Полевые транзисторы (ПТ)

Частотные свойства транзистора

ОБ

ОЭ

ОБ

Iк=aIэ+I к₀+(Uкб/rк) r*к=(rк/1+b) I*к₀=I к₀(1+b)

Малосигнальная эквивалентная схема замещения транзистора

r к≈100 Ом r э=dUбэ/dIб | Uк- const

r э=2jt/Iэ⁰ =(Si)≈50мВ/ Iэ⁰

r* к=dUкэ/dIк | Iб- const ≈100кОм

Ск*=Ск(1+b) ≈ 5-15мкФ

r э=dUбэ/dIэ | Uк- const

r* к=dUкб/dIк | Iэ- const

Зависят от емкостей транзистора, межэлектородных емкостей, и от коэффициентов a и b

fср=fсрa/b – для b

h –параметры транзистора

ΔU₁=h₁₁ΔI₁+h₁₂ ΔU₂

ΔI₂=h₂₁ΔI₁+h₂₂ ΔU₂

h₁₁= ΔU₁/ ΔI₁ │ΔU₂=0 – входной сигнал

h₁₂= ΔU₁/ ΔU₂ │=μ=0 – коэф. обр. отриц. внутр.связи

│ΔI₁=0

h₂₁= ΔI₂/ ΔI₁ │ ΔU₂=0 – коэф усиления I

h₂₂= ΔI₂/ ΔU₂ │=1/rк выходная проводимость

│ΔI₁=0

Связь h-параметров с собственными параметрами транзистора

	ОБ	ОЭ
h11	rэ+rб(1-α)	rб+rэ(1+β)
h12
h21	α	β
h22	1/rк	1/rк*=(1+ β)/rк

В ПТ используется носитель заряда одного типа. Работа ПТ основана на управлении R канала ПТ поперечным электрическим полем.

ПТ с: p-n переходом

МДМ или МОП

«+»- очень простые, высокая технологичность, большое Rвх., малая стоимость.

«-»-малая крутизна

Дата добавления: 2015-05-06