КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Импульсные диоды обладают специфическими параметрами
Импульсные диоды обладают специфическими параметрами Диоды с накоплением заряда (ДНЗ) обладают особенностью Для оценки инерционных свойств импульсных диодов используются специфические параметры 1) дифференциальные сопротивления; 2) время восстановления обратного сопротивления ; 3) максимальная рабочая температура; 4) максимальное значение обратного напряжения.
1) у них в базе создано тормозящее поле и происходит накопление у границы перехода неосновных носителей; 2) у них малая площадь перехода; 3) имеют малую барьерную емкость; 4) имеют высокое допустимое обратное напряжение.
17. Диод Шоттки, применяемый в импульсных схемах, это 1) диод, основой которого является выпрямляющий контакт металла с полупроводником; 2) диод с малой площадью перехода; 3) диод с малой барьерной емкостью; 4) диод с низким обратным напряжением.
1) время восстановления обратного сопротивления ; 2) время жизни неосновных носителей; 3) время пролета носителей через область базы.
1) время жизни неосновных носителей; 2) время пролета носителей через область базы; 3) время рассасывания носителей .
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 771; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |