Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Дифференциальные параметры транзистора-четырехполюсника




Если переменные напряжения на переходах транзистора достаточно малы, то токи в нем оказываются линейными функциями этих напряжений. В таком случае транзистор независимо от схемы включения можно рассматривать как линейный четырехполюсник, имеющий два входных и два выходных полюса (рис.5.6). Пусть на входе четырехполюсника действуют переменные напряжение U 1 и ток I 1, а на выходе – напряжение U 2 и ток I 2, связанные друг с другом в виде определенных функциональных зависимостей. В зависимости от схемы включения транзистора этим токам и напряжениям будут соответствовать те или иные конкретные токи и напряжения. Например, в схеме с ОЭ U 1 = UБЭ, I 1 = IБ, U 2 = UКЭ и I 2 = IК. Для описания функциональных зависимостей возможны шесть вариантов выбора зависимых и независимых переменных, исходя из которых можно ввести шесть систем параметров,

 


Рис.5.6. Представление транзистора в виде четырехполюсника.

 

описывающих четырехполюсник. На практике для описания транзистора как четырехполюсника широко используется система h – параметров.

В системе h – параметров в качестве независимых переменных приняты входной ток I 1 и выходное напряжение U 2, тогда имеем функциональную связь в виде и . Полные дифференциалы этих функций запишутся в виде:

. (5.25)

Обозначим частные производные перед независимыми переменными в (5.25) символами и , тогда уравнения четырехполюсника можно записать в виде

. (5.26)

Из (5.26) можно определить физический смысл h – параметров. Для этого проведем два эксперимента:

1. Пусть выходное напряжение постоянное, тогда . Из системы (5.26) имеем:

- дифференциальное входное сопротивление транзистора;

- дифференциальный коэффициент передачи тока.

2. Пусть входной ток постоянен, тогда . Из системы (5.26) имеем:

- дифференциальный коэффициент обратной связи по напряжению и

- дифференциальная выходная проводимость транзистора.

Для схем включения с ОЭ, ОБ и ОК h – параметры транзистора можно отметить третьим индексом «Э», «Б» и «К» соответственно. Можно установить связь между h – параметрами в разных схемах включения. Например, такая связь в схемах включения с ОЭ и ОБ имеет вид:

, (5.27)

где h – параметры с индексом Б относятся к схеме с ОБ. А с индексом Э – к схеме с ОЭ.

Проведя совместное рассмотрение системы уравнений h – параметров (5.26) и физических эквивалентных схем (рис. 5.4 и 5.5) можно установить связь между h – параметрами и физическими параметрами транзистора. Без вывода только запишем для схемы с ОЭ:

. (5.28)

Для схемы с ОБ имеем:

. (5.29)

На основе выражений (5.28) и (5.29) в принципе можно решить и обратную задачу – по известным h – параметрам найти физические параметры транзистора.

На практике находит применение эквивалентная схема транзистора на основе h – параметров, которая приведена на рисунке 5.6. Генератор тока характеризует усилительные свойства транзистора, а генератор ЭДС - обратную связь по напряжению.

 


Рис.5.6. Эквивалентная схема транзистора в системе h – параметров.

 

Дифференциальные h – параметры можно определить, подставляя в (5.28) и (5.29) численные значения физических параметров, определенных в заданной рабочей точке. Широко используется определение h – параметров по статическим вольтамперным характеристикам транзистора (об этом более подробно в разделе 6.5).

В заключение отметим, что преимущества системы h – параметров заключается в удобстве их экспериментального определения. Действительно, в практических транзисторных схемах легко обеспечить режимы постоянного тока на входе и постоянного напряжения на выходе схем, так как транзисторы характеризуются малым входным и большим выходным сопротивлениями.

 

Контрольные вопросы.

1.Дайте определения интегральному и дифференциальному коэффициентам передачи тока и как они зависят от величины тока эмиттера и напряжения коллектора?

2.Что такое эффект Эрли?

3.Назовите основные физические параметры транзистора и их физический смысл.

4.Физический смысл дифференциальных h-параметров?

5.Расскажите об эквивалентных схемах реального транзистора в режиме малого сигнала.


 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 1233; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.