Методические указания. Снятие импульсных характеристик транзистора

Снятие импульсных характеристик транзистора.

4.2.1. Установить переключатель формы выходного напряжения генератора низких частот (НЧ) в положение с амплитудой (2…3) В и частотой порядка 10…20 кГц. Подключить выход генератора на Вх.1 лабораторной установки.

Форму и амплитуду сигнала проверить в точке КТ₂. Установить напряжение источника питания G 1 равное -10 В, а переключатели в положение

2-4-5. Изменяя положения 16…20 переключателя S₄, снять зависимость времени нарастания и спада импульса от сопротивления нагрузки (резисторы R ₄… R ₈).

4.2.2. Подключить во входной цепи конденсатор С ₂ параллельно резистору R₂ (положение 3 переключателя S₂) и повторить измерения в соответствии с п.3.2.1.

4.2.3. Подключить конденсатор С ₃ параллельно переходу коллектор-эмиттер транзистора (положение 6 переключателя S₃) и повторить измерения в соответствии с п.3.2.1.

5.1. Время нарастания и спада импульса (соответственно, длительность переднего и заднего фронта импульса) определяется на интервале от 0,1 U_m до 0,9 U_m, где U_m – амплитуда импульса.

5.2. Перед началом измерений по п. 3.2.1 установить переключатели в положение 2-4-5-16 и изменением напряжения смещения (источник питания G ₂) и амплитуды импульсов на выходе генератора НЧ получить на выходе транзистора (КТ₅) форму импульсов, близкую к прямоугольной.

5.3. Резисторы R ₄… R ₈ в цепи коллектора имеют значения 75 кОм, 30 кОм, 5,1 кОм, 910 Ом и 130 Ом, соответственно. Ёмкости конденсаторов С ₂ и С ₃

1 нФ и 470 пФ, соответственно.

Дата добавления: 2015-05-06