КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Лабораторная работа № 6 Исследование электронного ключа на биполярном транзисторе
Контрольные вопросы Содержание отчета 5.6.1. Цель работы. 5.6.2. Схемы лабораторного макета. 5.6.3. Таблицы результатов измерений и графики (ВАХ). 5.6.4. По формулам (5.1) и (5.2) рассчитать стоковую и стокозатворную ВАХ полевого транзистора при значениях напряжений , , устанавливаемых при экспериментальных исследованиях. Указанные ВАХ построить в одной системе координат вместе с одноименными экспериментально измеренными ВАХ. 5.6.5. По стокозатворным характеристикам с использованием выражения (5.3) определить крутизну полевого транзистора на среднем участке стокозатворной характеристики. 5.6.6. По стоковым характеристикам с использованием выражений (5.5) и (5.6) определить значения внутреннего сопротивления и статического коэффициента усиления транзистора . 5.6.7. Выводы по работе. 5.7.1. Перечислите типы полевых транзисторов и поясните их конструктивные особенности. 5.7.2. Укажите полярности подключения источников питания к транзисторам разных типов, способы задания точки покоя. 5.7.3. На стоковых характеристиках укажите две характерные области работы транзистора. 5.7.4. Перечислите основные параметры полевых транзисторов и поясните их физический смысл. 5.7.5. Какие процессы происходят в полевом транзисторе с р - n переходом в активной области? 5.7.6. Какие процессы происходят в МДП транзисторе при работе в активной области? 5.7.7. При каком напряжении смещения сопротивление канала транзистора будет минимальным? 5.7.8. Как зависит статический коэффициент усиления транзистора от внутреннего сопротивления и крутизны?
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 822; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |