Справочные данные стабилизаторов напряжения в интегральном исполнении. 2 страница

температура перехода, ..........................................................................

тепловое сопротивление переход – среда …………………..…..0,2

Допустимая температура окружающей среды,

При .

КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г,

КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И,

КТ208К, КТ208Л, KT208M

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы предназначены для использования в импульсных, усилительных и других схемах.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.15). Масса транзистора не более 0,7 г.

Условия эксплуатации – в соответствии с табл. П2.2.

Электрические параметры. Классификационные параметры: , :

наименование	обозначение	значения	режимы измерений
номинальное	типовое	максимальное	UК, В	IК, мА	IБ, мА	f, кГц
Обратный ток коллектора, мкА:					UБК max
Обратный ток эмиттера, мкА: (при )
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В				0,4
Напряжение насыщения база – эмиттер, В				1,5
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ208А, КТ208Г, КТ208Ж, КТ208Л КТ208Б, КТ208Д, КТ208И, КТ208М КТ208В, КТ208Е, КТ208К При Тс = +125^оС: КТ208А, КТ208Г, КТ208Ж, КТ208Л КТ208Б, КТ208Д, КТ208И, КТ208М КТ208В, КТ208Е, КТ208К При Тс = -60^оС: КТ208А, КТ208Г, КТ208Ж, КТ208Л КТ208Б, КТ208Д, КТ208И, КТ208М КТ208В, КТ208Е, КТ208К								0,27 0,27 0,27   0,27 0,27 0,27   0,27 0,27 0,27
Отношение статического коэффициента передачи тока в прямом и инверсном включении		2,0	4,5	12,0				0,27
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ, Ом (при мА)								0,27
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., 10^-4 См (при мА)		0,15	0,3	0,55				0,27
Коэффициент шума ( кОм), дБ: КТ208В, КТ208Е, КТ208К						0,2
Емкость коллекторного перехода, пФ
Емкость эмиттерного перехода, пФ (при В)
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц						0,2

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды .

постоянный ток коллектора, мА:……………....................................…0,3

импульсный ток коллектора, мА:……..…………………………....0,5

постоянный ток базы, мА:………………..…………………………....0,1

постоянное напряжение коллектор – база, В:

КТ208А – КТ208В………………………….....……………………………….….15

КТ208Г – КТ208Е………………………….....………………..………………….30

КТ208Ж – КТ208К………………………….....………………..…………………45

КТ208Л – КТ208М………………………….....………………………………..…60

постоянное напряжение коллектор – эмиттер (при кОм), В:

КТ208А – КТ208В………………………….....……………………………………15

КТ208Г – КТ208Е………………………….....………………..…………………...30

КТ208Ж – КТ208К………………………….....………………………………....…45

КТ208Л – КТ208М………………………….....………………………………....…60

постоянное напряжение эмиттер – база, В:

КТ208А – КТ208Е………………………….....………………………………….….10

КТ208Ж – КТ208М………………………….....………………………………….…20

постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт………………….200

температура перехода, ...........................................................................150

Допустимая температура окружающей среды,

гарантируется , А.

При понижении значения , уменьшаются по линейному закону до 10 В для групп А – В; до 25 В для групп Г – Е; до 40 В для групп Ж – К; до 55 В для групп Л, М. уменьшается линейно до 15 В для групп Ж – М.

В диапазоне – 60…+ 60^оС. При мощность линейно уменьшается до 50 мВт.

KT312A, KТ312Б, КТ312В

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты, для работы в быстродействующих импульсных схемах.

Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. П1.21,а). Масса транзистора не более 1 г.

Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.

Электрические параметры. Классификационные параметры:

, , , │ │.

наименование	обозначение	значения	режимы измерений
номиналь-ное	типовое	максималь-ное	UК, В	UЭ, В	IК, мА	IБ, мА	IЭ, мА	f, МГц
Обратный ток коллектора, мкА КТ312А, КТ312В КТ312Б При Тс = +85^оС: КТ312А, КТ312В КТ312Б При Тс = – 40^оС: КТ312А, КТ312В КТ312Б			0,2 0,2     0,01 0,01
Обратный ток эмиттера, мкА:			0,1
Граничное напряжение транзистора, В: КТ312А, КТ312В КТ312Б									7,5 7,5
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В			0,18	0,8
Напряжение насыщения база – эмиттер, В			0,83	1,12
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: КТ312А КТ312В, КТ312Б	│ │
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ312А КТ312В КТ312Б При Тс = + 85^оС: КТ312А КТ312В КТ312Б При Тс = – 40^оС: КТ312А КТ312В КТ312Б
Емкость эмиттерного перехода, пФ
Емкость коллекторного перехода, пФ (при В)			3,5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды .

постоянный ток коллектора, мА:……………......……………………….30

импульсный ток коллектора, мА:……..……………………………......60

постоянное напряжение коллектор – база, В:

КТ312А, КТ312В………………………….....…………………………………..….20

КТ312Б…………………………………….....………………………………………35

постоянное напряжение коллектор – эмиттер (при Ом), В:

КТ312А, КТ312В………………………….....……………………………………...20

КТ312Б…………………………………….....………………………………..…..…35

постоянное напряжение эмиттер – база, В:…………………………..…4

постоянная рассеиваемая мощность коллектора (при Ом), мВт…………………………………………………………………………………..225

импульсная рассеиваемая мощность транзистора (при ), мВт…………………………………………………………………………………...450

тепловое сопротивление переход – окружающая среда, ............0,4

Допустимая температура окружающей среды,

При , .

КТ375А, КТ375Б

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы предназначены для работы в импульсных и других схемах радиотехнических устройств.

Корпус пластмассовый, с гибкими выводами (рис. П1.32). Масса транзистора не более 0,25 г.

Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4.

Электрические параметры. Классификационные параметры:

, , , .

наименование	обозначение	значения	Режимы измерения
номинальное	типовое	максимальное	UК, В	IК, мА	IБ, мА	IЭ, мА	f, МГц
Обратный ток коллектора, мкА КТ375А КТ375Б При Тс = +85^оС: КТ375А КТ375Б При Тс = – 40^оС: КТ375А КТ375Б		0,1 0,1   0,3 0,3   0,05 0,05	0,3 0,3   1,0 1,0   0,3 0,3
Граничное напряжение транзистора, В: КТ375А КТ375Б
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В		0,12	0,2	0,4
Напряжение насыщения база – эмиттер, В		0,72	0,8
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте:	│ │	2,5							10^6
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (при ): КТ375А КТ375Б При Тс = +85^оС: КТ375А КТ375Б При Тс = – 40^оС: КТ375А КТ375Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды .

постоянный ток коллектора, мА…………….......................................…100

импульсный ток коллектора, мА……..………...................................200

постоянное напряжение эмиттер – база, В:……………………………..5

постоянное напряжение коллектор – база, В:

КТ375А………………………….....……………………………………………..….60

КТ375Б…………………………………….....………………..……………………..30

постоянное напряжение коллектор – эмиттер (при Ом), В:

КТ375А………………………….....………………………………………………….60

КТ375Б…………………………………….....……………………………………..…30

постоянная рассеиваемая мощность коллектора мВт…………………..200

импульсная рассеиваемая мощность коллектора, (при ), мВт…………………………………………………………………………………...400

температура перехода, ...........................................................................150

тепловое сопротивление переход – окружающая среда, ……….0,5

Допустимая температура окружающей среды,

При , .

При этом средняя мощность за период не должна превышать .

КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В,

КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы предназначены для усиления электрических колебаний.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис, П1.11), Масса транзистора не более 0,5 г.

Условия эксплуатации – в соответствии с табл. П2.3.

Электрические параметры. Классификационные параметры:

, │ │, , .

наименование	обозначение	значения	Режимы измерения
номинальное	максимальное	В	В	мА	мА	кГц
Обратный ток коллектора, мкА КТ3102А, КТ3102Б КТ3102В, КТ3102Д КТ3102Г, КТ3102Е		0,003 0,003 0,003	0,05 0,015 0,015
Обратный ток эмиттера, мкА:
Граничное напряжение транзистора, В: КТ3102А, КТ3102Б КТ3102В, КТ3102Д КТ3102Г, КТ3102Е
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: КТ3102А - КТ3102В, КТ3102Д КТ3102Г, КТ3102Е	│ │	1,5 3,0						10^5 10^5
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ3102А КТ3102А - КТ3102В, КТ3102Д КТ3102Г, КТ3102Е
Коэффициент шума, дБ КТ3102А - КТ3102Г КТ3102Г, КТ3102Е							0,2 0,2
Емкость коллекторного перехода, пФ								10^4
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс								3·10^4

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды .

Дата добавления: 2015-05-06