Краткие теоретические сведения. Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Цель работы

Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

Краткие теоретические сведения по работе смотри в п. 3.2. (стр. 18…23).

Для электрических расчетов цепей используют схемы замещения транзистора, параметры которого связаны с физическими (собственными) параметрами транзистора. На рис. 4.1 показана Т-образная схема замещения транзистора, в схеме с общим эмиттером, которая справедлива только для переменных составляющих токов и напряжений при условии, что работа транзистора происходит на линейных участках его входной и выходной ВАХ.

Рис. 4.1 — Т-образная схема замещения биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

На рис. 4.1 использованы следующие условные обозначения:

· — сопротивление открытого эмиттерного перехода транзистора;

· —объемное сопротивление базы;

· — эквивалентный источник коллекторного тока в схеме с общим эмиттером;

· — сопротивление коллекторного перехода транзистора в схеме с общим эмиттером;

· — емкость коллекторного перехода, равная барьерной емкости при разомкнутом выводе эмиттера и обратном напряжении ;

· — дифференциальный коэффициент передачи тока базы.

Дифференциальный коэффициент передачи тока схемы с общим эмиттером при определяется соотношением

,

где — коэффициент передачи тока схемы с общей базой.

В системе - параметров .

При изменении от 0,9 до 0,999 коэффициент изменяется от 9 до 999.

Так как входным в схеме с ОЭ является ток базы, который в  раз меньше тока эмиттера, то в схеме с общим эмиттером по сравнению со схемой с общей базой не только активное, но и емкостное сопротивление коллекторного перехода уменьшается в раз. Поэтому в схеме с общим эмиттером коллекторная емкость , где — емкость перехода коллектор-база при разомкнутом выводе эмиттера и обратном напряжении .

Различают следующие статические ВАХ транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером:

· — входная ВАХ при ;

· — проходная ВАХ при ;

· — выходная ВАХ при .

В выбранной рабочей точке статической ВАХ транзистора могут быть определены следующие параметры транзистора:

· параметр — по входным ВАХ;

· параметр — по выходным ВАХ;

· параметр — по выходным ВАХ;

· входное сопротивление постоянному току — по входным ВАХ;

· выходное сопротивление постоянному току — по выходным ВАХ;

· крутизна — по проходной ВАХ.

Дата добавления: 2015-05-06