КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Лабораторная работа №8
Электрические параметры. КПЗ05А-И Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полупроводниковый оптрон (оптопара) Полупроводниковый оптрон—это прибор, состоящий из оптически связанных между собой элементов оптронной пары (управляемого полупроводникового излучателя света и полупроводникового приемника излучения), предназначенный для выполнения различных функциональных преобразований электрических или оптических сигналов. В качестве одного элемента оптронной пары — излучателя света может быть использован светодиод, электролюминесцентный порошковый или пленочный излучатель, а также полупроводниковый лазер. В качестве второго элемента оптронной пары — приемника излучения может быть использован фоторезистор, фотодиод, фототранзистор или фототиристор. В диодной оптопаре в качестве фотоприемного элемента используется фотодиод на основе кремния, а излучателем служит инфракрасный излучающий диод. Максимум спектральной характеристики излучения диода приходится на длину волны около 1 мкм. При облучении оптронного фотодиода светом такой длины волны в нем возникает генерация пар носителей заряда — электронов и дырок. Интенсивность генерации пропорциональна силе света, а следовательно, входному току. Свободные электроны и дырки разделяются электрическим полем перехода фотодиода и заряжают р-область положительно, а n-область отрицательно. Таким образом, на выходных выводах оптопары появляется фото-ЭДС. В реальных приборах она не превышает 0,7—0,8 В. Описанная физическая картина относится к работе оптопары в генераторном режиме. Если к фотодиоду оптопары приложено обратное напряжение более 0,5 В, то электроны и дырки, генерированные излучением, увеличивают обратный ток фотодиода. Это фотодиодный режим работы приемного элемента. Диодные оптопары могут работать как в генераторном, так и в фотодиодном режиме. Значение обратного фототока практически линейно возрастает с увеличением силы света излучающего диода. Основными параметрами диодных оптопар являются следующие: входное напряжение Uвх — постоянное прямое напряжение на диоде-излучателе при заданном входном токе; максимальный входной ток или максимальный импульсный входной ток Iвх.мах, Iвх.макс .—максимальные значения постоянного входного тока или амплитуды входного импульса, проходящего через входную цепь оптопары, при которых обеспечивается заданная надежность при длительной работе; максимальное входное обратное напряжение Uвх.обр.ма кс.—максимальное значение постоянного напряжения, приложенного ко входу диодного оптрона в обратном направлении, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе; максимальное выходное обратное постоянное и импульсное напряжения Uвых.обр.мах и Uвых.обр.и.мах, определяющие максимальные напряжения в выходной цепи оптопары, при которых обеспечивается ее надежная работа; выходной обратный ток (темновой) Iвых.обр.т — ток, протекающий в выходной цепи диодной оптопары при отсутствии входного тока и заданном напряжении на выходе; время нарастания выходного сигнала tнр — интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары изменяется от 0,1 до 0,5 максимального значения; время спада выходного сигнала tсп — интервал времени, в течение которого выходной сигнал изменяется от 0,9 до 0,5.максимального значения; статистический коэффициент передачи тока KI— отношение разности выходного и выходного темнового токов к входному, выраженное в процентах. Коэффициент передачи тока в диодных оптопарах составляет единицы процентов и примерно равен значению квантового выхода све-тодиода. Так как темновой выходной ток обычно значительно меньше светового, коэффициент передачи тока выражают как KI»Iвых/Iвх; Для описания свойств диодных оптопар обычно используются входные и выходные вольт-амперные характеристики, передаточные характеристики в фотогенераторном и фотодиодном режимах. Выходная характеристика оптопары аналогична обратной ветви вольт-амперной характеристики диода. Обратный ток практически не зависит от напряжения. При большом напряжении возникает электрический пробой фотодиода. Передаточная характеристика в фотодиодном режиме представляет собой зависимость выходного тока от входного и практически линейна в широком диапазоне входного тока. Передаточная характеристика в фотогенераторном режиме нелинейна. Фото-ЭДС при увеличении входного тока стремится к насыщению; она не может превышать контактной разности потенциалов на переходе фотодиода и составляет обычно 0,5—0,8 В. Диодные оптопары типов АОД101А—АОД101Д, ЗОД101А— ЗОД101Г, АОД107А—АОД107В, ЗОД107А, ЗОД107Б могут быть использованы как в фотодиодном, так и в фотогенераторном режиме. Оптопары АОД112А-1 и ЗОД112А-1 используются в фотогенераторном режиме. Для остальных типов диодных оптопар техническими условиями оговаривается возможность использования их только в фотодиодном режиме. При использовании диодных оптопар в схемах радиоэлектроники учитывается ряд свойств, присущих этому классу оптопар: самое высокое быстродействие фотоприемников на p-i-n-структурах; малые темновые токи в выходной цепи; высокое сопротивление гальванической развязки. Указанные свойства позволяют с успехом применять диодную оптопару в качестве оптоэлектронного импульсного трансформатора, элемента согласования периферийных линий с центральным процессором ЭВМ, а также низковольтного блока с высоковольтным; в схемах защиты от перегрузки.
1. Термины и обозначения.
2. Цель работы.
2.1. Изучение принципа действия и конструктивных особенностей полупроводниковых оптоэлектронных пар (оптронов).
2.2. Наблюдение на осциллографе и снятие входной ВАХ оптопары (прямой ветви излучающего диода), семейства выходных ВАХ оптопары (обратные ветви ВАХ фотодиода) при разных входных токах и характеристиках передачи тока.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 1952; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |