Характеристики и параметры транзисторов

В режиме отсечки оба перехода закрыты.

В инверсном режиме эмиттерный переход закрыт, а коллекторный открыт, т.е. транзистор включен ''наоборот'': коллектор работает как эмиттер, а эмиттер – в качестве коллектора. Из-за особенностей конструкции реальных транзисторов усилительные свойства их в инверсном режиме, как правило, неудовлетворительны.

Для описания свойств транзисторов используют входные и выходные семейства характеристик, представляющие собой зависимости входного тока I_э или I_б от входного напряжения U_эб и выходного тока I_к от выходного напряжения U_кб или U_кэ соответственно.

В схеме с ОЭ при U_кэ = 0 входная хар-ка является обычной диодной.

На рис. 34 б) приведены характеристики кремниевого транзистора, а также нагрузочная линия и рабочая точка ''к'' при активном режиме работы в качестве усилителя. Верхний (при U_кэ ≤ 1В) и нижний (при I_б =0) концы этой характеристики являются соответственно режимами насыщения и отсечки.

Характеристики МОП – транзистора с встроенным каналом n-типа приведены на рис. 58.

Из книги

Д. Гивоне

Основными достоинствами ПТ являются:

1. Высокое входное сопротивление, что позволяет использовать на входе маломощные сигналы;

2. Высокий коэффициент усиления по мощности;

3. Большая линейность передаточной характеристики, поэтому меньшее искажение

входного сигнала

Недостатки:

1. Высокое внутреннее сопротивление и как следствие высокое падение напряжения в открытом состоянии;

2. Большое значение входной емкости С_зк (затвор –канал), снижающее быстродействие ПТ (время включения и выключения)

В настоящее время зарубежная технология изготовления ПТ сильно продвинулась, (например, фирма ФРГ Inferion) и указанные недостатки устранены. Освоен выпуск силовых ПТ с напряжениями в несколько тысяч вольт и токами в сотни ампер.

Дата добавления: 2015-05-06