Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Лабораторная работа №7




Электрические параметры.

Изолированным затвором и каналом n-типа.

КПЗ03А-И

Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с

Крутизна характеристики при U=10 В, UЗП=0.  
КП303А,Б,Ж 1-4 мА/В
КП303В 2-5 мА/В
КП303Г 3-7 мА/В
КП303Д не менее 2.6 мА/В
КП303Е не менее 4.0 мА/В
КП303И 2-6 мА/В
Напряжение затвор-исток при UСП=10 В, UЗП=0.  
КП303А,Б 0.2-2.5 мА
КП303В 1.5-5.0 мА
КП303Г 3.0-12 мА
КП303Д 3.0-9.0 мА
КП303Е 5.0-20 мА
КП303Ж 0.3-3.0 мА
КП303Е 1.5-5.0 мА
Предельные эксплуатационные данные  
Напряжение сток-исток 25 В
Напряжение затвор-сток 30 В
Напряжение затвор-исток 30 В
Постоянный ток стока 20 мА
Постоянный ток затвора 5.0 мА
Постоянная рассеиваемая мощность 200 мВт

Полевой транзистор с изолированным затвором

Полевые транзисторы с изолированным затвором называют также МОП-транзисторами или МДП-транзисторами. Эти сокращенные на­звания указывают на их структуру металл—окисел—полупровод­ник или, что фактически то же самое, металл—диэлектрик—провод­ник. Эти на­звания чисто условные. Они указывают на то, что между затвором из проводящего материала — металла — и проводящего ка­нала из полупро­водника имеется изолирующий слой. Однако для уменьшения контакт­ной разности потенциалов иногда вместо затвора из металла применяют затвор из поликристаллического проводящего кремния.

Имеется две основные разновидности полевых транзисторов с изо­ли­рованным затвором: транзисторы с встроенным каналом и транзи­сторы с индуцированным каналом.

МОП-транзистор с встроенным каналом. Схематическое строение транзистора с встроенным каналом показано на рис. 7-1. Приложен­ное к затвору отрицательное напряжение отталкивает электроны во встроенном канале n-типа. В результате создается обедненный слой в верхней части полупроводника между изолирующей прокладкой из окисла и проводя­щим каналом. МОП-транзистор со встроенным каналом чаще всего ис­пользуется в режиме обеднения. Для транзи­стора с n-каналом это соот­ветствует подаче отрицательного на­пряжения на затвор. Его харак­тери­стики (рис. 7-2) при этом не отличают­ся от характеристик транзисто­ра с управляющим p-n - пере­ходом, имеющим канал такого же типа.

Так как затвор изолирован, то на него можно подавать не только напря­жения уменьшающие ток стока (отрицательные для канала n-типа и по­ложительные для канала p-типа), но и напряжения обратной полярности.

Первый режим называется режимом обеднения, а второй режимом обогащения.

МОП-транзистор с индуцированным каналом. Строение транзисто­ра с индуцированным n-каналом показано на рис. 7-3, а. В отсутствие напряжения на затворе сильно легированные n-бласти истока и стока об­разуют вместе с подложкой два включенных навстречу диода. Поэ­тому приложение напряжения между истоком и стоком не вызывает сущест­венного тока. При некотором положительном напряжении на затворе ин­дуцируется проводящий канал за счет притяжения к изо­лирующей про­кладке затвора электронов из p-материала подложки. Хотя электроны в подложке не являются основными носителями, проводящий канал со­стоит только из основных носителей — электро­нов.

Напряжение затвор-сток МОП-транзистора, работающего толь­ко в режиме обогащения, при котором образуется проводящий канал и ток стока достигает заданного низкого значения, называется поро­говым на­пряжением полевого транзистора и обозначается Uзи пор. Обычно порого­вое напряжение полевых транзисторов с индуцирован­ным каналом лежит в пределах Uзи пор = 1-6 В.

На рис. 7-3, б показана форма индуцированного канала, когда раз­ность потенциалов Uзи-Uси<Uзи пор.

На рис. 7-4 показаны семейство стоковых характеристик (а) и стоко-за­творная характеристика (б) МДП транзистора с индуцированным кана­лом n-типа.

 

Преимуществом МДП-транзисторов перед полевыми транзи­сторами с управляющим р-п переходом являются гораздо боль­шее входное сопро­тивление, достигающее 1012—1014 0м, сущест­венно меньшие междуэлек­тродные емкости, а также возможность получения большей крутизны (до десятков миллиампер на вольт) за счет уменьшения толщины диэлектри­ческого слоя и других конструктивных мер.

Полевые транзисторы, особенно МДП-транзисторы, получи­ли широ­кое применение в интегральных микросхемах благо­даря более удобной технологии их изготовления, высокому входному сопротивлению, ма­лому собственному шуму, низкой стоимости, возможности работы при более высоких напряжениях, чем биполярные транзисторы, а также большому коэффициенту усиления напряжения и мощности.

 

1. Термины и обозначения.

 

Напряжение между стоком и истоком UСИ
Напряжение между затвором и истоком UЗИ
Ток стока IС
Пороговое напряжение полевого транзистора UЗИ ПОР,
Крутизна характеристики полевого транзистора S
Максимально допустимое напряжение сток-исток UСИ МАКС.
Максимально допустимое напряжение затвор-ис­ток UЗИ МАКС.
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС.
Максимально допустимая постоянная рассеивае­мая мощность полевого транзистора PМАКС.

 

2. Цель работы.

2.1. Изучение принципа действия, конструктивных особенностей, харак­теристик и параметров полевых транзисторов с изолированным затвором (ПТИЗ) КП305.

 

2.2. Наблюдение на осциллографе и снятие семейства выходных ВАХ (IC=f(UСИ)) и семейства ВАХ прямой передачи ПТИЗ с индуцированным каналом, включенного по схеме с общим истоком IC=f(UЗИ) при UСИ=const.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 921; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.