Транзисторно-транзисторная логика Шоттки

Открытые транзисторы находятся в режиме насыщения и во время перехода в закрытое состояние добавляется время рассасывания неосновных носителей заряда в базе. Для того чтобы исключить время рассасывания необходимо не допускать режима насыщения (не открывать коллекторный переход). Этого можно достичь, включив между коллектором и базой транзистора диод Шоттки (рисунок 1.17а). ВАХ диода Шоттки и кремниевого pn-перехода приведены на рисунке 1.17б. При подаче на базу транзистора напряжения 0,7 В (чтобы открыть транзистор), на диоде Шоттки будет падать 0,2-0,3 В и на коллекторе транзистора будет напряжение

0,4-0,5 В, что недостаточно для открывания коллекторного перехода. Транзистор с диодом Шоттки в ИМС конструктивно совмещены, обозна-чаются, как показано на рисунке 1.17в, и называются транзистором Шоттки. Схемы транзистор-танзисторной логики Шоттки (ТТЛШ) аналогичны схемам ТТЛ, только в них используются транзисторы Шоттки.

Рисунок 1.17

Ниже приведена таблица 1.9 с параметрами микросхем ТТЛШ. Серии 531 и 555 имеют схемотехническое решение, рассмотренное выше. Из их сравнения видим, что они отличаются по потребляемой мощности и быстро- действию, но энергия переключения примерно одинакова. Модернизирован- ные схемы 1530 и 1533 тоже имеют единое схемотехническое решение, но отличаются по потребляемой мощности и быстродействию, их энергия переключения примерно одинакова и значительно меньше, чем у предыдущих серий. У последней усовершенствованной серии 1531 энергия переключения еще снижена.

Таблица 1.9

Параметр			Серия
I^0ВХ, мА £	-2	-0,4	-2,4	-0,2	-0,6
I^1ВХ, мА £	0,05	0,02	0,4	0,02	0,02
U^0, В £	0,5	0,4	0,5	0,4	0,8
U^1, В ³	2,7	2,5	2,0	2,5	2,0
t^10 ЗДР, нс	4,5		2,5		3,8
t^01ЗДР, нс			2,5		3,9
PПОТР СР, мВт	32,5	7,5
W, Дж ×10^-10	1,54	1,5	0,475	0,4	0,15

Таким образом, по мере совершенствования технологии и схемотех- нических решений микросхемы становятся более быстродействующими и экономичными.

Дата добавления: 2015-05-06