КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)
Снятие статических характеристик транзистора
|
|
|
|
Задание
Электрическая схема установки
Установка содержит однокаскадный импульсный усилитель на биполярном транзисторе (рис. 5). Напряжение питания транзистора в цепи коллектора устанавливается источником питания G 1, а ток коллектора I 1 контролируется прибором. С помощью переключателя S4 (положения 16…20) сопротивление нагрузки в цепи коллектора изменяется в пределах 130 Ом…75 кОм.
Переключатель S3 (положения 5, 6), подключающий ёмкостную нагрузку С 3 в цепь коллектора, позволяет определять её влияние на форму выходных импульсов.
Режим питания транзистора по цепи базы устанавливается резистором R 1, подключаемым через переключатель S1, и источником напряжения смещения G 2, подаваемого через резистор R 3.
Импульсный сигнал типа «Меандр» подаётся на Вх. 1 через конденсатор С 1 и резистор R 2 на базу транзистора. Ускоряющий конденсатор С 2, _одклюючаемый параллельно резистору R 2 переключателем S2, позволяет уменьшить время задержки включения транзистора, обусловленное рассасыванием неосновных носителей в области базы.
Измерители тока базы I 2 и тока коллектора I 1 позволяют снять статические характеристики транзистора и определить коэффициент передачи тока базы в схеме с общим эмиттером.
G 
1 КТ1
-(0…13) В
R 1 75к S5
S1
20 19 18 17 16
КТ3 2
R 4 R 5 R 6 R 7 R 8
Вх. 1 С 1 20,0 1 75к 30к 5,1к 910 130
КТ2 + КТ5
R2 3к
С 2 1Н КТ4
6
| |
VT 1
S2 R 3 30к МП42А S3 С 3 470
|  |  |
G 2 (0…2,8) В
Рис. 5. Схема принципиальная электрическая установки для исследования
работы биполярного транзистора в ключевом режиме
4.1.1. Установить переключатели в положение 2-4-5-17. Регулировкой источника питания G 2 установить ток базы транзистора I 2 равным 100мкА. Изменяя регулировкой источника питания G 1 напряжение в точке КТ5 (коллектор транзистора), снять зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при постоянном токе базы (статическую характеристику). Устанавливая фиксированные значения тока базы равными 200, 300 и 400 мкА, снять соответствующие статические характеристики.
4.1.2. Установить напряжение источника питания G 1 равным -5 В, а переключатели в положение 2-4-5-16. Снять входную характеристику транзистора – зависимость тока базы (I 2) от напряжения на базе (точка КТ4).
|
|
|
|
|
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 485; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!