Схемы включения биполярного транзистора

В большинстве электрических схем транзистор используется в качестве четырехполюсника, то есть устройства, имеющего два входных и два выходных вывода. Очевидно, что, поскольку транзистор имеет только три вывода, для его использования в качестве четырехполюсника необходимо один из выводов транзистора сделать общим для входной и выходной цепей. Соответственно различают три схемы включения транзистора: схемы с общей ба зой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). В схеме с общей базой (см. рис. 3.3,а)

входной цепью является цепь эмиттера, а выходной - цепь коллектора. Схема ОБ наиболее проста для анализа, поскольку в ней каждое из внешних напряжений прикладывается к конкретному переходу: напряжение u_ЭБ прикладывается к эмиттерному переходу, а напряжение u_КБ - к коллекторному.
В схеме с общим эмиттером (см. рис. 3.3,б) входной цепью является цепь базы, а выходной - цепь коллектора. В схеме ОЭ напряжение u_БЭ >0 прикладывается непосредственно к эмиттерному переходу и отпирает его. Напряжение u_КЭ распределяется между обоими переходами:
u_КЭ = u_КБ + u_БЭ. Для того, чтобы коллекторный переход был закрыт, необходимо u_КБ = u_КЭ – u_БЭ > 0, что обеспечивается при u_КЭ > u_БЭ > 0.
В схеме с общим коллектором (см. рис.3.3,в) входной цепью является цепь базы, а выходной - цепь эмиттера.

34)операционные усилители, их основные свойства

Операционный усилитель (ОУ) — усилитель постоянного тока с дифференциальным входом и, как правило, единственным выходом, имеющий высокий коэффициент усиления. ОУ почти всегда используются в схемах с глубокой отрицательной обратной связью, которая, благодаря высокому коэффициенту усиления ОУ, полностью определяет коэффициент передачи полученной схемы.

Операционным усилителем (ОУ) называетсяусилитель, который характеризуется определенным набором параметров, позволяющих ему выполнять математические операции (сложения, вычитания, интегрирования и т.д. и т.п.). Это свойство и определило наименование «операционный усилитель».

Современные ОУ удовлетворяют следующим требованиям:

коэффициент усиления по напряжению (К_u→∞);

-входное сопротивление (R_вх→∞);

-выходное сопротивление (R_вых→∞);

-при равенстве входного напряжения нулю, нулю равняется и выходное напряжение U_вх=0 → U_вых=0;

-бесконечно широкая полоса пропускания частот f=∞;

-минимальный дрейф нуля и малый собственный шум.

49) Регистры, их назначение.

Регистром называется последовательное предназначение для записи, хранения и воспроизведения, информации представляется в виде многоразрядного двоичного входа.

Если информация записывается в регистры считывается с них одновременно всеми разрядами то называется параллельным или регистром памяти. Один регистр памяти образует элементарную ячейку памяти ОЗУ. В таком регистре хранится 8, 16,32 двоичных разряда информации.

Каждая ячейка памяти ОЗУ имеет свой номер (адрес), а все информационные входы и выходы ячеек подключаются к одним и тем же входам ОЗУ, имеющим ту же разрядность что и регистры. Емкость ОЗУ определяется числом ячеек памяти и не зависит от разрядности регистров. В последовательном регистре информация поступает на один вход последовательно во времени, начиная со старшего разряда и сдвигается с каждым тактом по цепочке триггера, поэтому такой регистр называют регистром сдвига. Однонаправленный регистр сдвигов в право представляет собой последовательное включение d-триггеров. Прямой выход предыдущего триггера подключается к входу d-последующего триггера, а синхроимпульс подается на все входы всех триггеров.

Схема регистра памяти

Схема регистра сдвига.

9) электрические процессы в p-n переходе в отсутствие и при наличии внешнего напряжения

Граница между двумя соседними областями полупроводника, одна из которых обладает проводимостью n-типа, а другая p-типа, называется электронно-дырочным переходом (p-n-переходом).. Если подключить к p-n-переходу источник внешнего напряжения таким образом, чтобы плюс был приложен к области полупроводника n-типа, а минус – к области полупроводника p-типа (такое включение называют обратным, рис. 1.4), то обедненный слой расширяется, так как под воздействием внешнего напряжения электроны и дырки смещаются от p-n-перехода в разные стороны. При этом высота потенциального барьера также возрастает и становится равной jк+ u (рис. 1.5), поскольку напряжение внешнего смещения включено согласно контактной разности потенциалов.

Рис 1.4 Обратное смещение перехода

Рис 1.5 Изменение потенциального барьера

Так как напряжение внешнего источника прикладывается встречно контактной разности потенциалов, то потенциальный барьер снижается на величину u, и создаются условия для инжекции основных носителей – дырок из полупроводника p -типа в полупроводник n -типа, а электронов – в противоположном направлении. При этом через p - n -переход протекает большой прямой ток. Пусть внешнее напряжение на переходе отсутствует. Так как носители заряда в каждом полупроводнике совершают беспорядочное тепловое движение, т. е. имеются собственные скорости, то происходит их диффузия (проникновение) из одного полупроводника в другой. Носители перемещаются оттуда, где их концентрация велика, туда, где концентрация мала. Таким образом, из полупроводника п-типа в полупроводник р-типа диффундируют электроны, а в обратном направлении из полупроводника р-типа в полупроводник п-типа диффундируют дырки.
В результате диффузии носителей по обе стороны границы раздела двух полупроводников с различным типом электропроводности создаются объемные заряды различных знаков. В области п возникает положительный объемный заряд. Подобно этому в области р возникает отрицательный объемный заряд.Между образовавшимися объемными зарядами возникает так называемая контактная разность потенциалов и электрическое поле.
В р-п-переходе возникает потенциальный барьер, препятствующий диффузионному переходу носителей.

24)Полевые МДП-транзисторы с индуцированными каналами, их выходные характеристики.

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

Дата добавления: 2015-05-06