Исходные данные. 2 страница

второй элемент - буква, указывающая подкласс приборов:

ÞА- сверхчастотные,

ÞБ- приборы, с объемным эффектом (Ганна),

ÞВ- варикапы,

ÞГ- генераторы шума,

ÞД- выпрямительные, универсальные и импульсные,

ÞИ- туннельные,

ÞК- стабилизаторы тока,

ÞЛ- излучающие,

ÞН- тиристоры триодные,

ÞЦ- выпрямительные столбы и блоки;

третий элемент - число, первая цифра которого обозначает классификационный номер, а последующие три цифры (от 1 до 999)- порядковый номер разработки (кроме стабилитронов);

четвертый элемент - буква, указывающая разновидность прибора данного типа (для стабилитронов- очередность разработки).

Пример маркировки: КД215А- кремниевый (К) выпрямительный (Д) средней мощности (2), порядковый номер разработки 15, группы А.

Лавинные диоды.

У выпрямительного диода запорный слой не обладает строго однородной структурой, имеются отдельные микроплощадки с повышенной удельной проводимостью. При обратном напряжении плотность тока в этих микроплощадках оказывается большой и в малых участках полупроводника выделяется значительное количество энергии. Происходит местный перегрев, который способствует тепловому пробою P-N- перехода.

В лавинных диодах применяют монокристаллы кремния с высокой однородностью структуры. В таких кристаллах специальной технологией создается искусственно равномерно по всей площади большое количество микроплощадок с повышенной проводимостью обратного тока, поэтому нагрев объема кристалла обратным током происходит по всему сечению перехода и местное повышение температуры его отдельных участков практически исключается. В следствии равномерного распределения обратного тока в лавинном диоде может выделяться и рассеиваться энергия в сотни раз большая, чем в обычном диоде с такими же номинальными параметрами.

Стабилитроны.

Стабилитрон- это кремниевый диод, работающий в режиме обратного напряжения и предназначенный для поддержания постоянным напряжения на нагрузке при колебаниях напряжения источника питания.

У стабилитрона, как и у лавинного диода, специальной технологией создается искусственно, равномерно по всей площади, большое количество микроплощадок с повышенной проводимостью, поэтому обратный ток распределяется почти равномерно по всей площади P-N- перехода; нагрев объема кристалла происходит так же по всему сечению P-N- перехода, перегрев и тепловое разрушение отдельных участков исключается.

На рабочем участке АБ вольт- амперной характеристики в диапазоне обратных токов от Iст.мin до Iст.мах напряжение стабилизации Uст на стабилитроне изменяется незначительно и для практических целей считается стабильным. Данный участок характеристики стабилитрона используется для стабилизации напряжения на нагрузке R нагр, параллельно которой его включают.

Параметры стабилитронов.

Стабилитроны, как и диоды характеризуются основными и максимально допустимыми параметрами.

Основные параметры:

· напряжение стабилизации Uст - напряжение на стабилитроне при заданном токе стабилизации;

· допустимый разброс напряжения стабилизации от номинального DUст - максимально допустимое отклонение напряжения стабилизации от номинального для стабилитронов данного типа;

· дифференциальное сопротивление стабилитрона Rд.ст. - отношение приращения напряжения стабилизации на стабилитроне к вызвавшему его малому приращению тока в заданном диапазоне частот;

· температурный коэффициент напряжения стабилизации ТКН - отношение относительного изменения напряжения стабилизации к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации. ТКН составляет (0.05…0.2%)⁰С.

Максимально допустимые параметры:

¨ максимальный ток стабилизации Iст.мах;

¨ минимальный ток стабилизации Iст.min;

¨ максимально допустимый прямой ток Iпр.мах;

¨ максимально допустимый импульсный ток Iпр.и.мах;

¨ максимально допустимая мощность Рмах.

Маркировка стабилитронов.

Þ при напряжении стабилизации менее 10 В - десятые доли напряжения стабилизации;

Þ при напряжении от 10 до 99 В - номинальное напряжение стабилизации;

Пример: КС515А- кремниевый стабилитрон, средней мощности (5), на номинальное напряжение 15 В, группа А.

Þ при напряжении стабилизации от 100 до 199 В - разность между номинальным напряжением и 100 В.

Пример: КС620А- кремниевый стабилитрон средней мощности, на напряжение 120 В, группа А.

Туннельные диоды.

Для изготовления туннельных диодов применяют полупроводниковый материал (германий, арсенид галлия) с большой концентрацией примесей (до 10¹⁹ примесных атомов на 1см³; в полупроводниках обычных диодов концентрация примесей не превышает 10¹⁵ в 1см³). Полупроводники с таким большим содержанием примесей превращаются в полуметаллы и называются вырожденными; они обладают в большей степени свойствами металлов, и в меньшей степени свойствами полупроводников. Электроны в вырожденных полупроводниках ведут себя как в металлах.

Рис.21. P-N- переход (а) и вольт- амперная характеристика (б) туннельного диода.

При высоком насыщении примесями в полупроводнике типа N уровень доноров сливается с зоной проводимости, а в полупроводнике типа Р уровень доноров сливается с валентной зоной. В результате этого граница зоны проводимости N- полупроводника становится ниже верхней границы валентной зоны Р- полупроводника. Высокая концентрация примесей приводит к увеличению высоты потенциального барьера Uпб, значительно превышающего ширину запрещенной зоны U₃. Из рисунка видно, что зона проводимости N- полупроводника перекрывает валентную зону Р- полупроводника на величину DU=Uпб-U₃. В зоне перекрытия и возникает туннельный эффект. Благодаря высокой концентрации примесей в полупроводниках обоих типов образуется электрическое поле большой напряженности (порядка 10⁸ В/м) в P-N- переходе с малой шириной (порядка 10мкм). Под действием этого поля электрон, движущийся в сторону очень узкого барьера (P-N- переход), пройдет через него на участке DU как через туннель и займет свободный уровень с такой же энергией по другую сторону барьерного слоя. Таким образом, сущность туннельного эффекта состоит в том, что под действием сильного электрического поля P-N- перехода электроны проходят потенциальный барьер с высотой, значительно превышающей их энергию на определенном участке перехода, при этом электроны не изменяют своей энергии.

Вольт- амперная характеристика туннельного диода (см. рис.) показывает изменение протекающего тока через P-N- переход в зависимости от величины и знака приложенного напряжения. При отсутствии внешнего напряжения ток через P-N- переход равен нулю, так как прямой туннельный ток Iт.пр, протекающий из Р- полупроводника в N- полупроводник, равен обратному туннельному току Iт.обр, протекающему навстречу прямому току из N- полупроводника в Р- полупроводник. При увеличении прямого напряжения, приложенному к P-N- переходу, поток электронов из N- полупроводника в Р- полупроводник увеличится, а из Р в N- уменьшится; в результате этого будет происходить нарастание прямого туннельного тока, сила которого достигнет максимального значения Iмах при некотором значении напряжения U_А. При изменении полярности источника питания на обратную туннельный ток изменит свое направление и по мере увеличения обратного напряжения будет линейно возрастать. Следовательно, односторонняя проводимость при туннельном эффекте отсутствует.

Кроме туннельного тока через тот же P-N- переход (как и через обычный) протекает диффузионный ток Iд, обусловленный встречным протеканием электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Поэтому, полный ток P-N- перехода при туннельном эффекте равен:

I=Iт.пр-Iт.обр+Iд.

Следует иметь в виду, что диффузионный ток в туннельном диоде на несколько порядков меньше тока диода с обычным P-N- переходом.

Основной особенностью вольт- амперной характеристики туннельного диода является то, что при подаче прямого напряжения, превышающего U_А, прямой туннельный ток начинает резко убывать до некоторого минимального значения Imin. Образование падающего участка АВ в вольт- амперной характеристике можно объяснить следующим образом. Увеличение прямого напряжения, с одной стороны, приводит к туннельного тока, а с другой- уменьшает напряженность электрического поля в P-N- переходе, поэтому при некотором значении прямого напряжения U_В, когда напряженность электрического поля в P-N- переходе резко снижается, туннельный ток прекращается и P-N- переход приобретает обычные свойства, связанные с прохождением через него диффузионного тока, как это показано на рисунке совмещением двух характеристик. После напряжения U_В участок характеристики 1 туннельного диода, соответствующий полному току P-N- перехода, совпадает с характеристикой 2 диффузионного тока обычного диода.

Участок АВ на вольт- амперной характеристике туннельного диода, на котором ток уменьшается с ростом напряжения, свидетельствует о наличии отрицательного сопротивления у этого прибора.

Туннельные диоды находят применение в схемах высокочастотных усилителей, высокочастотной автоматике и телемеханике, электронно- счетных машинах и т.п. Уменьшение тока с ростом напряжения на участке АВ вольт- амперной характеристики равнозначно сдвигу фазы между ними на 180⁰, т.е. аналогично фазовому сдвигу транзистора, применяемому для целей усиления и изменения фазы сигналов. Туннельный переход электронов происходит практически мгновенно, что позволяет использовать туннельный диод для высоких рабочих частот- порядка 10¹¹Гц. Туннельный диод может работать как при низкой температуре (до -200⁰С), так и при высокой температуре (до +150⁰С), так как при туннельном переходе электроны не расходуют своей энергии.

Основные параметры туннельных диодов.

· пиковый ток Iп - прямой ток в точке максимума вольт- амперной характеристики (Iмах), при котором di/du=0;

· ток впадины Iв - прямой ток в точке минимума вольт- амперной характеристики (Imin), при котором di/du=0;

· отношение токов туннельного диода Iп/Iв - отношение пикового тока к току впадины;

· напряжение впадины Uв - прямое напряжение, соответствующее току впадины;

· напряжение раствора Uр - прямое напряжение, больше напряжения впадины, прри котором ток равен пиковому (точка С на рис.б);

· индуктивность диода Lvd - полная последовательная индуктивность диода при заданных условиях;

· удельная емкость туннельного диода Сvd/Iп - отношение емкости туннельного диода к пиковому току;

· дифференциальное сопротивление Rд - величина, обратная крутизне вольт- амперной характеристики;

· резонансная частота туннельного диода fо - расчетная частота, при которой общее реактивное сопротивление P-N- перехода и индуктивности корпуса туннельного диода обращается в нуль;

· напряжение пика Uп- прямое напряжение (U_А), соответствующее пиковому току.

К максимально допустимым параметрам относятся:

¨ максимально допустимый постоянный прямой ток туннельного диода Iпр.мах;

¨ максимально допустимый прямой импульсный ток Iпр.и.мах;

¨ максимально допустимый постоянный обратный ток Iобр.мах;

¨ максимально допустимая рассеиваемая СВЧ мощность диода Р_{СВЧ. мах}.

Маркировка туннельных диодов.

Очередность значения букв и цифр такая же,как и у выпрямительных диодов.

Пример: ГИ103А- германиевый (Г), туннельный (И) диод, усилительный, малой мощности (1), разработка 03, группа А.

Устройство и принцип работы транзисторов.

Транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с электронно- дырочным переходом, позволяющий усиливать и генерировать электрические сигналы, а так же коммутировать электрические цепи. В электронной аппаратуре применяют униполярные и биполярные (точечные и плоскостные) транзисторы. Здесь рассмотрим только плоскостные биполярные транзисторы, получившие широкое применение в схемах автоматики и телемеханики.

Основным элементом транзистора является монокристалл германия или кремния, в котором созданы три области с различной проводимостью. Две крайние области всегда имеют проводимость одинакового типа, противоположную проводимости средней области. У транзистора типа P-N-P крайние области обладают дырочной проводимостью, а средняя- электронной; у транзистора типа N-P-N крайние области имеют электронную проводимость, а средняя-дырочную.

Физические процессы, протекающие в транзисторах обоих типов, аналогичны. Средняя область транзистора называется базой Б, одна из крайних областей- эмиттером Э, а другая- коллектором К. Из рисунка видно, что в транзисторе имеется два P-N- перехода: эмиттерный- между базой и эмиттером, и коллекторный- между базой и коллектором. Для понимания работы транзистора необходимо иметь в виду следующее: область базы очень тонкая, расстояние между эмиттерным и коллекторным переходами небольшое (составляет не более 10 мкм), для преодоления которого требуется небольшая энергия носителей тока; концентрация атомов примеси в области базы во много раз меньше, чем в эмиттере.

Устройство германиевого плоскостного транзистора, изготовленного сплавным способом. На пластинку германия с электронной проводимостью, которая является базой, наплавляют с двух сторон кусочки акцепторного вещества, обычно индия. Вблизи границ сплавления в пластинке германия образуется два слоя с проводимостью Р, представляющие собой эмиттер и коллектор транзистора. На границе полупроводников с разной проводимостью появляются P-N- переходы. Пластинку помещают в кристаллодержатель, который припаивают ко дну герметизированного корпуса. Внутренние выводы эмиттера и коллектора соединяют с наружными выводами, проходящими в корпус через изолятор. Вывод базы крепится непосредственно ко дну корпуса.

Транзистор N-P-N- типа имеет аналогичное устройство- на пластину германия с Р- проводимостью с двух сторон наплавляется донорное вещество (обычно сурьма), в результате чего образуется два слоя: эмиттер и коллектор с проводимостью N.

Принцип работы транзистора.

Из рисунка видно, что к эмиттерному P-N- переходу приложено прямое (эмиттерное) напряжение U_Э, а к коллекторному переходу- обратное (коллекторное) напряжение Uк, обычно значительно больше U_Э. Если замкнуть ключи S₁ и S₂, то через эмиттерный P-N- переход потечет прямой ток, создаваемый встречным движением основных носителей тока- дырок эмиттера и электронов базы (на рис. дырки показаны светлыми кружочками, а электроны- темными): (U_Э)-S₁-PmA₁-(переход Э-Б)-PmA₂-S₂-(-U_Э). При разомкнутом положении ключа S₁ и замкнутом положении ключей S₂ и S₃ по цепи (+U_К)-S₁-PmA₁-(переход Б-К)-PmA₂-S₂-(-U_К) пройдет незначительный обратный ток, вызванный направленным движением неосновных носителей тока- дырок из базы и электронов из коллектора. Из этого видно, что участки эмиттер- база и база- коллектор ведут себя как обычные полупроводниковые диоды. Теперь замкнем все три ключа. К эмиттерному P-N- переходу приложено прямое напряжение, под действием которого его сопротивление резко уменьшается, в следствии чего через P-N- переход проходит прямой ток, обусловленный перемещением дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер. Если бы концентрации дырок в эмиттере и базе были бы одинаковыми, то прямой ток через эмиттерный переход создавался бы встречным перемещением одинакового числа дырок и электронов, что обусловило бы большую силу тока базы Iб. Но в транзисторах, как это было указано выше, концентрация носителей тока в эмиттере значительно больше, чем в базе. Следовательно, число дырок, поступающих из эмиттера в базу, во много раз превышает число электронов, движущихся во встречном направлении. Поэтому, почти весь ток через эмиттерный P-N- переход обусловлен дырками. Дырки, попав в базу, для которой они являются неосновными носителями тока, начинают рекомбинировать с электронами, образуя нейтральные атомы. Так как процесс рекомбинации происходит не мгновенно (для этого требуется время, хотя и незначительное), то почти все дырки (90-95%) успевают пройти через тонкий слой базы и достигнуть коллекторного P-N- перехода прежде, чем произойдет рекомбинация. Пройдя к коллектору, дырки начинают испытывать действие электрического поля, созданного напряжением Uк, являющегося для дырок ускоряющим, как неосновных носителей тока N- полупроводника, поэтому они быстро двигаются из базы в коллектор, резко уменьшая сопротивление коллекторного перехода. В дальнейшем, дырки непрерывно поступают из эмиттера в коллектор, образуя электрический ток через транзистор по следующей цепи: (+U_К)-(-U_Э)-S₁-PmA₁-(Э-Б-К)-R_K- PmA₃-S₃-(-Uк). Незначительное число дырок и электронов образуют небольшой ток базы Iб. Этот ток образуется в следствии того, что в базу вместо исчезнувших при рекомбинации электронов входят от источника тока U_Э все новые и новые электроны. Следовательно, в цепи базы (+U_Э)-S₁-PmA₁-(Э-Б)-PmA₂-S₂-(-U_Э) ток создается не движением дырок, а движением электронов, поступающих в базу от источника питания и рекомбинирующих в базе с небольшой частью дырок. Таким образом, ток эмиттера, измеряемый прибором PmA₁, равен сумме токов базы и коллектора, измеряемых соответственно приборами PmA₂ и PmA₃, т.е. Iб=Iэ+Iк.

Принцип действия транзисторов типа N-P-N аналогичен транзисторам типа P-N-P. Отличие состоит в том, что база имеет дырочную проводимость и в нее из эмиттера поступают электроны. Кроме того, к этим транзисторам подводится напряжение противоположной полярности. Процесс введения основных носителей тока из эмиттера в базу называют инъекцией или инжекцией.

Усилительные свойства транзисторов.

Усиление электрических колебаний с помощью транзистора основано на зависимости тока коллектора от значения напряжения, приложенного к эмиттерному P-N- переходу.

Упрощенная схема усилителя на транзисторе и графики, поясняющие его работу.

При отсутствии переменного напряжения Uвх (до момента t₁ на рис.2, а) в цепи эмиттера протекает ток покоя Iэо (рис.2, б) под действием напряжения U_Э, а в цепи коллектора- ток Iо (рис.2, в), почти равный току Iэо. Ток Iо, проходя через сопротивление нагрузки Rнагр, создает на нем постоянное значение падения напряжения U_R=IoRнагр (рис.2, г)

При поступлении на вход переменного напряжения Uвх (рис.2, а) от генератора сигналов G, последовательно включенного с источником постоянного напряжения U_Э на эмиттерно- базовом переходе создается изменяющееся напряжение U_Э + Uвх, под действием которого из эмиттера в базу будет поступать изменяющееся количество дырок: больше при U_Э+Uвх и меньше при U_Э-Uвх. Таким образом, изменения напряжения на эмиттерно- базовом переходе вызовут пропорциональные изменения эмиттерного тока i_Э (рис.2, б) и коллекторного тока (рис.2, в). Ток i_K,, проходя через резистор Rнагр, кроме постоянного падания напряжения создает на нем переменное падение напряжения ~U_R=i_KRнагр, повторяющее по форме входное напряжение сигнала. Переменная составляющая напряжения ~U_R отделяется с помощью разделяющего конденсатора Ср от постоянной составляющей и подается на вход усилителя в виде переменного напряжения Uвых=(~U_R). Усиление напряжения с помощью транзистора происходит за счет энергии источника питания. Сам транзистор выполняет роль своеобразного регулятора, который под действием слабого входного сигнала, введенного в цепь с малым сопротивлением, изменяет ток в выходной цепи, обладающей большим сопротивлением.

Величина, показывающая, во сколько раз переменное напряжение на выходе усилителя больше напряжения сигнала на входе, называется коэффициентом усиления по напряжению:

K_U=Uвых/Uвх (1)

Согласно закону Ома, Uвых=IкRнагр и Uвх=I_ЭR_Э, где R_Э- сопротивление входной цепи, т.е. сопротивление участка эмиттер- база. Учитывая, что I_K=I_Э, формулу (1) можно записать так:

K_U=I_КRнагр/(I_ЭR_Э) или K_U= Rнагр/(R_Э). (2)

Транзистор усиливает не только напряжение, но и мощность.

Коэффициент усиления по мощности:

Kр=Рвых/Рвх= . (3)

Из формул (2) и (3) видно, что коэффициенты усиления транзистора по напряжению и мощности равны отношению сопротивления нагрузки в цепи коллектора к сопротивлению цепи эмиттера, поэтому транзисторы представляют собой преобразователи сопротивления.

Один из показателей, характеризующий свойства транзистора, - коэффициент усиления (или передачи) по току a, представляющий собой отношение приращения выходного тока DI_К к вызвавшему его приращению входного тока DI_Э:

a=DI_К/DI_Э. (4)

Для приведенной схемы всегда a<1 (a=0.9…0.99), так как Iк<I_Э. Чем больше a, тем меньше отличаются между собой токи коллектора и эмиттера, и тем больше коэффициенты усиления транзистора по напряжению и мощности.

Схемы включения транзисторов.

Транзистор можно включить в усилительный каскад тремя способами: по схеме с общей базой, с общим эмиттером и общим коллектором. Принятая терминология показывает, какой из электродов транзистора является общим для его входной и выходной цепей. Каждая из указанных схем обладает характерными для нее свойствами, но принцип усиления электрических сигналов у них одинаков.

Схема с общей базой (ОБ).

Структурная (а) и принципиальная (б) схемы включения транзистора с ОБ.

Напряжение входного сигнала подается на эмиттер и базу, а источник напряжения питания коллектора Uк и резистора Rнагр, с которого снимается выходное напряжение, включен между коллектором и базой. Схема с ОБ обладает малым входным сопротивлением (десятки Ом) и большим выходным сопротивлением (сотни килоОм). Низкое входое сопротивление является существенным недостатком этой схемы, так как в многокаскадных усилителях оно оказывает шунтирующее действие на сопротивление нагрузки предыдущего каскада. Поэтому между каскадами, собранными по схеме с ОБ, необходимо включать согласующие устройства, например, понижающие трансформаторы.

Схема с общим эмиттером (ОЭ).

Структурная (а) и принципиальная (б) схемы включения транзистора с ОЭ.

Напряжение входного сигнала Uвх подается на эмиттер и базу, источник коллекторного питания и сопротивления нагрузки Rнагр включен между эмиттером и коллектором. Отличие схемы с ОЭ от схемы с ОБ состоит в том, что входным током в ней является малый по значению ток базы. Ток эмиттера I_Э обусловлен количеством дырок, переместившихся через эмиттерный переход в базу, и под действием этого тока в цепи коллектора протекает ток Iк, почти равный току I_Э. Небольшая часть дырок рекомбинирует в области базы с электронами, образуется ток базы Iб, следовательно, через источник входного сигнала проходит только небольшой ток базы Iб=I_Э-Iк, поэтому входное сопротивление схемы транзистора с ОЭ значительно выше входного сопротивления схемы с ОБ и составляет сотни Ом. Выходное сопротивление в схеме с ОЭ достигает десятков килоОм.

Важнейшим достоинством схемы с ОЭ (в отличие от схемы с ОБ) является большойкоэффициент усиления по току, представляющий отношение приращения тока коллектора Iк к приращению тока базы Iб и обозначаемый b:

. (5)

Коэффициент усиления по напряжению для схемы с ОЭ имеет примерно такую же величину, что и для схемы с ОБ. Это объясняется тем, что выходное напряжение у обеих схем зависти от одних и тех же величин- переменной составляющей коллекторного тока и сопротивления нагрузки, которые примерно равны.

Коэффициент усиления по мощности для схемы с ОЭ, равный Кр=bК_U, значительно выше, чем для схемы с ОБ. Важной особенностью схемы с ОЭ является то, что выходное напряжение имеет сдвиг по фазе 180⁰ по отношению к входному напряжению. Это объясняется следующим образом. На эмиттерно- базовый переход подается напряжение U_Э+Uвх. Если напряжения U_Э и Uвх действуют согласно, т.е. на эмиттерно- базовый переход подается U_Э+Uвх, то из эмиттера в базу поступает больше дырок и соответственно увеличивается I_Э, Iк и Uвых. Это может быть тогда, когда подается минус Uвх на базу транзистора. Следовательно, подача отрицательного потенциала на базу транзистора вызывает увеличение выходного напряжения. Обратная картина получается при подаче положительного потенциала (+Uвх) от генератора сигналов G, так как при этом на эмиттерно- базовый переход подается напряжение U_Э-Uвх, уменьшается I_Э и Iк и соответственно выходное напряжение. Схема с ОЭ позволяет питать эмиттерный и коллекторный переходы от одного источника напряжения, так как на базу и коллектор подаются потенциалы одного знака, что является ценным свойством схемы. Изложенные свойства данной схемы показывают ее универсальность, в следствии чего она получила широкое применение в электронных защитах электроснабжения, автоматике, телемеханике и др.

Схема с общим коллектором (ОК).

Структурная (а) и принципиальная (б) схемы включения транзистора с ОК

Напряжение входного сигнала подается на базу, а выходное напряжение снимается с сопротивления нагрузки, включенной в эмиттерную цепь. Общей точкой для цепей входа и выхода является коллектор. Входным током, протекающим по резистору нагрузки, является ток эмиттера, поэтому коэффициент усиления по току g для данной схемы:

. (6)

Входное сопротивление этой схемы велико (десятки и сотни килоОм), а выходное сопротивление мало и составляет лишь десятки- сотни Ом, поэтому такая схема имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы, а по мощности- немного меньше коэффициента усиления по току. Схема с ОК применяется значительно реже, чем две предыдущие, и служит в основном для согласования сопротивлений между отдельными каскадами усилителя или между выходом усилителя и низкоомной нагрузкой.

Статические характеристики транзисторов.

Транзисторы относятся к нелинейным приборам, поведение которых в электрических цепях с достаточной полнотой раскрывают статические характеристики. Эти характеристики отражают количественные зависимости между напряжениями на электродах транзистора и токами в его цепях.

Дата добавления: 2015-05-06