Вопросы. 2.1. Биполярный транзистор включен по схеме с общим эмиттером

Задачи

2.1. Биполярный транзистор включен по схеме с общим эмиттером. Ток базы равен 100 мкА, ток коллектора при напряжении на коллекторе 5 и 10 В составляет соответственно 3 и 3,1 мА. Оценить входное и выходное дифференциальные сопротивления. Температуру принять равной 300 К, сопротивление базы транзистора считать равным нулю.

2.2. Биполярный транзистор включен по схеме с общим эмиттером. Ток коллектора при напряжении коллектора 2,5 В и токе базы 100 мкА составляет 5 мА, а при увеличении напряжения коллектора до 8 В линейно возрастает и достигает 5,3 мА. Рассчитать напряжение и ток коллектора, если в цепь коллектора включены источник напряжения 8,5 В и резистор номиналом 1 кОм (рис.2.3). Рассчитать величину номинала резистора, включенного между источником коллекторного напряжения и базой, обеспечивающего заданный ток базы. Температуру принять равной 300 К.

2.3. Решить задачу 2.2. при условии, что в цепь эмиттера включен резистор номиналом 0,25 кОм.

2.4. Биполярный транзистор включен по схеме с общим эмиттером. В цепь коллектора включены источник напряжения 6 В и резистор номиналом 1,5 кОм. Ток коллектора при напряжении коллектора 3 В и токе базы 50 мкА равен 2 мА, а при увеличении напряжения коллектора до 7 В линейно возрастает до 2,3 мА. Рассчитать мощность, рассеиваемую коллектором.

2.5. Кремниевый биполярный транзистор включен по схеме с общим эмиттером (рис.2.3). Ток коллектора при напряжении источника питания 10 В и токе базы 75 мкА составляет 8 мА. Рассчитать величину резистора, включенного между источником напряжения и базой транзистора и обеспечивающего указанный режим при температуре 27^о С. Определить, как изменится ток эмиттера при рассчитанном сопротивлении, если температура повысится до 50^о С. Тепловой ток эмиттерного перехода принять равным 10^-10 А при температуре 20^о С. Принять, что коэффициенты передачи тока базы и эмиттера от температуры не зависят.

2.6. Биполярный транзистор включен в схему усилительного каскада с разделенной нагрузкой и базовым делителем (рис.2.4). Ток базы равен 50 мкА, ток коллектора равен 3,5 мА. Сопротивление резистора в эмиттерной цепи составляет 0,5 кОм. Рассчитать сопротивление базового делителя, обеспечивающее заданный режим транзистора при температуре 20^о С. Напряжение питания коллекторной цепи равно 15 В, тепловой ток эмиттерного перехода равен 10^-9 А, входное сопротивление каскада должно быть максимально возможным.

2.7. Биполярный транзистор включен по схеме с общим эмиттером. Ток коллектора при напряжении коллектора 3 В составляет 4,4 мА и при увеличении напряжения до 8 В линейно возрастает до 5,3 мА. Найти значение сопротивления, включенного в цепь коллектора вместе с источником напряжения 12 В, при котором ток коллектора равен 5 мА. Рассчитать мощность, рассеиваемую коллектором для этого режима.

2.8. Биполярный транзистор включен по схеме с общей базой. Коэффициент передачи тока эмиттера равен 0,95, тепловой ток коллектора при 20^о С равен 10^-7 А, ток эмиттера равен 1 мА. Найти напряжение коллектора, при котором ток коллектора равен нулю. Влиянием коллекторного напряжения на ширину базы и на коэффициент передачи тока эмиттера пренебречь.

2.9. Биполярный транзистор включен по схеме с общим эмиттером. При напряжении коллектора 10 В и токе базы 100 мкА ток коллектора составляет 5 мА. Тепловые токи коллекторного и эмиттерного переходов при температуре 20^о С равны соответственно 3·10^-8 и 10^-8 А. Определить коллекторное напряжение, при котором ток коллектора снизится по сравнению с указанным на 30%. Считать, что коллекторное напряжение не влияет на ширину базы и коэффициент передачи тока базы.

2.10. При условиях, аналогичных задаче 2.9, определить ток коллектора при напряжении коллектора минус 0,2 В.

2.11. При условиях, аналогичных задаче 2.8, определить напряжение на коллекторе при токе коллектора, равном 0,4 мА. Ток эмиттера принять равным 0,5 мА.

2.12. При условиях, аналогичных задаче 2.9, определить ток коллектора, если в цепь коллектора включен резистор номиналом 3 кОм, а напряжение источника питания составляет 10 В.

2.13. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и n -каналом имеет напряжение отсечки, равное минус 1,5 В. В режиме насыщения при напряжении затвора минус 1,0 В ток стока равен 1 мА. Определить ток стока и крутизну транзистора в режиме насыщения при нулевом напряжении затвора. Выходную дифференциальную проводимость принять равной нулю.

2.14. В полевом транзисторе с управляющим p-n переходом и n -каналом, работающем в режиме насыщения, ток стока при нулевом напряжении затвора равен 3 мА, напряжение отсечки равно минус 0,8 В. Определить ток и крутизну транзистора в режиме насыщения при напряжении затвора минус 0,3 В. Выходную дифференциальную проводимость принять равной нулю.

2.15. В полевом транзисторе с индуцированным n -каналом в режиме насыщения крутизна равна 1,8 мА/В при напряжении затвора 1,5 В, пороговое напряжение равно 0,65 В. Рассчитать ток стока и крутизну в режиме насыщения при напряжении затвора 1,8 В. Выходную дифференциальную проводимость принять равной нулю.

2.16. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом, работающий в режиме насыщения, имеет напряжение отсечки минус 1,5 В, ток стока при напряжении затвора минус 0,5 В составляет 4 мА. Определить напряжение насыщения стока при напряжении затвора минус 0,2 и минус 0,4 В.

2.17. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и n -каналом имеет напряжение отсечки минус 0,8 В, ток стока при нулевом напряжении затвора равен 2 мА. В цепь стока включен резистор номиналом 1 кОм. Определить минимальное напряжение источника питания в цепи стока, при котором транзистор продолжает работать в режиме насыщения, если напряжение затвора при этом составляет минус 0,3 В.

2.18. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и p -каналом имеет напряжение отсечки 0,9 В, ток стока при нулевом напряжении затвора равен 2,1 мА. В цепь стока включен резистор номиналом 2 кОм, в цепь истока включен резистор номиналом 400 Ом, затвор заземлен. Определить, обеспечивается ли режим насыщения транзистора при напряжении источника питания минус 4,5 В. Найти соответствующие этому режиму напряжение затвор-исток и ток стока.

2.19. Для полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n -каналом переход к режиму насыщения при нулевом напряжении затвора наступает при напряжении стока 1,3 В. Найти, при каком напряжении стока наступает режим насыщения, если напряжение затвора равно минус 0,5 В. Рассчитать в этом режиме ток стока и крутизну.

1. Начертить структуру биполярного транзистора p-n-p при включении с общей базой и показать, как перемещаются носители заряда при напряжениях на электродах, обеспечивающих активный режим работы, и как направлены постоянные токи во внешних цепях.

2. Начертить структуру биполярного транзистора n-p-n при включении с общей базой и показать, как перемещаются носители заряда при напряжениях на электродах, обеспечивающих активный режим работы, и как направлены постоянные токи во внешних цепях.

3. Начертить структуру биполярного транзистора n-p-n при включении с общим эмиттером и показать, как перемещаются носители заряда при напряжениях на электродах, обеспечивающих активный режим работы, и как направлены постоянные токи во внешних цепях.

4. Объяснить, как обеспечивается усиление электрических сигналов по току, напряжению и мощности при помощи биполярного транзистора.

5. Начертить семейство выходных характеристик биполярного транзистора при включении с общей базой, объяснить их вид и отметить области, соответствующие активному режиму, режиму отсечки и насыщения.

6. Начертить семейство выходных характеристик биполярного транзистора при включении с общим эмиттером, объяснить их вид и отметить области, соответствующие активному режиму, режиму отсечки и насыщения.

7. Пояснить, что называется рабочей точкой транзистора. Перечислить, обосновать и показать на графиках основные ограничения, принимаемые во внимание при выборе рабочей точки транзистора.

8. Показать на графиках и объяснить, как изменяются выходные характеристики биполярного транзистора при включениях с общей базой и с общим эмиттером с увеличением температуры.

9. Показать на графиках и объяснить, как изменяются входные характеристики биполярного транзистора при включениях с общей базой и с общим эмиттером с увеличением температуры.

10. Начертить семейство выходных характеристик биполярного транзистора при включении с общим эмиттером, выбрать рабочую точку, соответствующую активному режиму и указать, какие из Н -параметров и каким образом можно найти в этой точке.

11. Начертить семейство входных характеристик биполярного транзистора при включении с общим эмиттером, выбрать рабочую точку, соответствующую активному режиму и указать, какие из Н -параметров и каким образом можно найти в этой точке.

12. Начертить семейство характеристик прямой передачи тока биполярного транзистора при включении с общим эмиттером, выбрать рабочую точку, соответствующую активному режиму и указать, какие из Н -параметров и каким образом можно найти в этой точке.

13. Начертить структуру полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n -каналом, показать способ подачи и полярность напряжений на электродах и пояснить принцип работы транзистора.

14. Начертить семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n -каналом, отметить участки характеристик, соответствующие различным режимам работы и назвать эти режимы.

15. Начертить семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом и p -каналом, отметить участки характеристик, соответствующие различным режимам работы и назвать эти режимы.

16. Начертить структуру полевого МДП транзистора с индуцированным

n -каналом, показать способ подачи напряжений на электроды и объяснить принцип работы транзистора.

17. Начертить семейство характеристик управления для полевых МДП транзисторов с индуцированным n -каналом и p -каналом и объяснить ход характеристик для транзисторов с различными типами канала.

18. Начертить семейство выходных характеристик полевого МДП транзистора с индуцированным каналом, выбрать рабочую точку, соответствующую режиму насыщения, и показать, какие из дифференциальных параметров транзистора и каким образом могут быть определены в этой точке.

19. Начертить семейство характеристик управления полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n -каналом, выбрать рабочую точку, соответствующую режиму насыщения, и показать, какие из дифференциальных параметров транзистора и каким образом могут быть определены в этой точке.

20. Начертить семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n -каналом, показать и объяснить, какие ограничения накладываются при выборе рабочей точки на этих характеристиках.

Дата добавления: 2015-05-06