Порядок выполнения работы и методические указания. 3.1. До начала измерений на графиках, предназначенных для построения вольтамперных характеристик, с учетом вычисленного масштаба отме­нить предельно

3.1. До начала измерений на графиках, предназначенных для построения вольтамперных характеристик, с учетом вычисленного масштаба отме­нить предельно допустимые значения токов и напряжений, исходя из паспортных данных приборов. Пример выбора области дозволенных зна­чений токов и напряжений показан на рис.2-2.

3.2. Для получения обратных ветвей стабилитрона собирается экспери­ментальная установка, представленная на рис.2-3.

При снятии характеристик напряжение со звукового генератора подается при шкале до 30 В.

Выходные клеммы заземлять нельзя!

Разность потенциалов, снимаемая с исследуемого стабилитрона, по­дается на вход “У” осциллографа.

Разность потенциалов, снимаемая с измерительного сопротивления R=180 Ом и пропорциональная току, протекающему через стабилитрон, подается на вход “X” осциллографа.

При подаче сигнала со звукового генератора на экране осциллографа наблюдаем ВАХ стабилитрона.

При снятии характеристик двуханодного стабилитрона звуковой гене­ратор подключается к точке 2.

3.3. Полученную зависимость необходимо перерисовать с указанием масштаба по осям координат.

На том же графике построить вольтамперные характеристики осталь­ных исследуемых стабилитронов.

4. Содержание отчета.

4.1. Начертить использованные электрические схемы.

4.2. Записать параметры исследованных полупроводниковых стабили­тронов.

4.3. Приложить графики, полученные в лаборатории.

4.4. Привести расчеты сопротивлений ограничительных резисторов для исследованных стабилитронов:

4.5. Определить по ВАХ U_СТ. и диапазон изменения этого параметра в пределах области стабилизации для исследованных стабилитронов.

4.6. Вычислить дифференциальное сопротивление стабилитронов.

4.7. Определить, какой из исследованных стабилитронов работает пре­имущественно в режиме туннельного пробоя, а который - в режиме ла­винного.

5. Контрольные вопросы.

5.1. Что Вы знаете о механизме туннельного пробоя электронно-дыроч­ного перехода? Какими свойствами должен обладать полупроводниковый материал, чтобы в изготовленном из него стабилитроне мог развиться туннельный пробой? Почему?

5.2. Что Вы знаете о механизме лавинного пробоя электронно-дырочного перехода? Какими свойствами должен обладать полупроводниковый ма­териал, чтобы изготовленный из него стабилитрон работал в режиме ла­винного пробоя? Почему?

5.3. Какой знак имеет температурный коэффициент напряжения стабили­зации у стабилитронов с туннельным и лавинным пробоем? Почему?

5.4. Какие стабилитроны обладают наилучшей температурной стабильно­стью? Почему?

5.5. Какую роль играет ограничительное сопротивление в схеме включе­ния стабилитрона? Как нужно выбирать его сопротивление?

Литература.

1. Дулин В.Н. Электронные приборы. Изд.3-е. - М.:Энергия, 1977.

2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинков А.Д. Полупроводниковые при­боры, -Изд.3-е. - М.: Высшая школа, 1981.

3. Электронные приборы: Учебник для вузов/В.Н. Дулин, Н.А. Аваев, В.П. Демин и др.; Под ред. Г.Г. Шишкина.- 4-е изд. - М.: Энергоатомиз­дат, 1989.

Приложение.

Дата добавления: 2015-05-06