Входное сопротивление МДП-транзисторов с индуцированным каналом составляет величину

Входное сопротивление МДП-транзисторов со встроенным каналом составляет величину

По каналу полевого транзистора протекает ток

1) ток основных носителей;

2) ток неосновных носителей;

3) ток основных и неосновных носителей.

92. Усилительные свойства полевых транзисторов с управляющим p-n переходом определяются параметрами

1) , , ;

2) S, , ;

3) , S, ;

4) , , .

93. На затвор МДП со встроенным каналом п -пипа подается напряжение

1) ;

2) ;

3) или .

1) Ом;

2) Ом;

3) Ом;

4) Ом.

95. Режим работы МДП-транзисторов со встроенным каналом типа р при называется

1) режим обогащения;

2) режим обеднения;

3) активный режим.

96. Режим работы МДП-транзисторов со встроенным каналом типа п при называется

1) режим обогащения;

2) режим обеднения;

3) активный режим.

1) Ом;

2) Ом;

3) Ом;

4) Ом.

98. Напряжение, при котором возникает индуцированный канал в подложке р -типа или п -типа называется

1) напряжением отсечки;

2) пороговым напряжением;

3) напряжением смещения.

Дата добавления: 2015-05-06