Полевой транзистор с управляющим

Лабораторная работа №6

Электрические параметры.

UКЭ макс.	40 В
UКБ макс.	40 В
IК макс.	400 мА
hКЭ при UКЭ=20 В IЭ=2.5 мА	30¸80
fмакс.	0.5 мГц

электронно-дырочным переходом

Полевой транзисторе p-n-переходом в качестве затвора пред­ставляет собой брусок относительно слабо легированного полупро­водника, имеющий два невыпрямляющих контакта—исток и сток (рис. 6-1). Сечение канала, проводящего ток основных носителей, ограничено р-n-переходами затворов. Изменяя величину обратного смещения на за­творах U_зи, можно регулировать толщину слоя объем­ного заряда р-n-переходов. Этот слой обеднен основны­ми носителями заряда, и в нем не протекает ток между истоком и стоком. Таким образом, сечение токопроводящего канала регулирует­ся напряжением на затво­рах.

Ток основных носителей между истоком и стоком создает падение напряже­ния вдоль канала. Это падение напряжения увеличивает обрат­ное смещение p-n-переходов, поэтому по направлению к стоку толщи­на р-n-переходов растет, а сечение канала уменьшается. Если при U_зи=const увеличивать напряжение стока, то при.достаточно большом U_cи=U_{си нас} на стоковой характеристике I_c=f(U_cи) появляется насыщение (рис. 6-2), связанное со «смыканием» обла­стей объемного заряда p-n-переходов, т.е. с перекрытием р-канала со стороны стока. Площадь сечения канала уменьшается до неко­торой малой величины, при которой ток стока под­держивается по­стоянным. Дальнейшее сужение канала не может про­изойти, так

как оно вызвало бы уменьшение тока стока, что в свою очередь привело бы к уменьшению обратного смещения затворов и расши­рению канала. Полное перекрытие канала осуществляется лишь увеличением обратного смещения затворов (рис.6-2). При U_зи=U₀ — напряжении отсечки—канал полностью перекрывается.

По стоковым и стоко-затворным (рис.6-3) характеристикам можно опре­делить основные параметры полевого транзистора: напряжение отсечки, на­пряжение насыщения, вы­ходное диффе­ренциальное сопротивле­ние, начальное сопротивле­ние канала, максимальную крутизну.

1. Напряжение отсечки U₀ опреде­ля­ется по стоко-затворной характеристике: при U_зи=U₀, I_c=0

(см. рис. 6-3).

2.Напряжение насыщения U_{cи нас} определяется для каждой из четырех полученных стоковых характеристик, оно соответствует насыщению тока стока (см, рис. 6-2).

3.Выходное дифференциальное сопротивление определяют на участ­ках насыщения стоковых характеристик (см. рис. 6-2, заштри­хованный треугольник).

4. Начальное сопротивление канала R₀ — это сопротивление полно­стью открытого канала при U_зи=0 и бесконечно малом на­пряжении на стоке. Этот параметр определяют по начальному участку стоковой харак­теристики, соответствующей U_зи=0:

5. Максимальная крутизна определяется по стоко-затворной характе­ристике. Для определения крутизны строят характеристи­ческий тре­угольник (см. рис. 6-3), из которого находят

1. Термины и обозначения.

Напряжение между стоком и истоком	UСИ
Напряжение между затвором и истоком	UЗИ
Ток стока	IС
Пороговое напряжение полевого транзистора	UЗИ ПОР,
Крутизна характеристики полевого транзистора	S
Максимально допустимое напряжение сток-исток	UСИ МАКС.
Максимально допустимое напряжение затвор-исток	UЗИ МАКС.
Максимально допустимый постоянный ток стока	IС МАКС.
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора	PМАКС.

2. Цель работы.

2.1. Изучение принципа действия, конструктивных особенностей, харак­теристик и параметров полевых транзисторов с управляющим элек­тронно-дырочным переходом (ПТУП) КП303.

2.2. Наблюдение на осциллографе и снятие семейства выходных (стоко­вых) ВАХ и семейства ВАХ прямой передачи ПТУП, включенного по схеме с общим истоком.

Дата добавления: 2015-05-06