Порядок выполнения работы и методические указания. 3.1. Для получения входной характеристики транзистора установка соби­рается по схеме (рис.4-3)

3.1. Для получения входной характеристики транзистора установка соби­рается по схеме (рис.4-3).

На коллектор БТ подается постоянное напряжение от источника питания поочередно 0, 1, 10 В.

На базу через диод D и резистор R₁ подается сигнал со звукового генера­тора амплитудой до 6 В.

(Шкала напряжений - до 10 В; номиналы сопротивлений: R₁=2 кOм; R₂=200 Ом).

3.2. Полученные три зависимости при различных напряжениях коллек­тора необходимо перерисовать с указанием масштаба по осям координат.

3.3. Выходные характеристики транзистора снимаются по схеме, пред­ставленной на рис.4-4.

Переменное напряжение со звукового генератора через диод D и сопро­тивление R₂ к выводам Б-К транзистора.

На осциллографе снимается зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база при токах эмиттера, равных 0, 2, 6 и 8 мА, задаваемых исходя из соотношения: .

Со звукового генератора подается напряжение амплитудой до 4 В. (Шкала напряжений - до 10 В).

4. Содержание отчета.

4.1. Начертить использованные электрические схемы.

4.2. Приведите параметры изучаемого БТ и его цоколевку.

4.3. Приложите полученные в лаборатории графики семейств входных и выходных ВАХ.

4.4. Постройте семейство характеристик передачи тока I_К=f(I_Э) при U_КБ=const на основании семейства выходных ВАХ.

4.5. Постройте семейство характеристик обратной связи U_ЭБ=f(U_КБ) при I_Э=const с помощью семейства выходных ВАХ.

4.6. Определите по характеристикам в пяти точках h - параметры для БТ, включенного по схеме ОБ (h_Б - параметры), в зависимости от режима ра­боты; постройте характеристики:

h_11Б=f(I_Э) при U_КБ=const;

h_12Б=f(U_КБ) при I_Э=const;

h_21Б=f(I_Э) при U_КБ=const;

h_22Б=f(U_КБ) при I_Э=const.

Проанализируйте полученные результаты.

5. Контрольные вопросы.

5.1. Как устроен БТ? Чем отличается активный режим работы БТ от ре­жима отсечки и режима насыщения?

5.2. С какими физическими процессами связано протекание эмиттерного, коллекторного и базового токов при включении БТ по схеме ОБ? Каковы особенности управления выходным током в БТ?

5.3. Постройте энергетические диаграммы и график изменения потен­циала для БТ типов p-n-p и n-p-n в отсутствии внешних напряжений. Как меняется распределение потенциала и ширина p-n переходов при работе БТ в активном режиме?

5.4. Что называют коэффициентом инжекции? Почему он должен быть как можно ближе к единице? Каким путем это достигается?

5.5. Какие требования предъявляются к материалу базы БТ и к ее геомет­рическим размерам? Почему?

5.6. В чем проявляется обратная связь по напряжению в БТ и какова ее физическая природа?

5.7. Каков общий ход статических входных и выходных ВАХ БТ при включении по схеме ОБ?

5.8. Какие Вы знаете системы параметров при работе БТ в режиме малого сигнала? Чем они отличаются друг от друга? Как определить h - пара­метры по характеристикам?

Литература.

1. Дулин В.Н. Электронные приборы. Изд.3-е. - М.:Энергия, 1977.

2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинков А.Д. Полупроводниковые при­боры,-Изд.3-е. - М.: Высшая школа, 1981.

3. Электронные приборы: Учебник для вузов/В.Н. Дулин, Н.А. Аваев, В.П. Демин и др.; Под ред. Г.Г. Шишкина.- 4-е изд. - М.: Энергоатомиз­дат, 1989.

Приложение.

Германиевый сплавной, низкочастотный

транзистор структуры p-n-p.

Дата добавления: 2015-05-06