Более низкий уровень шума у

Основными видами низкочастотного шума в биполярном транзисторе являются

Менее подвержена влиянию температуры

Емкость коллекторного перехода на выходное сопротивление биполярного транзистора влияет следующим образом

Лучшими частотными свойствами обладает

На усилительные свойства биполярного транзистора сильнее влияет емкость

На ухудшение усилительных свойств биполярного транзистора на высоких частотах оказывают влияние

1) емкость эмиттерного перехода;

2) емкость коллекторного перехода;

3) емкость коллекторного перехода и инерционность перемещения носителей через область базы.

1) эмиттерного перехода;

2) коллекторного перехода;

3) оба перехода влияют одинаково.

1) дрейфовый биполярный транзистор;

2) бездрейфовый биполярный транзистор;

3) оба обладают одинаковыми частотными свойствами.

1) выходное сопротивление с ростом частоты растет;

2) выходное сопротивление биполярного транзистора с ростом частоты уменьшается;

3) выходное сопротивление не зависит от частоты.

77. Лучшими частотными свойствами обладает схема

1) с общей базой;

2) с общим эмиттером;

3) частотные свойства не зависят от схемы включения биполярного транзистора.

1) схема с общим эмиттером;

2) схема с общей базой;

3) схема с общим коллектором;

4) все схемы реагируют одинаково.

79. Шум в биполярном транзисторе – это

1) беспорядочное изменение тока в цепях транзистора;

2) беспорядочное изменение тока в цепи базы;

3) беспорядочное изменение тока в цепи базы;

4) беспорядочное изменение тока в цепи коллектора.

1) дробовой эффект и тепловые флуктуации;

2) шум рекомбинации;

3) шум беспорядочного разделения.

1) биполярных транзисторов;

2) полевых транзисторов;

3) уровень шума одинаков.

82. Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор

1) усилительные свойства которого обусловлены потоком неосновных носителей, инжектированных в область базы;

2) усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем;

3) используемый для выпрямления тока.

83. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом состоит из областей

1) сток, затвор, исток, канал;

2) эмиттер, база, коллектор;

3) сток, база, исток, затвор.

84. На затвор полевого транзистора с управляющим p-n переходом подается напряжение

1) открывающее p-n переход между затвором и каналом;

2) запирающее p-n переход между затвором и каналом;

3) двух знаков – отпирающее или запирающее.

85. Ток в цепи стока полевого транзистора с управляющим p-n переходом определяется

1) напряжением на затворе;

2) напряжением на стоке;

3) напряжением на стоке и затворе.

86. Входное сопротивление полевого транзистора с управляющим p-n переходом составляет

1) 10² Ом;

2) 10³ Ом;

3) 10⁵ Ом;

4) 10¹⁰ Ом.

87. Напряжение отсечки полевого транзистора с управляющим p-n переходом – это напряжение при котором

1) ;

2) ;

3) .

88. Уменьшить ток стока до нуля в полевом транзисторе с управляющим p-n переходом возможно

1) с помощью напряжения ;

2) с помощью напряжения ;

3) с помощью напряжений и .

89. Канал полевого транзистора с управляющим p-n переходом имеет наибольшую ширину

1) при ;

2) при ;

3) при .

90. Для полевого транзистора с управляющим p-n переходом рассматриваются семейства характеристик

1) , ;

2) , ;

3) , .

Дата добавления: 2015-05-06