Транзистором биполярным называется

Какая емкость перехода (барьерная или диффузионная) имеет большую величину

При одинаково высокой концентрации акцепторной и донорной примесей в полупроводнике он превращается в

Величина напряжения стабилизации кремниевых стабилитронов определяется

Максимальная рабочая температура для кремниевых полупроводниковых приборов составляет

Максимальная рабочая температура для германиевых полупроводниковых приборов составляет

Минимальная температура, при которой могут работать полупроводниковые приборы, составляет

В режиме обратного включения работают полупроводниковые диоды

Максимальное напряжение стабилизации у кремниевого стабилитрона составляет

Наименьшее напряжение стабилизации стабилитронов составляет

Напряжение стабилизации стабилитрона зависит от

Стабилитроны изготавливаются из

1) германия;

2) арсенида галлия;

3) кремния;

4) кремния и германия.

1) концентрации примесей в областях диода;

2) дифференциального сопротивления диода;

3) емкости перехода.

1) десятые доли вольт;

2) единицы вольт;

3) десятки вольт;

4) сотни вольт.

1) единицы вольт;

2) десятки вольт;

3) сотни вольт;

4) тысячи вольт.

30. Варикап – это

1) полупроводниковый диод, напряжение стабилизации которого меняется в широких пределах;

2) полупроводниковый диод, который используется для генерации и усиления электрических колебаний;

3) полупроводниковый диод, барьерная емкость которого меняется в широких пределах при изменении приложенного напряжения.

1) выпрямительные и варикапы;

2) стабилитроны и варикапы;

3) стабилитроны и детекторы;

4) варикапы и туннельные.

1) 0 С;

2) –60 С;

3) –100 С;

4) –150 С.

1) +50 С;

2) +110 С;

3) +150 С;

4) +200 С.

1) +50 С;

2) +100 С;

3) +200 С;

4) +300 С.

1) концентрацией примесей доноров и акцепторов;

2) площадью перехода;

3) шириной базовой области;

4) шириной области эмиттера.

36. После прекращения воздействия p-n переход восстанавливает свои свойства

1) при тепловом пробое;

2) при электрическом туннельном и лавинном пробое;

3) при электрическом и тепловом пробое;

4) в любом случае.

1) диэлектрик;

2) проводник;

3) линейный полупроводниковый резистор.

1) барьерная емкость;

2) диффузионная емкость;

3) емкости имеют одинаковую величину.

39. Какова должна быть толщина базы полупроводникового прибора по сравнению с диффузионной длиной неосновных носителей?

1) толщина базы меньше диффузионной длины;

2) толщина базы больше диффузионной длины;

3) толщина базы равна диффузионной длине.

40. Диод Шоттки – это

1) полупроводниковый диод с выпрямляющим контактом металл-полупроводник;

2) диод с накоплением заряда;

3) обычный полупроводниковый диод с малой барьерной емкостью;

4) туннельный диод.

1) полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, усилительные свойства которого усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда;

2) трехслойный полупроводниковый прибор с двумя выводами;

3) структура p-n-p-n;

4) структура n-p-n-p.

42. Бездрейфовые транзисторы – это

1) биполярные транзисторы с неравномерным распределением примесей в области базы;

2) биполярные транзисторы с равномерным распределением примесей в области базы и отсутствием электрического поля в области базы;

3) биполярные транзисторы с накоплением избыточного заряда в области эмиттера;

4) биполярные транзисторы с накоплением избыточного заряда в области коллектора.

43. Дрейфовый транзистор – это

1) биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области базы, и наличием внутреннего электрического поля, способствующего ускоренному перемещению носителей от эмиттера к коллектору;

2) биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области эмиттера;

3) биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области коллектора.

44. Режим работы биполярного транзистора "насыщение"

1) режим, когда оба перехода закрыты;

2) режим, когда оба перехода открыты;

3) переход коллектор-база закрыт, переход эмиттер-база открыт.

45. Режим "отсечки" биполярного транзистора

1) режим, когда оба перехода закрыты;

2) режим, когда оба перехода открыты;

3) переход эмиттерный закрыт, а коллекторный – открыт.

46. Активный режим работы биполярного транзистора – это

1) режим, при котором закрыты оба перехода;

2) режим, при котором открыты оба перехода;

3) переход эмиттер-база открыт, а переход коллектор-база закрыт.

47. Ток через переход эмиттер-база p-n-p транзистора имеет две составляющие

1) ;

2) ;

3) .

48. Толщина базы биполярного транзистора W

1) ;

2) ;

3) ;

4) .

49. Инжекция носителей в биполярном транзисторе типа p-n-p, это

1) перемещение дырок из эмиттера в базу;

2) перемещение дырок из базы в эмиттер;

3) перемещение дырок из базы в коллектор.

50. Экстракция дырок в биполярном транзисторе типа p-n-p, это

1) перемещение дырок из базы в эмиттер;

2) перемещение дырок из базы в коллектор;

3) перемещение дырок из коллектора в базу.

51. При отсутствии инжекции в цепи коллектора ток равен

1) ;

2) ;

3) .

52. Наименьшее входное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора

1) с общим эмиттером;

2) с общей базой;

3) с общим коллектором.

Дата добавления: 2015-05-06