![]() КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Указания. Задание на моделирование характеристик транзисторов
Условия Задание на моделирование характеристик транзисторов 2.5.1. Характеристики биполярных транзисторов. 1. Получить и построить на отдельных графиках семейство входных характеристик транзистора заданного типа при включении с общим эмиттером U бэ= U бэ(I б)| U кэ=const. I б=0 – 150 мкА; U кэ=0, 5, 10 В. Для моделирования рекомендуется использовать схему на рис. 2.6. Направление источника тока во входной цепи и полярность источника напряжения в выходной устанавливаются в соответствии со структурой транзистора (n-p-n или p-n-p). В выходную цепь включается источник тока, управляемый напряжением (преобразователь тока в напряжение). Использование схемы позволяет получить не только входные, но и другие семейства статических характеристик. Значения источников тока и напряжения не имеют существенного значения при использовании в дальнейшем режима DC Sweep, однако при отсутствии его эти значения не должны выходить за пределы, указанные в условиях на моделирование.
Если при моделировании используется EWB 5.0a или 5.0с, то получение семейства характеристик на одном графике невозможно, однако каждую характеристику в отдельности можно получить при переходе в режим Parameter Sweep (см. 1.4). В этом случае роль изменяющегося параметра играет аргумент в функциональной зависимости, обозначающей характеристику (для входной характеристики – I б). Значение величины, которую необходимо поддерживать постоянной при получении данной характеристики (например, U кэ для входной характеристики), следует установить непосредственно на схеме. 2. Получить и построить на одном графике семейство выходных характеристик транзистора заданного типа при включении с общим эмиттером I к= I к(U кэ)| I б=const.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 368; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |