Характеристики транзистора 2Т874Б

Структура транзистора		n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом	Рк т max	75 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр	> 20 МГц
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	Uкбо max	150 В
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	Uэбо max	5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	Iк max	30 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектора	Iк и max	50 А
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	Iкбо	<= 3 мА (150В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером	β	10... 40
Емкость коллекторного перехода	Ск	<=200 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	Rкэ нас	<= 0,04 Ом

Эквивалентная схема транзистора

а- модель Гуммеля-Пуна;

б - передаточная модель Эберса-Молла

Обозначения:

I_b - ток базы;

I_c - ток коллектора;

I_be1 - ток коллектора в нормальном режиме;

I_bc1 - ток коллектора в инверсном режиме;

I_be2 I_bc2 - составляющие тока перехода база-эмиттер, вызванные неидеальностью перехода;

I_S - ток подложки;

V_be, V_bc - напряжения на переходе внутренняя база-эмиттер и внутренняя база-коллектор;

V_bs - напряжение внутренняя база-подложка;

\/_bn - напряжение внутренняя база-подложка для режима квазинасыщения;

V_bx - напряжение база-внутренний коллектор;

V_ce - напряжение внутренний коллектор-внутренний эмиттер;

V_js - напряжение внутренний коллектор-подложка для NPN-транзистора, напряжение внутренняя подложка-коллектор для PNP-транзистора или напряжениевнутренняя база - подложка для LPNP-транзистора.

Объемное сопротивление базы R_b характеризуется двумя оставляющими. Первая составляющая RB определяет сопротивление вывода базы и сопротивление внешней области базы, которые не зависят от тока базы I_b. Вторая составляющая RBM характеризует сопротивление активной области базы, находящейся непосредственно под эмиттером, которое зависит от тока I_b. Объемное сопротивление базы R_b определяется следующими выражениями в зависимости от значения параметра IRB:

ì RBM+(RB-RBM)/Q_b, при IRB = ¥;
R_b = í
î RBM+3*(RB-RBM)*(tgX - X)/(X*tg²X), при IRB > 0;

где X=[(1+14,59025*I_b/IRB)^0.5-1]/[2,4317*(I_b/IRB)^0.5]

Дата добавления: 2015-05-06