Электронно-дырочный p-n переход

Электрические переходы.

Называют граничный слой между 2-ми областями тела физические св-ва кт. различны.

Различают: p-n, p-p⁺, n-n⁺, м-п/п, q-м, q-п/п переходы прим. В п/п приборах (м-метал прим. в термопарах)

Работа всех диодов, биполярных транзисторов основана на p-n переходе

Рассмотрим слой 2^х Ge с различными типами проводимости.

р

n

Обычно переходы изготавливают несемметричными p_p>> << n_n

Если p_p>> n_n то p-область эмитерная, n- область- база

В первый момент после соединения кристаллов из-за градиента концентрации возникает диффузионный ток соновных носителей.

На границе основных носителей начнут рекомбинировать, тем самым обнажаться неподвижные ионы примесей.

Граничный слой. Будет обеднятся носителями заряда => возникнет внутреннее U. Это U будет препятствовать диффузионному току и он будет падать. С другой стороны наличие внутреннего поля обусловит появление дрейфого тока неосновных носителей. В конце концов диффузионный ток станет = дрейфовому току и суммарный ток через переход будет = 0

U _{контакта}≈j_тln((Pp₀)/(np₀))

j_т≈25мB температурный потенциал при 300 К

U_к=0,6-0,7В Si;0,3-0,4В Ge.

Различают 3 режима работы p-n перехода:

1) Равновесный (внешнее поле отсутствует)

2) Прямосмещенный p-n переход.

В результате U_внпадает =>возникает диф. ток электорнов I=I₀ e^U/mjт

m ≈ 1 Ge

2 Si I₀ тепловой ток.

I обусловлен основными носителями зарядов. Кроме него ток неосновных носителей будет направлен встречно .: I= I₀(e^U/mjт-1)

3)Обратно смещенный p-n переход I- обусловлен токами неосновных носителей I=- I₀

ВАХ p-n перехода

Дата добавления: 2015-05-06