КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Высокочастотные диоды
Высокочастотные диоды предназначены для нелинейных электрических преобразований сигналов на частотах до сотен мегагерц. Их применяют в детекторах высокочастотных сигналов, преобразователях частоты, модуляторах и т. д. Отличительной особенностью этих диодов является незначительная величина емкости р-п перехода, так как при работе на высоких частотах сопротивление емкости р-п перехода уменьшается и p-n переход начнет терять одно из своих основных свойств – одностороннюю проводимость. Уменьшение емкости перехода достигается путем уменьшения площади р-n перехода. Поэтому высокочастотные диоды обычно являются точечными или микросплавными и емкость перехода у них снижается до единиц пикофарад. Расширения частотного диапазона работы высокочастотных диодов достигается также уменьшением сопротивления базы диода RБ и дифференциального сопротивления p-n перехода в прямом направлении. На значение максимальной граничной частоты высокочастотных диодов влияют процессы рассасывания при обратном напряжении избыточных зарядов из области базы, накопленных за положительный полупериод сигнала. Для уменьшения времени рассасывания необходимо уменьшить время жизни неосновных носителей в области базы, что достигается введением в полупроводник специальных примесных атомов, например, золота, которые образуют рекомбинационные центры.. Конструкция высокочастотного диода приведена на рисунке 1.3.
Рис.1.3. Конструкция высокочастотного диода
Параметры у высокочастотных диодов и обозначение те же, что и у низкочастотных выпрямительных диодов. Предельная рабочая частота высокочастотных диодов достигает 400 – 600 МГц. а допустимая мощность рассеяния составляет не более 100 мВт. Из-за малой площади перехода допустимый прямой ток в них не превышает 100 мА, а допустимое рабочее обратное напряжение составляет 10 - 100 В.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 844; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |