________________________

 

Методические указания и инструкция

к выполнения лабораторных работ на стенде 87Л-01

по курсу «Микросхемотехника»

Составитель: Владимир Романович Проус

_____________________________________________________________________________

Редактор Ж.В. Паршина

Подписано в печать 03.06.2002. Формат 60х84 1/16.

Печ. л.1,63. Уч. изд. л. 1,5. Тираж 100.

__________________________________________________________

Южно-Российский государственный технический университет

Редакционно-издательский отдел ЮРГТУ

Адрес ун-та:

346428, Новочеркасск, ул. Просвещения, 132.

 
4. Напряжение питания схемы блокинг-генератора Ек = 12 В подается с соблюдением полярности с зажимов источника ГН2 стенда.

5. Генератор напряжения ГН1 подключают зажимом «+» к клемме 2, а зажимом «» – к клемме «земля». В интервал регулирования выходного напряжения ГН1 стенда входит и нулевое значение. При повороте ручек «Грубо» и «Точно» по часовой и против часовой стрелки до упоров выходное напряжение ГН1 достигает соответственно 0,5 и 7 В. При этом полярность напряжения соответствует в первом случае указанной на лицевой панели блока питания стенда.

6. При исследовании блокинг-генератора в автоколебательном режиме на выходе ГН1 устанавливают напряжение 7 В, которое изменяют ИВ стенда при переключении его переключателя в положение «ГН1 – 10 В».

7. Для перевода блокинг-генератора в ждущий режим достаточно повернуть по часовой стрелке до упора ручки «Грубо» и «Точно» ГН1. При этом напряжение на клемме 2 окажется положительным относительно «земли» и транзистор VT1 будет закрыт.

8. Для реализации режима синхронизации устанавливают

R1 = 82 кОм, С2 = 100 пФ. Устанавливают переключатели ГЗЧ и ГПИ «Диапазон» соответственно в положения «10 кГц» и «100 кГц» и поворачивают ручку ГПИ «Амплитуда» до упора по часовой стрелке, что соответствует максимальной амплитуде выходных импульсов. Добиваются синхронизации колебательного процесса в блокинг-генераторе, фиксируя, что частота выходных импульсов определяется частотой синхроимпульсов.

 

 

 
Описание лабораторного стенда

Лабораторный стенд 87Л-01 (рис. 1) содержит блок монтажных полей, на котором устанавливаются сменные панели с нанесёнными на них изображениями исследуемых электрических схем. Для сборки исследуемых схем имеется набор съёмных элементов (резисторов, конденсаторов, транзисторов, и др.) и соединительные провода со специальными наконечниками. Съёмные элементы устанавливают на монтажное поле через отверстия в сменной панели, имеющиеся на условных графических изображениях элементов. Монтажное поле выполнено так, что после установки всех необходимых элементов исследуемая схема оказывается собранной. К ней подключают соединительными проводами имеющиеся в стенде источники питания, измерительные приборы, генераторы различных сигналов, электронно-лучевой осциллограф и др. Возможна замена любого элемента схемы, измерение напряжения в любой точке или тока в любом соединительном проводнике.

 
 
 


 
 
 
 
 

Рис. 1. Вид лицевой панели стенда 87Л-01:

1 - сменная панель; 2 - лицевая панель БП; 3 - генераторы сигналов;

4 - осциллограф; 5 - съёмные элементы: 6 - измерительные приборы

 

 
Блок питания БП стенда вырабатывает необходимые напряжения после включения тумблера «Сеть», о чём свидетельствует световой индикатор. Для подачи напряжения на исследуемые схемы БП имеет пять источников: ИП, ГТ, ГН1 – ГН3, выходные зажимы которых выведены на лицевую панель.

Источник переменного напряжения ИП обеспечивает на зажимах «~ 15 В» одинаковые и противофазные относительно зажима «Общ.» напряжения. Переключением тумблера ИП можно получить два значения этих напряжений: 15 и 17,25 В. Для измерения выходных напряжений имеется измеритель выхода ИВ. При использовании ИП следует установить переключатель ИВ в положение «25В ИП».

Генератор тока ГТ является источником постоянного тока с плавной регулировкой, выходной ток которого устанавливают по ИВ в положениях «1мА» и «10мА» при закороченных зажимах ГТ.

Генератор напряжения ГН1 является источником постоянного напряжения, его выходное напряжение плавно регулируется от + 0,5 В до -7 В ручками «Грубо» и «Точно». Полярность выходного напряжения ГН1, указанная на лицевой панели БП, соответствует интервалу его регулирования от + 0,5 В до 0. При регулировании выходного напряжения ГН1 от 0 до -7 В его полярность противоположна указанной. Выходное напряжение ГН1 измеряется ИВ в двух положениях его переключателя «1В» и «-10В», соответствующих изменению выходного напряжения ГН1 в диапазонах + 0,5В ÷ 0 и

0 ÷ -7В.

Генератор напряжения ГН2 является стабилизированным источником питания, выходное напряжение которого плавно регулируется в в диапазоне 0,5 ÷ 15 В ручками «Грубо» и «Точно». Выходное напряжение ГН2 измеряется ИВ при переводе его переключателя в положение «25В ГН2».

Выходное постоянное напряжение источника ГН3 плавно регулируется в диапазоне 0 ÷ 100 В при помощи одной ручки и измеряется ИВ в положении «100В ГН3».

При выполнении лабораторных работ могут быть использованы не штатные по отношению к стенду 87Л-01 измерительные приборы, генераторы сигналов, осциллографы и другая аппаратура.

 
накопленной в сердечнике Т за время формирования вершины выходного импульса. Прекращение коллекторного тока сопровождается появлением э.д.с самоиндукции в коллекторной обмотке L1. Полярность э.д.с самоиндукции такова, что выброс напряжения в коллекторе складывается с напряжением Ек. Без демпфирующего диода VD возможен пробой коллекторного перехода транзистора напряжением, возникающем на индуктивности L1. Если пробоя и не произойдёт, то в схеме возникнут паразитные колебания, которые, трансформируясь в базовую цепь, вызывают отпирание транзистора VT1, что приводит к выходу блокинг-генератора из режима.

 После окончания этих процессов VT1 оказывается запертым напряжением на конденсаторе Um. После этого все процессы периодически повторяются. Так как сопротивление база-эмиттер открытого транзистора, через которое транзистор заряжается, значительно меньше, чем сопротивление R1, через которое С2 разряжается, то время, в течение которого транзистор закрыт, значительно больше времени, в течение которого он открыт. Период повторения импульсов определяется временем разряда С2 через резистор R1 при запертом транзисторе VT1. Временные диаграммы работы блокинг-генератора (первого каскада схемы рис. 13) приведены на рис. 14.

2. Работа выполняется с использованием сменной панели 87Л-01/29. При выполнении работы используют:

VT1, VT2 – транзисторы МП 40 – 42; R1 = 51, 82, 100 кОм, R2 = 330 Ом; R3 = 15 кОм; R4 = 12 кОм; R5 = 2 кОм; R6 = 1,6 кОм; конденсаторы: С1 = 510 пФ; С2 = 510 и 1000 пФ; С3 = С4 = 0,01 мкФ; С5 = С6 = 0,022 мкФ; VD - диод КД103А, Т - импульсный трансформатор.

3. Каскад на транзисторе VT2 представляет собой фазоинвертор, который позволяет получать импульсы отрицательной полярности на коллекторе и почти равные ему по амплитуде импульсы положительной полярности на эмиттере.

 
Время разряда определяет паузу между выходными импульсами. В момент отпирания VТ1 появляется коллекторный ток Iк вследствие того, что транзистор работает в усилительном режиме осуществляя через трансформатор Т положительную обратную связь. При этом в базовой обмотке L2наводится э.д.с. отрицательной полярности относительно эмиттера VТ1. Так как заряд С2 мгновенно измениться не может, то эта э.д.с передаётся на базу, вызывая рост Iк и снижение Uк. Рост отрицательного Uбэ приводит к возрастанию Iб и соответственно Iк. Процесс протекает лавинообразно. В ходе этого процесса формируется передний фронт выходного импульса, а напряжение на конденсаторе С2 и энергия магнитного поля трансформатора практически не успевают измениться. Заканчивается лавинообразный процесс полным отпиранием VT1 и переходом его в режим насыщения. При этом утрачиваются усилительные свойства VT1, что нарушает ПОС и даёт начало времени формирования вершины выходного импульса. На этом этапе рассасываются неосновные носители, накопленные в базе VT1, что обуславливает процесс заряда конденсатора С2 базовым током. По мере заряда конденсатора С2 ток базы Iб уменьшается, что способствует выходу транзистора из режима насыщения. Когда Uбэ достигнет такой величины, что VT1 выйдет из насыщения, коэффициент усиления станет достаточно большим, а токи Iб и Iк начнут быстро спадать. Снижение Iк вызывает появление в базовой обмотке L2 э.д.с положительной полярности, что приводит к ещё большему снижению токов Iб и Iк и т.д. Процесс также носит лавинообразный характер и продолжается до тех пор, пока Iк не достигнет нуля, а Uк величины напряжения Ек, т.е. пока VT1 полностью не закроется. При этом заканчивается процесс формирования заднего фронта выходного импульса.

 За это время напряжение на С2 и магнитная энергия Т не успевают измениться. После запирания VT1 отрицательное напряжение на коллекторе продолжает расти. Создаётся

выброс напряжения, вызванный рассеиванием энергии, 

 
Лабораторная работа № 1

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 778; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.028 сек.