Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Импульсные диоды




Импульсные диоды предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах. Основными отличительными особенностями импульсных диодов, так же как и высокочастотных, является малая площадь р-n перехода и малое время жизни неравновесных носителей заряда. Основным параметром импульсных диодов является время восстановления обратного сопротивления tвос, определяемое как время, в течение которого диод переходит в запертое состояние при мгновенном изменении полярности напряжения на диоде с прямого на обратное. Для импульсных диодов указывают такие же параметры, характерные для выпрямительных диодов. Конструкция и технология изготовления импульсных диодов аналогичны конструкции и технологии изготовления обычных высокочастотных диодов. В быстродействующих импульсных схемах широко используют диоды Шоттки, площадь перехода которых обычно составляет 20-30 мкм в диаметре, а барьерная емкость не превышает 1 пФ. Особенностью диодов Шоттки является отсутствие инжекции неосновных носителей заряда в полупроводник, поэтому основным фактором, влияющим на длительность переходных процессов, является перезаряд только барьерной емкости. Диоды Шоттки могут работать на частотах до 15 ГГц, а время переключения у них составляет около 0,1 нс.

В импульсных схемах, формирующих импульсы с крутыми фронтами, применяют диоды с накоплением заряда (ДНЗ). В этих диодах примесь в базе распределена неравномерно: концентрация ее больше в глубине базы и меньше возле р-n перехода, вследствие чего возникает внутреннее электрическое поле. Это поле препятствует проникновению в глубь базы инжектированных при прямом напряжении дырок из р -области в базу, то есть обеспечивает их группирование около границы р-n перехода. Кроме того, это поле при обратном напряжении способствует освобождению базы от неосновных носителей, в результате чего уменьшается tвос в десятки раз и отрицательный выброс импульса тока получается практически прямоугольным.

В настоящее время широкое применение находит в качестве высокочастотных и импульсных диодов диоды с p-i-n –структурой. В этих диодах сильнолегированные р и п области разделены достаточно широкой областью с собственной проводимостью. Электрическое поле действует только в i - области и оно практически однородное. Барьерная емкость p-i-n диода за счет широкой i - области мала и слабо зависит от приложенного к диоду напряжения.

Особенность работы p-i-n- диода состоит в следующем. Во-первых, при прямом смещении происходит инжекция электронов из п -области и дырок из р -области в i - область, что приводит к резкому уменьшению прямого сопротивления диода. Во-вторых, носители тока в i- области перемещаются не только за счет диффузии, но и дрейфуют в поле, что увеличивает их скорость и уменьшает время переноса носителей тока. Оба эти фактора увеличивают значение максимальной частоты работы таких диодов. При обратном напряжении происходит интенсивная экстракция носителей из i - области, что приводит к дополнительному возрастанию обратного сопротивления. Таким образом, для p-i-n диодов характерно большое отношение обратного к прямому сопротивлению, что обуславливает их хорошие импульсные свойства в переключательном режиме работы. Кроме того, такие диоды могут коммутировать в импульсе достаточно высокие мощности до нескольких десятков кВт.

В качестве импульсных диодов находят применение мезадиоды. Их особенностью является технология изготовления. При изготовлении этих диодов методом избирательного травления формируют конические выступы – столики, называемых «мезами». Такая технология позволяет получать р-п переходы с очень малой площадью и малой емкостью перехода и тем самым малым временем переключения

Коваровая трубка
Кристаллодержатель
Припой
Стеклянный корпус
Кристалл
Контактная пружина
Внешние выводы

Рис.1.4. Конструкции двух типов импульсных диодов

 

Условно-графическое обозначение импульсного диода такое же как и у выпрямительного, возможные конструкции импульсных диодов приведены на рисунке 1.4.

 

Контрольные вопросы

1. Дайте классификацию полупроводниковых диодов.

2. Как влияет температура на вольтамперную характеристику германиевых и кремниевых выпрямительных диодов?

3. Назовите основные параметры выпрямительных диодов.

4. Какие требования предъявляются к высокочастотным и импульсным диодам?

5. В чем особенность работы р-i-п диодов и диодов с накоплением заряда (ДНЗ)?


 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 2876; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.013 сек.